对激光有变色吸收的点火元件

在一个由激光脉门冲直接触发的点火元件中，如果在光路中安装一个满足整个光谱区的吸收层，而它能使点火激光的波长变色的话，那么，这个吸收层会起到开关作用，即它可以限制其它光线成为点火激光脉冲而实现触发。     

B/KNO3激光点火器装药参数与点火性能研究

为了探索硼/硝酸钾(B/KNO₃)激光点火器的装药参数对其点火性能的影响,设计了光窗式B/KNO₃激光点火器并搭建了激光点火系统,试验研究了硝酸钾粒径、硼与硝酸钾配比、添加粘结剂种类与质量分数、B/KNO₃装药密度及输入端密封性等因素对其发火功率和点火延迟时间的影响。结果表明：硝酸钾粒径为2～12μm、w B∶w KNO₃为3∶7、添加3%的酚醛树脂、装药密度为1.6g·cm^-3的B/KNO₃激光点火器的点火性能最佳,其发火功率和点火延迟时间分别为4.52 W和160 ms;对B/KNO₃激光点火器进行密封设计可进一步增强其点火性能,其发火功率和点火延迟时间分别为4.24 W和120 ms。     

某高能推进剂激光点火特性研究

采用CO2激光点火系统,研究了某高能推进剂的点火延迟时间与环境压强、初温、热流密度等因素的关系.研究结果表明,随着环境压强、点火热流密度的增加,推进剂的点火延迟时间缩短,且存在着能够点燃推进剂的压强阈值,其值与点火热流密度有关,当压强高于20.26MPa时,推进剂能被点燃,而低于该值时,则不能被点燃;初温对点火延迟时间的影响程度也取决于热流密度的大小,存在着所谓"拉平效应".最后给出了该高能推进剂点火延迟时间的经验公式.     

基于新型半导体激光系统的B/KNO3/PF点火特性

为了研究点火系统的发火性能和点火特性,设计了一种新型可自检半导体激光点火系统和以微米级B/KNO3/酚醛树脂(PF)为装药的激光点火器。采用热重-差示扫描量热技术(TG-DSC)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电镜(TEM)、能谱仪(EDS)、激光反射率和发射光谱等测试获取了药剂的形貌尺寸、元素分布、热性能、激光吸收效率和药剂粒子激发谱线等性能参数;通过激光点火系统启动点火器发火研究了激光脉宽对B/KNO3/PF药剂发火性能和点火特性的影响。结果显示:较大PF质量比(4.8%)的和较小颗粒(平均粒径6.97μm)的B/KNO3/PF药剂在DSC曲线中起始反应温度降低,放热量增加。点火器点火启动分为一次点火和二次点火两个过程,激光脉宽对点火器的点火特性有显著影响。当激光脉宽为5 ms和10 ms时,点火器能够正常发火,其50%发火能量分别为6.23 mJ和12.54 mJ。通过调节激光的脉宽和能量,获得点火器的一次点火延迟时间为3.50~4.69 ms,二次点火延迟时间为7.23~8.08 ms,火焰持续时间为58~83.5 ms;当激光脉宽为2 ms时,激光点火系统无法激励点火器正常发火。这种特性与半导体脉冲激光能量输出规律相符合。     

火工烟火的激光点火

在雷管和点火器中使用激光点火技术能提供比常规设计更高的安全性改进，而密封封接工艺的成功研制是它们连续使用的关键。     

ZST15型舷外机点火系统设计

介绍了ZST15型舷外机点火系统的基本工作原理和各组成部分的设计要求，并根据设计要求，从工作原理入手，提出了点火器组件中点火电容、点火线圈和飞轮组件的具体设计方案，并给出设计参数，对舷外机点火系统的发展及推广具有重要的意义．     

激光点火与起爆系统

介绍激光点火与起爆系统（ＬＦＩＳ）的工作原理,论述采用全电子安全系统对Ｌ ＦＩＳ进行控制的基本原则,通过建立激光火工品在激光照射下的热力学模型,分析起爆时间、激光器功率、光纤直径及激光脉冲宽度之间的相互关系,并讨论光能在传输过程中的能量损耗。文章还介绍了ＬＦＩＳ的试验情况,并分析ＬＦＩＳ可能的应用领域。     

