热处理对Ni-SiC镀层表面形貌和性能的影响

采用直流电镀、脉冲电镀和超声波-脉冲电镀方法制备Ni-SiC镀层,研究热处理温度对Ni-SiC镀层表面形貌、显微硬度以及电化学腐蚀性能的影响。结果表明：经过200 ℃的热处理后,超声波-脉冲电镀法获得的镀层,其金属晶粒最细密,镀层表面更加光滑;热处理温度在300 ℃,直流电镀法、脉冲电镀法和超声波-脉冲电镀法制备的镀层显微硬度达到最大值,分别为884HV,902HV,915HV;超声波-脉冲电镀法制备的Ni-SiC镀层耐腐蚀性能最好,而直流电镀法制备的镀层耐腐蚀性能最差。     

双频Ku波段脉冲雪崩二极管放大器

文章介绍了双频Ku波段脉冲雪崩二极管放大器线路的理论分析和设计计算以及线路的温度补偿调整和测试结果。     

光纤陀螺温度误差建模及补偿方法

温度是影响光纤陀螺输出精度的主要误差源。为了有效提高光纤陀螺的输出精度，在光纤陀螺温度特性理论分析的基础上，对光纤陀螺进行了全温度范围（-30℃-＋70℃）速率试验和零偏试验，并对试验数据进行了深入分析，建立了光纤陀螺温度与标度因数、温度与零偏之间的多项式误差补偿模型。试验结果表明，该温度误差补偿模型可以使光纤陀螺在全温度范围的输出精度提高一个数量级，补偿效果良好。     

光纤陀螺温度误差自适应神经模糊补偿方法

依据Shupe热致非互易性理论,研究光纤陀螺温度漂移产生机理,设计了-15 ℃～50 ℃温度范围内实验。将自适应神经模糊推理系统和分段建模思想相结合,以实测数据构建训练样本,建立光纤陀螺温度误差自适应神经模糊补偿模型。该模型解决了传统建模方法中模型适配性较差的问题,并有助于缩短陀螺进入稳态的时间。数据计算表明,用所建立的模型进行误差补偿后,温度漂移标准差降低了75.55%,补偿效果明显。     

日本制成高温氮化硼半导体器件

日本科学技术厅无机材料研究所利用生长大的单晶体立方氮化硼(c-BN)的最新技术成果,成功地制造了世界上第一个能在650℃温度下稳定工作的p-n结型二极管。硅半导体目前广泛用作电子器件材料,但在200℃以上时失效。因此试图研究一种可用于极高温度环境,如外层空间和核反应堆的新型高温半导体材料。在这方面,刚度和可熔性等于金刚石的材料是值得考虑的,     

雪崩光电二极管偏压自动温度补偿电路设计

针对雪崩光电二极管击穿电压随环境温度变化的工作特性,对雪崩光电二极管工作偏压温度补偿的原理进行了分析。提出了一种雪崩光电二极管偏压自动温度补偿电路设计方法。补偿电路包括温度传感器、运算放大电路和高压电源模块。温度传感器输出的温度信号经过运算放大电路的变换后,作为控制电压输入至高压电源模块,高压模块输出的雪崩光电二极管工作偏压改变,从而达到补偿雪崩光电二极管工作偏压的目的。试验表明,该电路可在-40℃～+60℃范围内对雪崩光电二极管的偏压进行精确地补偿。补偿电路具有电路简单、低功耗、实时性好、成本低等优点。     

αβ表面沾染检测仪温度补偿技术

针对传统α β沾染检测仪设计中未考虑温度影响,测量结果受温度影响较大,无法满足高、低温环境使用要求的问题,为提高仪器在高、低环境下的测量稳定性,在不改变原理设计的条件下研究其温度补偿方法.通过对传统 α β 沾染检测仪射线检测原理、脉冲甄别原理以及温度漂移现象进行分析,确定了温度漂移规律和原因,对现有电路进行微调,提出了增益补偿和阈值补偿2种方法,并进行试验验证.试验结果表明:增益补偿法、阈值补偿法均有较好的补偿效果,有效解决仪器在高、低温环境下测量误差较大的问题,使设备达到新的环境适应性要求,高低温环境下测量误差均小于±20％.     

超辐射发光二极管温度误差模型研究

超辐射发光二极管(SLD)由SLD芯片、半导体制冷器及热沉、热敏电阻等组成.若制冷器线性度较高,随温度升高,SLD管芯温度会降低,导致波长略微降低.若制冷器线性度较低,则结果相反.故根据光纤陀螺的原理,导出光源在温度变化时对陀螺精度影响的温度误差模型,再针对不同的环境温度来确定其补偿,以提高光纤陀螺的测量精度.     

HIGH POWER 1.55

1.55μm半导体激光器有很多突出的优点, 但普通的双异质结激光器功率小, 且对温度很敏感。本文将大光腔结构形式引入1.55μm GaInAsP/ InP半导体激光器中，用液相外延技术研制成功了脉冲峰值功率超过2W的1.55μm GaInAsP/ InP 半导体激光器。普通双异质结构激光器特征温度T     

大功率窄脉冲半导体激光光源等效电路参数研究

针对大功率窄脉冲激光光源的激光器多管芯组合结构等效电路的参数提取困难的问题,提出了基于外特性测量法来提取激光器多管芯组合结构等效电路参数的简捷方法。其特点是：在不知道半导体激光器的材料及内部结构的情况下,通过对实物电路系统电参数的测量并利用Pspice仿真软件经多次参数拟合来获得半导体激光器等效电路参数。实验结果表明,利用该方法提取的半导体激光器等效电路参数与国外产品给出的等效电路参数相吻合。它为大功率窄脉冲半导体激光器驱动源的设计提供了依据,对多个管芯的组合方式、组合结构设计及装配工艺具有指导意义。在此基础上,设计并制作了半导体激光器板载结构的驱动源电路实验系统,其输出功率为180 W,光脉冲的上升时间为3.2 ns,脉冲的宽度为8.3 ns.