16O6+辐照诱导的人肝癌细胞DNA双链断裂及其修复

用倒转脉冲场凝胶电泳（ＰＩＧＥ）研究了３．１７ＭｅＶ／ｕ＾１６Ｏ＾６＋诱导的肝癌细胞ＤＮＡ双链断裂（ＤＳＢ）及其修复效应。结果表明：ＤＳＢ的诱导与辐照剂 量呈正相关,其产额为０．４３ＤＳＢｓ／１００Ｍｂｐ：Ｇｙ,与＾６０Ｃｏγ射线相比相对生物学效应为１．６９。ＤＳＢ片段重接一半所需要的时间（ｔ１／２）剂量有关,剂量越大,ｔ１／２越长。重接的方式主要表现为小片从而连接为较大的片段。     

5.0MeV和9.5MeV快中子辐照在GaAs中产生的辐射损伤的正电子湮没研究

采用正电子湮没寿命测量方法研究了５．０ＭｅＶ和９．５ＭｅＶ快中子辐照在ＧａＡｓ中产生的辐射损伤，实验结果表明１０＾１１－１０＾１２ｎ／ｃｍ＾２注量的中子辐照只产生单空位缺陷１０＾１３ｎ／ｃｍ＾３注量的中子辐照产生单空位和双空位缺陷，１０＾１２ｎ／ｃｍ＾２注量的９．５ＭｅＶ中子辐照的ＧａＡｓ经４５０－６２０℃退火产生三空位缺陷，产生的缺陷浓度随中子能量和注量的增大而增大，但缺陷产生率对中子注量更灵敏     

25MeV／u ^40Ar^14＋辐照肝癌细胞的生物学效应

讨论了２５ＭｅＶ／ｕ ＾４０Ａｒ＾１４＋对培养的肝癌细胞ＳＭＭＣ－７７２１的生物学效应。结果表明：辐照后的癌细胞中出现多种染色体畸变类型，微核率比对照高得多，肝癌细胞的辐射受损程度与剂量呈正相关性，分次照射时，修复机制被逐渐激活，等剂量辐照的细胞损伤程度随辐照次数的增加而减轻。     

50MeV/u12C6+离子辐照B16细胞氧效应研究

实验以体外培养的小鼠Ｂ１６黑色素瘤细胞为材料,在５０ＭｅＶ／ｕ ＾１２Ｃ＾６＋离子的展宽Ｂｒａｇｇ峰区辐照细胞,得到的结果是这种离子的ＯＥＲ值为１．２５。说明这种能量的离子具有低的氧效应。     

75MeV／u^16O离子在辐照生物实验区产生的中子角分布

应用Ａｌ为阈探测器对７５ＭｅＶ／ｕ＾１６Ｏ离子在辐照生物研究区产生的Ｅｎ〉６ＭｅＶ中子的角分布进行了实验测量，以了解辐照生物实验区的中子分布情况，为进一步开展的重离子冶癌研究提供辐射防护的实验数据。实验结果表明实验区产生的中子具有明显的前冲分布。     

裂变快中子辐照在GaAs中产生缺陷的正电子湮没研究

采用自电子湮没寿命测量方法研究了注量为６．５×１０＾１５／ｃｍ＾２和１．４×１０＾１４／ｃｍ＾２，Ｅｎ≥１ＭｅＶ的裂变中子辐照在掺Ｓｉ，Ｎ型单晶ＧａＡｓ产物的缺陷，此辐照在ＧａＡｓ中产生单空位和双空位缺限，缺陷浓度于比于辐照注量，高温退火产生三空位缺陷及小空位团，单空位，双空位和三空位缺陷的退火温度分别为２５０，４５０，６５０℃。     

人肝癌细胞受重离子照射后的微核及存活的动态观察

研究了２５ＭｅＶ／ｕ＾４０Ａｒ＾１４＋辐照人肝癌细胞ＳＭＭＣ－７７２１的微核及存活的动态变化，结果表明：单次照射与分次照射的微核率随时间的变化规律没有明显区别。受辐照肝癌细胞的生长明显低于对照，而且随培养时间的延长，癌细胞的存活数表现出衰减趋势，微核率与细胞存活数关系的动态变化为负相关性。０．６８、６．８和６８Ｇｙ辐照的细胞，培养２４ｈ的微核率比培养９６ｈ的微核率低，培养２４ｈ和４８ｈ的肝癌细胞的     

