晶体硅粒太阳电池的硅粒层研究

为降低太阳电池的制造成本,设计了一种新颖的太阳电池－硅粒太阳电池。采用淮相外延方法,成功地在劣质单晶硅片上生长出粒度均匀,大小适宜,排列整齐和光电特性优良的单晶硅粒。报道了该单晶硅粒的生长方法,生长动力学以及硅粒层的形貌的一些半导体特性。     

一种新型锗硅混晶异质结构太阳电池的设计与理论分析

为减少通常锗硅混晶太阳电池的异质界面复合及窄能隙引入的体内复合增强,提出了一种新型结构锗硅混晶太阳电池模型。对反映电池内光生少子运动的参数及物理过程及物理过程分析后得出该模型少子连续方程,计算结果表明,该电池模型,在优化条件下即能减少高浓度锗导致的复合增强,又能拓宽长波光谱响应。计算预测的最佳转换效率为17．2％。     

高效单晶硅太阳电池的研制

简述了高效单晶硅太阳电池的初步研制结果。对电阻率不同的ＣＺ和ＦＺ材料和不同的电池结构进行了实验。为了提高效率，对发射区钝化工艺、分区轻（ｎ＾＋）重（ｎ＾＋＋）扩散、背场、表面织构化技术和氯清洗等工艺进行试验研究。目前制备的最好电池，其效率为１８．６３％。     

硅太阳电池稳步走向薄膜化

考察了硅太阳电池在光伏产业中所处的地位,分析了薄膜硅太阳电池的发展趋势。指出硅太阳电池在未来15a仍将保持优势地位,并继续沿着晶硅电池和薄膜硅电池两个方向发展。在此发展过程中,两个发展方向的主流很可能会汇合到一起,共同促使低成本、高效率、高可靠薄膜晶硅电池的诞生和产业化,从而继续保持硅太阳电池的优势地位。     

硅薄膜太阳电池制备技术发展概况

薄膜太阳电池是缓解能源危机的新型光伏器件。作为应用最为广泛的硅基薄膜太阳电池,本文主要总结硅薄膜电池的制备工艺和制备方法,讨论了不同陷光结构对太阳电池性能的影响,介绍了最新高效太阳电池的制备方法,并展望硅薄膜太阳电池的发展趋势。     

什么是太阳电池

太阳电池是一种能够将光直接转换成电能的半导体器件，它是以光生伏打效应（简称光伏效应）为基础制备的，某些材料（在气体液体和固体）吸收了光能之后具有产生电动势的效应，在固体中，尤其是半导体中光能转换为电能的效率特别高。硅太阳电池是最常用的太阳电池。硅是一种半导体材料，具有４个价电子，当把具有３个价电子的元素作为杂质掺入硅中，就形成了P型半导体。由于掺入的杂质比硅少一个价电子，相当于１个空穴，这种杂质称为受主杂质。在P型半导体中，空穴起导电作用，是多数载流子，与空穴的数量相比，电子是少数载流子。P型半…     

新型非晶硅太阳电池

论述了新型非晶硅太阳电池的发展，介绍了See-Through Amorton半透明太阳电池、a-Sic激活层半透明太阳电池，弱光太阳电池，不透明柔性衬底太阳电池，透明柔性衬底太阳电池及导电聚合物柔性衬底太阳电池的特性，并且介绍了国内新型非晶硅太阳电池的研究成果及应用。     

一种减少太阳电池细栅遮挡的光伏玻璃设计及其对太阳电池转换效率的影响分析

设计一种表面压花的光伏玻璃以减少太阳电池细栅遮挡.该光伏玻璃设计可适应入射角变化范围为0°～23.5°的情况,为无太阳追踪功能的太阳电池实现减少细栅栅线遮挡效果提供解决方案.对一种栅线设计情况下的光伏玻璃压花设计、厚度要求进行探讨,并采用TracePro软件对减遮挡效果进行光学仿真实验.针对光学仿真实验中光强分布情况,...     

硅基薄膜太阳电池（一）

概述了硅基薄膜太阳电池所涉及的关键材料及其结构、电学和光学特性,同时结合高效率电池发展的趋势,对多结硅基薄膜太阳电池的结构设计、子电池带隙选择和影响其效率的隧穿结和陷光等方面进行了深入阐述,拟为获得高效率的硅基薄膜多结电池提供一定的技术资料。     

多孔硅在多晶硅太阳电池上的应用

在化学法制作的多孔硅的硅片上制备得到５ｃｍ×５ｃｍ太阳电池，效率为９．６％。对多孔硅进行了萤光光谱及反射率测量，并对多孔硅在太阳电池上的应用进行了讨论。     

晶体硅太阳电池钝化工艺的研究

采用热氧化法在多晶硅及单硅大面积太阳电池上生长二氧化硅钝化膜,结合丝网印刷制电极及二氧化钛减反射膜工艺,使太阳电池的扩散长度及效率得到改进。也进行了在多晶硅太阳电池上采用等离子沉积法制作氮化硅减反射膜的研究。     