点火管装药结构研究

利用火工品多孔Ｐ－ｔ曲线计算机测试系统测试的有关数据，对点火管内高密度药饼串和散装２类黑火药两种装药结构的点、传火性能进行了分析比较。     

激光点火系统的设计

叙述了激光点火系统的概况，介绍了激光点火系统在制造过程中的光纤抛光，壳体密封，接头耦合及装药等工艺，讨论了降低点火阈值和作用时间的几种途径。     

高钝感半导体桥发火性能研究

为了提高半导体桥（SCB）火工品的安全性,在SCB极脚间并联负温度系数（NTC）热敏电阻,可使NTC-SCB半导体桥满足1.5 A不发火、最高2.0 A不发火的高钝感要求。研究了1.0 A和 1.5 A通电条件下NTC热敏电阻与SCB并联后的分流情况,通过电容放电、恒流激励下的发火实验和发火感度实验对比分析了SCB、NTC-SCB和1.5 A、2.25 W、5 min安全电流实验后的NTC-SCB半导体桥发火性能。结果表明：在1.0 A、1.00 W、5 min和1.5 A、2.25 W、5 min安全电流实验条件下,NTC热敏电阻的分流比约为35%和62%,达到热平衡时的温度大约为112 ℃和170 ℃; 在33 μF、30 V电容放电条件下并联NTC热敏电阻及1.5 A、2.25 W、5 min安全电流实验后,SCB的发火时间和临界发火能量均没有出现显著性变化;在7.0 A恒流激励下,由于输入能量速率较慢以及NTC热敏电阻分流的原因,发火时间和临界发火能量均有较明显提高;SCB的99.9%发火电流在并联NTC热敏电阻后从2.329 A增加到3.709 A,NTC-SCB的99.9%发火电流在1.5 A、2.25 W、5 min安全电流实验后从3.709 A增加到4.285 A,仍然可用于提供大于5.571 A电流的火工装置。     

斯蒂芬酸铅的半导体桥点火试验研究

通过对半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)装药条件下发火电压、发火电容及积分能量对点火时间影响的对比,结合不同点火条件下,桥体两端电压曲线、电流曲线和电流二次峰出现时间的比较,研究了斯蒂芬酸铅(LTNR)的半导体桥点火机理。试验发现特定的点火电路下,SCB点火时间存在一个临界值,且SCB等离子体形成的快慢直接影响点火时间。在充电电压从大到小的点火过程中,在桥与药剂之间存在2种不同的点火机理,在较高点火电压下为等离子体点火机理,在低电压为热点火机理。     

激光二极管点火用驱动电路设计

激光点火系统中需要设计激光二极管驱动电路。奉文分析了激光二极管的几种简单驱动电源电路,按其原理提出了激光二极管点火系统的驱动电路设计方案,并做了激光二极管点火试验,得到了较好的点火效果。     

半导体激光器近场光束整形设计初步研究

半导体激光器作为主动光源广泛应用于激光引信。阵列激光二极管光束的高效准直整形是传统光学技术的难题。本文介绍一种折/衍混合准直微光学阵列系统的设计方法,并结合激光引信所用半导体激光器的光束整形做了初步的理论计算,就其实现可能性进行了讨论。     

半导体桥电容放电特性研究

通过分析半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)在相同电容不同电压下的电压电流曲线和桥面的烧蚀情况,研究了SCB的放电特性。实验发现:在相同电容下,随着充电电压的升高,SCB从无等离子体到有等离子体产生,且桥面的烧蚀程度增大。在低电压无等离子体时,电压和电流几乎同时断开;高电压产生等离子体时,由于等离子体是导体,在电压断开后电流持续一段时间断开。小电容放电时,其时间常数较小,较小的能量就可以将药剂点燃。     

激光起爆系统可靠性模拟计算

采用计算机模拟对激光起爆系统的可靠性进行了研究.利用开发的系统仿真程序对各部件对系统可靠性的影响进行了分析,并对不同可靠度下所需激光器输出能量进行了模拟计算.结果表明,系统的发火可靠性受激光起爆器的影响最大,其次为连接器,分束器的一致性对系统的可靠性影响相对较小.