640×512-25μm多功能红外读出电路设计

以上华0.35μm 5 V工艺设计了一款640×512-25μm多功能红外读出电路。该红外读出电路工作在80 K温度条件下适合多种红外探测器,如InSb, HgCdTe和InGaAs。此设计在分析各模块实现的基础上,重点设计了像素单元以及阵列的读出方式。同时,利用相关双采样技术,降低了信道里产生的噪声。最后,对该设计的电路进行单路、双路和四路仿真。其中工作频率为5 MHz,系统默认工作帧频为60 Hz,最大功耗为180 mW,输出摆幅大于3 V,线性度也在99%以上。     

红外传感器材料的最近动向

红外传感器,由于能以非接触形式测定物体的温度分布和识别目标,所以大多应用在遥感及夜视装置等方面。红外传感器的种类很多,有简单的单元传感器,有复杂的2维阵列的图象传感器。红外图象传感器用于军事用途的为最多。     

红外成像装置的开发动向

最近开发使用二维传感器的红外成像装置成为红外成像装置的开发主流。探讨了包括二维传感器在内的红外成像装置的最新技术以及开发动向。     

美国致力降低红外焦平面阵列成本

在海湾战争中第一代热像仪在夜战中发挥了重要作用。目前第二代热像仪也已问世。与第一代相比,第二代热像仪具有更高的灵敏度、更远的探测距离和更强的识别能力,之所以如此,皆因使用了红外焦平面阵列。别看这些阵列比邮票还小,其上却集成了成千上万个探测单元的红外探测器。它们除用于夜视设备以外,还可用于其它军事领域,如红外制导、红外对抗等。     

锑化铟红外成像探测器

介绍了InSb红外成像探测器用背面入射型InSb光电二极管的结构和工作原理.探讨了用InSb光电二极管阵作探测器,用Si-CCD作信号传输片的混合型结构和两者的结合方法。研究了这种成像探测器的特性,证明灵敏度可达D~*=4.4×10~(11)CmHz~(1/2)W~(-1),温度分辨力为NETD=0.05～0.06℃。     

红外探测器及其发展(下)

四、红外光子探测器的发展由于军用和民用两方面的需求,红外探测器在过去四十几年内获得了很大的发展。红外探测器第一个实际进展是在第二次世界大战中,德国制成了PbS探测器,这类最初发展的本征型光子器件,除PbS之外,还广泛采用了其它铅盐材料,如PbSe和PbTe等。在50年代后期,应用InSb材料,研制成功了单晶探测器。但是,上述本征型器件的响应波段局限于8μm以内。为了扩大波段范围,发展了多种掺杂型非本征器件(如Ge:Au等),其响应波段可伸展到150     

NASA开发热防护系统新技术

美国国家航空航天局（NASA）下属的喷气推进实验室将使用先进的合成半导体材料为高工作温度红外传感器验证开发一种新技术。如果红外探测器可以在更高的温度下工作,那么用于冷却传感器所需的能量就更少。     

碲镉汞材料与红外探测技术的发展

简要说明了红外探测器的种类和优缺点,着重介绍了碲镉汞(MCT,HgCdTe)特别是外延生长的HgCdTe薄膜材料,在红外探测技术发展中的地位和获得广泛应用的原因,及其在未来红外探测技术发展中面临的挑战。     

半导体桥芯片性能影响因素的研究

为解决半导体桥工程应用中出现的问题,根据半导体桥作用机理,对影响半导体桥芯片性能的因素,如Si O2层厚度、电极材料及厚度、桥区形状等进行了实验研究和分析,并提出工艺控制措施。研究结果对半导体桥芯片的制作技术具有参考意义。     

KENIS导引头采用第三代红外阵列技术

据Helmoed-Romer Heitman报道,丹尼尔的Kentron分部已经为他们自己的MUPSOW这样的远距导弹研制出一种红外成像导引头。KENIS的这种模块式导引头可以使用大型红外焦平面阵列(FPA)探测器或288×384元二维探测器阵列,也可以使用白天CCD TV摄像机。自动跟踪器可进行末段目标跟踪,自动目标识别(ATR)可用于自主的“发射后不管”作战并有飞行员干预方式作为备用。新型导引头长625mm     

化合物半导体/SiO2纳米复合薄膜的研究现状

半导体／介质镶嵌纳米复合薄膜具备准零维量子点的特征,这类材料具有三阶光学非线性系数大,响应快,功耗低等特点,在光开关、光存储及全光逻辑运算等领域有着广阔的应用前景。对半导体／介质镶嵌纳米复合薄膜的主要制备方法-射频磁控共溅射法的基本原理及技术特点作了概要介绍。从镶嵌于介质中半导体纳米颗粒非线性光学性质的研究动态入手,分类评述了化合物半导体/SiO2纳米复合薄膜近年来的研究状况,指出了这类复合薄膜的研究重点和发展方向。     

