不同带电情况下介质材料二次电子发射特性研究

空间材料二次电子发射特性是决定航天器表面带电速率和充电平衡电位水平的重要参数。本文利用1~5keV的脉冲电子束开展了聚酰亚胺(kapton)、玻璃盖片和光学太阳反射镜(OSR)材料的二次电子发射系数(δ)测试,并完成了介质材料表面不同充电情况下的二次电子发射特性研究。研究结果表明,在入射电子能量为1~5keV范围内材料二次电子发射系数随入射电子能量上升而下降,同时当二次电子发射系数大于1时,材料表面将累积正电荷,二次电子发射系数下降,当二次电子发射系数小于1时,材料表面将累积负电荷,二次电子发射系数将增加。     

低能强流离子束装置研究进展

低能强流离子束装置能够提供能量10-100keV、靶上流强达10mA以上的氘束，用于低能的氘氘反应及氘氚反应的实验研究。     

Ti-Mo互扩散界面吸氢同位素效应的离子束分析研究

为探究Ti-Mo互扩散对金属吸氢的影响,本文采用离子束分析方法对Ti-Mo薄膜的膜-基互扩散界面的吸氢同位素（H和D）效应进行了研究。通过氩离子刻蚀减薄的方法有效降低了表面碳、氧杂质对样品吸氢的影响。吸氢结果表明,对于表面洁净的样品,氢化后固相中氢或氘的浓度均沿着深度随钼原子含量的增加而减小。在单一气体吸氢实验中,氢原子浓度减小的趋势较氘原子缓慢;而在氢氘混合气体吸氢实验中,当容器中的氢氘压强比p(H2)∶p(D2)≥05∶1时,固体中氘氢浓度之比随钼浓度的增加而降低,但当p(H2)∶p(D2)<05∶1时,氘氢浓度之比随钼浓度的增加而升高。因此,由于Ti Mo界面的互扩散,吸氢出现了显著的氢同位素效应,钼的存在不利于体系对氢同位素气体的吸收。     

氘团簇离子（d^＋3）与固体相互作用过程中的团簇行为研究

讨论了由三个氘原子组成的氘团簇离子束与独立氘离子束在轰击固体靶时,在原子过程呼Ｄ－Ｄ核聚变过程中体现出的差别。对氘团簇与固体靶相互作用的机理进行了分析。     

简易旋转靶的研制

用高压倍加器加速能量为几百keV的氘离子,束流强度可达几十到几百mA量级。由于T(d,n)~4He反应在这一能区具有较高的反应截面,通常用它轰击氘钛靶产生中子作为强中子源。假定能量为400keV的氘离子束流强度为5mA,它打在靶上产生的热功率为2kW。如果靶子得不到有效的冷却,靶中吸附的氚将迅速地从钛层逸出,使中子源强度     

聚变反应堆壁材料钨和钼的表面离子束效应

运用扫描电子显微镜(SEM)及氘的定量深度分布测量,系统地研究了在氘离子轰击下金属钨和钼的损伤情况, 特别是钨表面气泡的形成及机制,以及氘在表面层的滞留量与气泡形成机制之间的关系。D+能量为100—1000eV, 轰击注量为11019—11021cm-2。轰击过程中靶表面温度分别控制在室温、600℃和800℃。研究结果为聚变堆壁材料的选择提供了依据。     

氘团簇离子(d3+)固体与相互作用过程中的团簇行为研究

讨论了由三个氘原子组成的氘团簇离子(d3+)束与独立氘离子束在轰击固体靶时,在原子过程和D-D核聚变过程中体现出的差别.对氘团簇与固体靶相互作用的机理进行了分析.     

聚变反应堆壁材料钨和钼的表面离子束效应

利用扫描电子显微镜 (SEM )及氘的定量深度分布测量 ,系统地研究了在氘离子轰击下金属钨和钼的损伤情况 ,特别是钨表面气泡的形成及机制 ,以及氘在表面层的滞留量和气泡形成机制之间的关系。D+离子能量为 10 0eV— 1keV ,轰击剂量为 1× 10 19— 1× 10 2 1D+/cm2 。轰击过程中靶表面温度分别控制在室温、6 0 0℃和 80 0℃。     

治疗计划系统中利用CT值计算碳离子入射能量的可行性研究

目的是探索CT值用于碳离子治疗计划系统计算碳离子入射能量的方法.方法 是通过分析Bethe-Block公式和碳离子射程计算公式,研究单核能量为0.01 MeV ～ 500 MeV碳离子束在各种辐射等效材料中射程与此能量碳离子束在水中的射程的比例关系.利用SRIM2008程序验证此比例系数存在恒值的可能性.通过Origi...     

氘化钛中氘扩散和表面复合行为研究

用核反应分析（ＮＲＡ）、前向反冲分析法（ＥＲＤ）、背散射谱法（ＲＢＳ）等离子束分析方法研究了ＴｉＤｘ／Ｍｏ样品中氘的行为。结果表明，在以化学形式存在的ＴｉＤｘ／Ｍｏ样品中氘均匀分布。在ＴｉＤ１．５／Ｍｏ膜表面存在一层２６ｎｍ的氧化层，氧含量为１．４×１０１７ｃｍ－２。达到氘化钛大量明显分解温度（３４３℃）时，氘在氘化钛中扩散系数为２．３×１０－８ｃｍ２／ｓ，表面复合系数为１．９×１０－２７ｃｍ４／ｓ。扩散系数与温度呈指数关系Ｄ＝Ｄ０ｅ－Ｅ／ｋＴ。随着表面氧含量的增加，氘在氘化钛表面复合系数逐渐减小。在ＴｉＤ１．５／Ｍｏ样品表面镀上一层约８０ｎｍ的铜膜后，复合系数增大。