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任意光强和温度下的硅太阳电池非线性工程简化数学模型 总被引:8,自引:0,他引:8
建立太阳电池数学模型对于太阳电池的特性研究、光伏发电系统的数字仿真和优化设计等具有非常重要的意义.基于硅太阳电池的理论数学模型,忽略一些次要因素的影响得到其非线性工程简化数学模型.该模型仅利用太阳电池生产厂商提供的在标准测试条件下的4个电气参数(Ⅰsc,Ⅴoc,Ⅰm和Ⅴm),且通过引入相应补偿系数来考虑太阳光强和电池温度任意变化时对输出电气特性的影响.利用matlab/simulink模块搭建了仿真模型,将模型仿真结果与实际太阳电池阵列的实验测量结果进行比较,结果表明,该模型的误差一般都在工程允许的6%以下,达到工程应用精度要求. 相似文献
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一、引言硅高效太阳电池的转换效率自1983年的17%,提高到1990年的24%效率的快速发展主要是在两个方面有了重大改进。一是在设计中采用了光陷井技术,利用化学腐蚀的方法形成微型槽(μ-groove)或倒金子塔形状(Inverted Pyramid)的结构,增加了短路电流密度(Jsc)。二是改进了制造工艺技术,在制造过程中采用高载流子寿命的TCA氧化工艺,减少了光生载流子的表面复合速率。这样不但增加了短路电流密度(Jsc),同时也提高了开路电压(V_∝) 相似文献
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PERL硅太阳电池的性能及结构特点 总被引:2,自引:1,他引:2
报道了PERL硅太阳电池的研制结果,在AM1.5、25℃条件下,电池效率η=23.76%。阐述其结构设计上的主要特点,并分析了高性能的机理。 相似文献
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将Si3N4与Si粒混合,在单晶炉或快速热退火炉中分别集装熔化法或平铺熔化法,制备太阳电池用硅珠,试验了不同工艺条件对硅珠品质的影响,并制作了硅珠太阳电池(组件)。 相似文献
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非晶硅太阳电池是在衬底材料上依次沉积透明导电层、非晶硅层、蒸镀金属膜,最后加上保护涂层制成的. 哈尔滨—克罗拉太阳能电力公司生产的非晶硅太阳电池,其结构如图1所示,生产工艺流程为:玻璃 相似文献
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TDB—100硅太阳电池仿真及P—V特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用多项式数学模型对TDB-100硅太阳电池实测I-V数据进行拟合,可得到电池的实验模型,该模类具有很高的精度。运用这个模型对P-V特性进行分析,并根据电池的光照及温度特性,将该模型进行扩展,得到了电池的预计模型。 相似文献
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通过比较蒸发铯和浸渍铯在MIS/IL硅太阳电池中所引入的铯量、固定正电荷量、界面态密度和对太阳电池表面面电阻的影响,以及测量上述诸量和太阳电池的主要参数经紫外辐照后的变化,并从表面能带的角度分析了引入铯对太阳电池的紫外辐射稳定性的影响,解释了在MIS/IL硅太阳电池中引入铯使该器件耐紫外辐射性能提高的原因。 相似文献
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A simple model for the photovoltaic processes in a diffused base silicon solar cell is presented. The practical profiles of impurity concentration are taken into account by using the method of integration by piecewise exponential approximations. The realistic variation of mobility and built-in field are considered. Such parameters of solar conversion as short circuit current, open circuit voltage and conversion efficiency are computed. Results show that these parameters are are sensitive functions of the impurity distribution in the graded base and the recombination velocity at the surface of the diffused layer. The model holds promise of its application for parametric study and optimization of the solar cell configuration. © 1997 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
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晶体硅太阳电池选择性扩散的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
该文主要介绍一种制造太阳电池的选择性扩散新工艺,采用印刷电极的方法在硅片上的电极位置印刷高 磷浆料,然后在整个硅片表面喷涂一层浓度较低的磷源,放入高温炉中扩散后形成电极下具有较高的表面掺杂浓 度(-1020/cm3),电极间具有相对较低的表面掺杂浓度(-1019/cm3)。这样在电极下及具附近将构成一个浓度差结。 这种发射极结构有利于减小发射区复合电流、提高短波响应、作好欧姆接触和提高太阳电池的开路电压等优点。 相似文献
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高效单晶硅太阳电池的研制 总被引:4,自引:2,他引:4
简述了高效单晶硅太阳电池的初步研制结果。对电阻率不同的CZ和FZ材料和不同的电池结构进行了实验。为了提高效率,对发射区钝化工艺、分区轻(n^+)重(n^++)扩散、背场、表面织构化技术和氯清洗等工艺进行试验研究。目前制备的最好电池,其效率为18.63%。 相似文献
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硅纳米线阵列太阳电池的性能分析 总被引:1,自引:0,他引:1
采用金属催化腐蚀法分别在(100)和(111)硅片表面制备出大面积垂直排列和倾斜排列的单晶硅纳米线阵列,垂直阵列在300~1000nm波段的平均反射率约为2.5%,倾斜阵列在该波段的平均反射率约为5%。基于垂直阵列和倾斜阵列制作的硅纳米线阵列太阳电池的最高转换效率分别为9.31%和11.37%。倾斜阵列电池的串联电阻比垂直阵列电池有所减小,使电池填充因子增大,性能有所提升。载流子复合是硅纳米线阵列太阳电池中电学损失的主导,使电池性能明显低于常规单晶硅电池。 相似文献
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提出一种采用铬的硅化物/铝的双层背电极的新型非晶硅PIN太阳电池结构。研究了铬的硅化物的特性和具有双层背电极非晶硅PIN太阳电池的热稳定性。金属硅化物能有效地阻档两侧铝原子和硅原子的相互热扩散,从而可大大改善非晶硅太阳电池的热稳定性。 相似文献
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热退火对太阳电池用多晶硅特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
对多晶硅片进行三步退火处理,用傅里叶红外光谱仪(FTIR)和准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测硅片退火前后氧碳含量及少子寿命,并对单晶硅片做同样处理进行比较。实验发现:经三步退火后,多晶硅比单晶硅氧碳含量下降的幅度大,这表明多晶硅内部形成的氧沉淀多,其体内的高密度缺陷如晶界、位错等对氧沉淀的形成有促进作用。多晶硅与单晶硅少子寿命大大提高,可能是由于高温退火后晶体内部形成氧沉淀及缺陷的络和物可以作为电活性杂质的吸除中心,从而减少了分散的载流子复合中心,提高了硅片的少子寿命。变化趋势的不同与晶体内部结构有关。 相似文献