一种实验炼钢渣的穆斯堡尔谱研究

一种实验炼钢渣不同炉次样品的室温透射穆斯堡尔谱由两组裂距较大的四极分裂双峰和一组裂距较小的双峰组成，它们分别相应于具有不同微观环境的Ｆｅ＾２＋和Ｆｅ＾３＋。参照文献中已知ＦｅｘＯ的穆斯堡尔谱数据，可确定该渣中的主要含铁相为ＦｅｘＯ。Ｘ射线衍射相分析给出相同的结果。按亚谱的面积比计算出Ｆｅ＾２＋和Ｆｅ＾３＋的相对含量分别为８５％和１５％左右。进一步选取与样品晶体结构相联系的原子簇模型。用ＭＳ－Ｘａ方     

85 MeV19F离子辐照InP正电子湮没研究

用正电子湮没寿命技术研究了注量为１．６＊１０＾１６ＣＭ＾－２Ｒ ８５ＭｅＶ＾１９Ｆ离子辐照ＩｎＰ产生的辐照效应。实验表明辐照在ＩｎＰ中产生单空位型缺陷。     

44GeV ^12C＋Cu核反应释放中子的能谱测量

描述了用核乳胶反冲质子法及＾１２Ｃ（ｎ，ｎ’）３α核反应法测得的４４ＧｅＶ ＾１２Ｃ＋Ｃｕ核反应释放的中子能谱，并将实验结果与Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ模拟结果进行了比较。     

高能重离子诱发核反应中灰粒子产生

采用ＥＭＵ０１国际合作组的原子核乳胶为探测器,系统地研究了能量为１４．６,６０,２００ＧｅＶ／ｕ的＾１６Ｏ核,２００ＧｅＶ／ｕ的＾３２Ｓ诱发核反应产生的灰粒子平均多重数及角分布,以描写相对论性核－核碰撞的ＬＵＣＩＡＥ模型为基础,进行ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟的结果与实验数据一致。     

热中子辐照提高掺硼YBaCuO超导体Jc的研究

掺杂天然硼的熔融织构生长（Ｍｅｌｔ－ｔｅｘｔｕｒｅｄＧｒｏｗｔｈ）的ＹＢｘＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ（ｘ＝０．０１５,０．０３５）超导体经注量为５＊１０＾１７ｃｍ＾－２的热中子辐照后,磁临界电流密度Ｊｃ增至３．８倍。＾１０Ｂ（ｎ,α）＾Ｌｉ、＾７Ｌｉ＊（Ｑ＝＋２．７９ＭｅＶ）核反应出射的高能粒子能在超导体中产生均分布的,可以作为磁通钉扎中心的辐照伤,以便提高Ｊｃ。掺硼超导体热中子辐照后射性副产物的半衰期较短     

高能氩离子在钇铁石榴石中引起的非晶化研究

用倾斜样品Ｘ射线学和饱和磁化强度测量，研究了９６０ＭｅＶ氩离子在多晶钇铁石榴（ＹＩＧ）Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２中引起的非晶化过程。分析结果表明，９６０Ｍｅ氩离子辐照引起ＹＩＧ晶态→非昌态转变是一个逐渐的过程，在这个过程中电子能损起主导作用但也需要一定的辐照剂量。     

中能重离子与^natW相互作用中Hf的同位素分布

用放射化学方法测量了４０ＭｅＶ／ｕ＾４０Ａｒ，１０＼６５ＭｅＶ／ｕ＾８４Ｋｒ，８０ＭｅＶ／ｕ＾１６Ｏ，１３５ＭｅＶ／ｕ＾１２Ｃ＋＾ｎａｔＷ反应中Ｈｆ的生成截面，得到了Ｈｆ的同位素分布。研究表明，利用ＨＩＲＦＬ能量的重离子和丰中子重靶作用，能以一定的截面生成Ａ＞１７０区丰中子新核素，Ｎ／Ｚ值高的炮弹有利于丰中子核素的生成，过高的炮弹能量对丰中子新核素的生成没有贡献。     

