CdTe核辐射探测器及其极化效应

为寻找高分辨率、高效率的室温γ、X射线探测器,克服Si(Li)、Ge(Li)探测器只能在液氮温度下工作的缺点,人们对用化合物半导体材料(如CdTe、GaAs、HgI等)制备核辐射探测器产生了浓厚兴趣。由于它们的平均原子序数较高,禁带宽度较大,对γ或X射线的阻止本领大,能在较大的温度范围内工作,即使在室温下也有较高的探测效率和分辨率。     

碘化汞核辐射半导体探测器

由于硅(锂)和锗(锂)探测器都需要在液氮温度下保存和工作,因此人们集中发展了原子序数高的、能在室温下工作的半导体探测器。现在主要研究的室温半导体化合物探测器有砷化镓、碲化镉和碘化汞。HgI_2是七十年代发展起来的一种新型室温核辐射探测器。由于它具有很高的原子序数和较大的禁带宽度,因而它的光电吸收截面大、探测效率高、能在常温下工作,体积小,使用方便。它可探测的能量范围较大,但更适合于探测能量在几个keV至150keV的X射线和γ射线。在医学生物学、放射性监测、野外探矿、能谱分析等方面有     

高阻NTD硅低能β,γ和X射线探测器

本文叙述了高阻NTD硅低能β,γ和X射线探测器的制备工艺和性能,探测器的灵敏面积为15mm~2,厚2.3mm。在77K温度下用脉冲光反馈前置放大器对最大端点能量为18.6keV的氚β,~(241)Am 59.5keV的低能γ和X射线的能谱及~(55)Fe 5.9keV的X射线进行了测量。对~(55)Fe 5.9keV的X射线能量分辨率为190eV,并可在室温下存放。     

几种NaI(Tl)X射线探测器的探测极限比较

目前,半导体探测器、正比计数器、闪烁探测器都较广泛地用于探测X时线和低能γ射线。Nal(Tl)闪烁探测器的探测效率高,但能量分辨率差(对221 eV的X射线分辨率约为30％)。当被测样品中所含核素不多而能量又相差较大时,选用薄Nal(Tl)闪烁探测器还是合适的。     

用半导体探测器测量1.5-60keV的X射线

本文阐述X射线能谱测量用的半导体探测器,对硅与锗X射线探测器进行了比较。扼要介绍了X荧光分析用的探测器的制备方法和性能,分析了影响探测器效率的因素。实际量测了1.5-60keV的X和低能γ射线。对于能量>5keV的X射线,探测效率用~(241)Am源刻度,<5keV时,用玻璃荧光源测量窗吸收及其他效率损失的标准技术。测量结果与文献发表过的数据进行了比较。     

平面型CZT探测器对中低能γ射线的响应

在X、γ射线的探测和应用领域，为得到一种可在室温下工作、对X和γ射线探测效率高、能量分辨好、可作为成像应用时图像清晰的探测器，人们对许多材料进行了研究比较。CdZnTe探测器与Si、Ge半导体探测器相比，优点：1）禁带宽带宽，可在室温下工作；2）原子序数高，密度高，对X，γ射线有较高的阻止（吸收衰减）本领，探测效率高；3）电阻率高、漏电流小、噪声低。     

Ge(Li)γ射线探测噐的研制

高分辨率Ge(Li)γ射线探测器有两个固有的缺点:一是锂的迁移率太大,探测器必须长期保存在液氮温度,其次是锂离子漂移过程很长。为了得到在室温下稳定的Ge探测器,进行了大量的探索。在高纯Ge问世之前,1964年采用γ射线在Ge中产生受主缺陷来补偿N型Ge的方法构成辐射型Ge探测器[简称Ge(γ)探测器]。这种探测器在室温下是稳定的,工艺周期短并有薄的入射窗。有些实验室还得到了能量分辨率高达(0.5—0.2)％(γ射线能量为662keV)的Ge(γ)探测器,并构成     

半导体探测噐国外近况简介

自从锗(锂)、硅(锂)半导体探测器在六十年代发展起来后,国外对其基本性能已研究得比较清楚,此类器件的制备工艺已臻完善,前几年已进入商品生产阶段,这里不多介绍。下面就其它几方面的新发展,简介于下: 随着高纯锗单晶制备成功,1970年国外制出了第一个高纯锗探测器。由于它比锗(锂)探测器制备工艺简单得多,可在室温储存,既可探测X、γ射线,又适用于带电粒子的探测,因此近年来高纯锗探测器(包括平面型和同轴型)得到了迅速发展。     

一种监测低能X射线的Si探测器

低能(50keV以下)光子探测器广泛应用于外大气层核爆监测,天体物理现象研究。采用半导体探测单元试制了低能X射线探测器模块。说明了配置多探测器系统的方法,并介绍了探测单元模块的设计、主要试验和技术指标。室温下噪声等效输入光子能量为2.1keV。     

密闭式电热增压液氮自动注入器

HPGe,Si(Li)及Ge(Li)等半导体探测器有良好的能量分辨率,已广泛用于γ、X射线谱的分析。这类探测器不仅要在低温下工作,有的还需要在液氮温度下保存。因此,定期地向低温恒温器内充液氮是采用这类探测器后     