导弹焦平面阵列导引头

介绍一种造价相对低、高分辨率精确目标探测和能适用于非旋转弹道导弹等或其类似武器上的跟踪系统。该系统含有一个红外成像敏感头，能较好地进行万向安装，并且使用了一个可在周围环境温度下工作，密集封装，敏感红外电磁辐射的二维焦平面阵列传感器。此阵列适用在凝视模式下工作，且具有一定的热稳定性。其信号处理电路具有稳定自校准非均匀性补偿的处理能力。它与高速、高分辨率、实时图像处理系统相结合，提取目标特征，在识别、跟踪及控制系统中进行图像处理，从而鉴别、瞄准和起动跟踪，直至命中所选定的目标     

增强混成式焦平面器件互连芯片可靠性的几点措施

主要讨论了互连及后继工序对互连芯片的要求,以及提高五连芯片可靠性的几点措施,如重熔原理与方法、互连参数选择、聚胺树脂填充等。文中所采用的红外器件为InSb面阵芯片,CMOS读出电路制作在Si材料上。     

二维阵列红外传感器

随着技术的进步,近几年对红外摄象装置的要求越来越高,为适应这种要求,开发出了一种二维阵列式的受光元件。这种二维阵列型式的器件作为军用的优点很大,故美国与欧洲各国都在积极地研究。     

导弹结构材料的应用预测

导弹结构材料的应用预测导弹用结构材料主要有铝合金、合金钢、钛合金和复合材料等。这些材料各有特征，既可单独使用，也可与热防护系统一起使用。导弹用结构材料的特征如表所示。图１所示为防热用结构材料。在选择导弹结构材料时，首先要明确导弹的飞行时间和由气动加热...     

一种矩形口径三角网格平面阵列的方向图数值优化方法

本文采用差分进化算法优化矩形口径三角网格平面阵列的幅度加权,使阵列方向性满足副瓣电平和零陷电平等设定指标。将阵列的二维方向性视为水平向和垂直向两个相互独立分量的乘积,相应地将优化矢量由二维矩阵变成两个一维矢量相加,明显缩短了优化矢量的长度。同时,限定水平向和垂直向优化矢量关于中心点对称,以大幅减少优化迭代次数。仿真结果证明,本文算法能够快速有效地优化出合适的幅度加权,从而得到副瓣电平和零陷电平满足指标的二维方向图。     

固态焦平面阵列提高了IR传感器的性能

一、肖特基势垒阵列特性红外传感器在目标搜索、定位、识别及截击等战术和战略武器系统中的作用与日剧增。这些传感器能以被动方式工作,也能与激光照射器配合使用,能够提供出空前的处理速度和精度及抗干扰能力。为提高这些系统的工作性能及经济效益,目前固态焦平面阵列的研制工     

LADAR／IR成像导引头技术

德国Diehl BGT防御(DBD)公司正在研制一种用于扩展防空(EAD)和弹道导弹防御(BMD)的小型双模导引头,这种导引头具有自主制导、目标探测和分类/识别等功能.这种双模传感器是由红外(IR)和激光雷达(LADAR)两种高速成像传感器组成的。文章介绍这种双模传感器方案以及目前研制情况,详细描述了关键部件,如小型激光源、用于图像平面取样的光纤阵列以及按波长选择的红外光速分离器.采用一个可以验证系统性能的导引头实验 装置,可完成单光点和3D-LADAR测试.     

双基地多输入多输出雷达收发四维角联合估计

基于收发分置双L型阵多输入多输出雷达,提出了利用阵列接收数据的互相关去噪特性,进行目标辐射源收发四维角高精度联合估计的新方法。通过对匹配滤波后的阵列接收数据进行重构和互相关操作,可有效消除空间噪声影响,提高角度测量精度。将收或者发二维角的联合估计转化为两个一维估计,且只需对低维度矩阵进行特征分解,减轻了运算负担。利用特征值求取收或者发俯仰角,利用相应的特征向量构造出的虚拟阵列响应矩阵求取与其自动配对的收或者发方位角。仿真实验表明,该算法以较低的运算复杂度,实现了对空域多目标收发四维角的准确估计,估得的收或者发二维角能够自动配对,在低信噪比和短采样数据情形下,具有优良的角度估计性能。     

休斯公司正在发展先进的紅外导引头

美国休斯飞机公司正在发展先进的红外导引头将会改善未来空地导弹和制导炸弹的使用范围和准确度。为了验证先进的红外成象,休斯公司正在生产一种焦平面阵列(FPA)扫描导引头。传感器和环形钮扣一样大,它的一侧是微小的红外探测器,另一侧是相当数量的信