晶体硅太阳电池丝网印刷电极接触电阻及其测量

金属电极与硅的接触电阻是影响太阳电池填充因子和短路电流进而影响光电转换效率的重要因素之一，本文研究了晶体硅太阳电池丝网印刷烧结银电极与硅接触电阻及其测量。判断印刷烧结工艺的好坏。应在保证p／n结特性良好的前提下使接触电阻最小为最佳。     

快速汽相沉积法制备硅薄膜太阳电池

对在重掺杂抛光单晶硅衬底上用ＲＴＣＶＤ法形成硅薄膜太阳电池进行了研究。衬底为〈１００〉晶向ｐ＋ ＋ 型重掺硅片,电阻率为５×１０－ ３Ωｃｍ 。主要工艺过程为：在衬底上生长一层硅薄膜同时掺硼,膜厚３８μｍ ,扩磷制备ｐ－ｎ 结,背面蒸Ａｌ及Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ 制背电极,正表面在扩散后生长一层ＳｉＯ２ ,前面用光刻剥离法制备Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ 电极,制成的１ｃｍ ２ 太阳电池,开路电压ＶＯＣ＝ ６１２．８ｍ Ｖ,短路电流ＩＳＣ＝ ２９．３ｍ Ａ,填充因子ＦＦ＝ ０．７５７９,效率η＝ １３．６１。对一些影响电池特性的因素进行了研究,发现硅薄膜的掺杂浓度、发射层的掺杂浓度以及减反射层都对太阳电池的特性有较大影响。     

聚合物衬底非晶硅太阳电池的研制

报道了高透过率、耐高温聚酰亚胺薄膜的制备方法和性能。以该膜为基体制成的柔性衬底非晶硅太阳电池，转换效率达４．６３％，重量比功率达２３１．５ｍＷ／ｇ。     

硅珠的形成及太阳电池（组件）

将Ｓｉ３Ｎ４与Ｓｉ粒混合，在单晶炉或快速热退火炉中分别集装熔化法或平铺熔化法，制备太阳电池用硅珠，试验了不同工艺条件对硅珠品质的影响，并制作了硅珠太阳电池（组件）。     

硅纳米线阵列的制备及其光伏应用

采用金属催化化学腐蚀方法在单晶硅片表面可以制备出大面积排列整齐、与原始硅片取向一致的硅纳米线阵列,得到的硅纳米线单晶性好、轴向可控且掺杂浓度不受掺杂类型和晶向的影响。基于此,我们成功制备了大面积硅纳米线p-n结二极管阵列。此外,硅纳米线阵列结构具有优异的减反射性能,探索了其在太阳电池中的应用。目前初步研制出了基于硅纳米线阵列的新型太阳电池,获得了最高为9.23%电池效率。同时也研究了限制硅纳米线阵列太阳电池转换效率的主要因素,为以后的应用做了前期的探索工作。     

离心铸造太阳电池硅片液态成形机制的研究

为了将离心铸造技术成功地移植到低成本超薄多晶太阳电池硅片的成形工艺上，提出了ＥＬＣＣ技术的硅片液态成形方法，即将铸模型腔预热至硅熔点以上温度，过热的硅液被浇注到型腔后，在离心力的作用下始终保持液态充型。这种成形机制易于实现厚度小于１ｍｍ的硅片的完整成形，而且对模具转速、硅液过热度等要求较低。采用该方法，硅片的成形与结晶不会同时发生，可以在硅片液态成形后，采用定向凝固的方法获得粗大的定向柱晶组织，提高硅片的光伏性能。采用理论分析、计算机模拟与工艺实验相结合的方法，对ＥＬＣＣ技术硅片液态成形机制进行了研究，为进一步对硅片凝固过程组织控制的研究奠定基础。     

硅太阳电池用UV/IR截止滤光膜系设计

根据光学薄膜原理,编制出计算机程序。在太阳电池封装玻璃的上、下表面分别设计出红外(IR)截止的带通滤光膜系A|[1.05(LMHML)](LMHML)6[1.15(LMHML)]1.15L| G和紫外(UV)截止的带通滤光膜系G|H/2LH/2|7s。透射曲线表明:这两种带通滤光膜系对于不同波长的光有着很好的选择性透射,IR截止滤光膜系能够使波长大于1120nm的大部分光在到达电池表面前就被反射,UV截止滤光膜系能够使得波长小于350nm的光在到达电池表面前几乎全部被反射掉。同时,350nm<λ<1120nm的光的入射几乎不受影响,加权平均透射率为97.49%。