高能离子注入对聚酰亚胺薄膜硬度的影响

报道了聚酰亚胺薄膜在高能（６５０ｋｅＶ－２ＭｅＶ）Ｂ＾＋、Ｃ＾＋和Ｃｕ＾＋离子注入后硬度的变化。对注入样品进行了显微硬度测量和ＸＰＳ及ＲＢＳ分析，观察了硬度与离子种类、能量及注入剂量的依赖关系。结果表明，离子注入之后薄膜样品的显微硬度值明显提高，注入离子在样品中的电子能量损失对聚合物材料改性起着关键作用。ＸＰＳ和ＲＢＳ分析显示，离子注入之后聚酰亚胺薄膜中Ｃ的含量增加，形成了以苯环结构为主的新的交联     

自制SnO2·xH2O对68Ge-68Ga发生器吸附性能的影响

用自制的ＳｎＯ２·ｘＨ２Ｏ经热处理后作为＾６８Ｇｅ－＾６８Ｇａ发生器的吸附剂,用模拟试验的方法研究了Ｇｅ的吸附与Ｇａ的淋洗。结果表明,自制ＳｎＯ２·ｘＨ２Ｏ对Ｇｅ有较好的选择吸附性能,２．０ｍＬ０．１ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ溶液对＾６８Ｇａ的淋洗效率可达８８％。     

重离子束箔VUV光谱实验系统的改进

介绍了改进后的兰州重离子束箔ＶＵＶ光谱学实验装置、数据获取和单色仪协调控制系统。给出了利用改进后的系统在ＨＩＲＦＬ上由ＳＦＣ提供的４７ＭｅＶ的Ｎｅ＾４＋离子打碳箔（３９μｇ／ｃｍ＾２）的实验结果，并讨论了进一步提高整个系统运行效率的可能性。     

中能^12C离子反应中^7Be的生成

在最高能量为４７ＭｅＶ／ｕ的＾１２Ｃ离子和Ｍｙｌａｒ、天然铜或＾９３Ｎｂ相互作用中，用离线γ能谱法测量了＾７Ｂｅ的放射性活度，观察到的＾７Ｂｅ起源于入射＾１２Ｃ炮弹的碎裂和靶碎裂两种过程。估计＾７Ｂｅ的产额为１．１×１０＾７Ｂｑ／μＡ·ｈ（单位中的μＡ是粒子μＡ），讨论了利用中能重离子反应生产＾７Ｂｅ以及其它放射性核素的可能性。     

Fe^3＋—Vc体系的穆斯堡尔研究

用穆斯堡尔方法研究了Ｆｅ＾３＋－Ｖｃ体系中铁离子的价态及冻干粉末中Ｆｅ＾２＋与大颗粒晶体中Ｆｅ＾２＋的差别。结果表明：Ｆｅ＾３＋－Ｖｃ溶液结晶后，大颗粒晶体中还原得到的Ｆｅ＾２＋未被空气氧化，但Ｆｅ＾２＋有２种配位环境，数量比为２：３；冻干粉末中Ｆｅ＾２＋绝大部分未变成Ｆｅ＾３＋，自然升温冻干的粉末中以其中一种配位环境为主，而控温冻干测以另一种配位环境为主。     

萃取法制备无载体68Ge的工艺研究

研究了在Ｃｙｃｌｏｎｅ－３０回旋加速器上利用核反应＾６９Ｇａ（ｐ，２ｎ）＾６８Ｇｅ制备无载体＾６８Ｇｅ的工艺条件，并研制成生产＾６８Ｇｅ的半自动化装置，提出了一种固体靶制备方法，靶材料为Ｇａ４Ｎｉ合金，质子能量Ｅｐ＝２０ＭｅＶ，辐射过的靶子用硝酸溶解，然后通过液液萃取系统分离＾６８Ｇｅ，经热实验验证＾６８Ｇｅ回收率〉９１％。