室温半导体探测器的发展和应用

重点阐述了室温半导体核辐射探测器的发展和现状,详细讨论了常见化合物半导体探测器材料的性能指标、应用范围和进展情况,简单介绍了新型Si半导体探测器的进展情况。旨在为读者选择、使用室温半导体探测器提供参考。     

高纯锗核辐射探测器

本文综述X和γ射线能谱分析用的高纯锗探测器,阐述探测器对原始材料的要求,介绍制备、结构和性能参数,并与硅X射线探测器、锗锂γ射线探测器和碘化钠γ射线闪烁探测器进行了对比。     

一种新型半导体探测器的应用

介绍了一种测量X射线的Si-PIN电制冷半导体探测器,以及它在X射线谱分析中的应用。由于该探测器采用了电制冷方法,从而摆脱了传统的Si(Li)探测器在使用和保存时必须定期向其添加液氮的麻烦。     

一种可测低能γ和X射线的高纯n型硅探测器

采用蒸发金、钯和离子注入硼作势垒接触,低温扩散锂制备欧姆接触的方法,制成性能良好的低能γ和X射线高纯硅探测器。介绍其制作方法和性能。探测器有效面积为14.5mm~2,厚度3.3mm。在液氮温度下对~(55)Fe 5.9kev X射线的最佳能量分辨率为162eV,对~(241)Am59.5keV低能γ射线的最佳能量分辨率为373eV。同时对三种不同制作方法所得的高纯硅探测器和Si(Li)X射线探测器进行了对比。     

半球型CdZnTe核辐射探测器的制备与性能

CdZnTe半导体核辐射探测器具有较高的探测效率和较好的能量分辨率,可方便地应用于X、γ射线的探测,在环境监测、工业无损检测等领域具有很好的应用前景.CdZnTe探测器有多种电极结构,其中半球型结构在国内鲜有研究.该工作制备了体积为8 mm×8 m×4mm的半球型CdZnTe探测器,经测试,在室温条件下,其漏电流为nA级,对未经准直的241Am(59.5 keV)、57Co(122 keV)、137Cs( 662keV)γ射线的分辨率(FWHM)分别为6.96％、5.66％、3.92％,在连续使用的条件下具有较好的稳定性.     

小型CZT探测器测量浓缩厂铀富集度的实验研究

CZT（CdTe或CdZnTe）是一种新型化合物半导体探测器，用于γ射线能谱测量时，其能量分辨率介于HPGe探测器和NaI（T1）探测器之间。由于这种探测器具有体积小、重量轻、能在室温下长时间工作，易做成小型便携式测量装置等优点，因此，在核保障现场核查中得到了广泛应用。     

PIPS探测器对γ辐射特性的实验研究

介绍了钝化离子注入半导体探测器(PIPS),该探测器的γ辐射剂量原理.实验分析研究了探测器对γ的辐射特性,为射线仪器的研制提供了实验依据.     

N型碲锌镉探测器的制备和性能

碲锌镉(CZT)晶体由于原子序数高、禁带宽、密度大,制成低能γ射线和X射线探测器不需液氮冷却就能得到相当好的能量分辨率,且有相当高的探测效率,因此近年来发展迅速。我们实验室已制成φ8mm×1.7mm灵敏体积的CZT探测器,室温22℃下对241Am放射源59.54keV能量的γ射线能量分辨率可以达到2.06keV(FWHM)(未使用准直器),连续测量没有极化效应,并且具有很好的长期稳定性。     

用Ge(Li)γ射线谱仪测定地质样品中的U、Ra、Th的含量

一、引言在铀矿地质研究、勘探和采掘工作中,分析地质样品中的铀、镭、钍的含量是十分重要的。γ射线能谱法无需对样品进行放化分离和制成薄源,因此是测定地质样品中铀、镭、钍比较理想的方法。目前采用较多的是β—γ、β—γ—γ、β—γ—γ—γ法。由于自然界三个天然放射性衰变系列中的各核素经常处于不平衡状态,在地质样品中这些核素所发射的γ射线中,各谱线相对强度变化比较大,而闪烁γ射线能谱仪能量分辨本领差,对那些用于测定铀、镭、钍的谱线有时很难分开。为弥补上述不足,多年来不少的分析工作者尝试用Ge(Li)半导体γ射线谱仪,测定地质样品中铀、镭、钍含量。虽然在这些工作中使用的Ge(Li)半导体探测器指标不高,没有能够显示出比γ闪烁探测器更大的优越性,但也解决了一定的实际问     

硅PIN光敏二极管探测X、γ射线的性能及应用

介绍了硅PIN光敏二极管和电荷灵敏前放组成的X射线探测器和配合CsI(Tl)晶体构成的γ射线探测器的性能和测量结果,同时研究了光敏二极管探测器能量分辨率的温度特性。测量X射线时,在-10℃下对241Am的59.5keV射线的能量分辨率为4.8%;用PIN光敏二极管配合10mm×10mm×10mm的CsI(Tl)晶体测量γ射线时,在20℃下对137Cs0.662MeVγ射线的能量分辨率为9.9%,60Co的1.332MeVγ射线的能量分辨率为6.4%,-10℃下的能量分辨率分别为8.7%和6.3%。