79Se—AMS测量样品的化学形式选择及其制备方法

中国原子能科学研究院的AMS小组在原蒋菘生、何明等对79Se—AMS测量的基础上，发展了基于SeO2-分子负离子引出形式的79Se—AMS测量方法，测量灵敏度由原来的3．0×10^-9提高到好于1．0×10^-12。     

磁轭上剥离靶安装孔对磁场影响的模拟计算

根据CYCIAE一100束流剥离靶系统要求：在主磁铁的磁轭上开两个φ30mm的孔用于安装束流剥离靶，孔的角度位置分别为59．4°和239．4°，偏离加速器中心9．6°的位置处。根据磁路定理，磁轭上开孔将影响磁极中心平面的磁场分布。考虑到主磁铁中心平面磁场的对称性，现有下列3种方案可供考虑：1）按照剥离靶系统的要求，分别在59．4°和239．4°的位置处各开1个孔.     

79Se-AMS示踪研究亚毒性剂量亚硒酸钠摄入的硒代谢

长寿命放射性核素79Se的半衰期长达2．8×10^5a，其放射性比活度（单个原子的活度）约1×10^-14Bq。79Se衰变时仅放射出能量为150．7keY纯β射线，对生物组织甚至细胞的辐射损伤远小于75Se，而79Se的加速器质谱测量方法（795e—AMS）具有灵敏度高、相对测量准确性高以及测量精度高等特点，因而适合于长周期、无损伤的生物示踪研究。     

二甲基羟胺存在下四价钚的反萃动力学

用恒界面池法实验考察了DMHAN／H_N03／TBP-煤油-Pu（Ⅳ）体系中Pu（Ⅳ）的反萃动力学。实验结果表明：在选定实验条件（转速295r／min，温度18．8℃，钚浓度1．30×10^-6～1．30×10^-4mol／L）下，DMHAN／HN03／TBP-煤油-Pu（Ⅳ）体系q~Pu（IV）的反萃属于扩散控制。     

高质量分辨率分析磁铁磁场测量及垫补

串列加速器升级工程在线同位素分离器(BRISOL)需对同质异位素进行分辨,谱仪设计质量分辨率为20 000。本文介绍了BRISOL分析磁铁的磁场测量及垫补。为达到20 000的质量分辨率,BRISOL谱仪采用由2块小铁和2块大铁组成的异能大、小铁结构消除能量色散。主分析磁铁磁场均匀性要求好于5×10~(-5),采用表面线圈对磁场进行垫补。垫补后,好场区范围内积分场均匀性由3×10~(-4)提高到了3.5×10~(-5)。     

中子辐照下钼的低温热激活变形和辐照软化

本文对退火和应力释放两种热处理中，钼在低温变形条件下的中子辐照效应进行了研究。样品在高通量同位素反应堆的冷却剂温度下进行辐照，剂量在7．2×10^-5-0．28dpa（单个原子的辐照损伤位移）之间。拉伸测试在-50～100℃下进行，应变速度为1×10^-5～1×10^-2s^-1。基于拉伸测试数据的热激活分析被用来研究低温变形机理。退火后的钼在低剂量辐照后，出现辐照软化效应以及屈服应力对测试温度和应变速率的依赖性降低的现象。高剂量的中子辐照只会引起冷硬化。应力释放的钼与测试温度和屈服应力的应变速度的依赖性要弱于退火后的钼，而且其在辐照前后的屈服应力基本不变。激活参数实验值与位错模型的理论预测比较表明：四方应变位错反应的弗舍尔模型预测了清除作用，与双纽模型相比较，其对激活过程进行了更好的描述。辐射与测试温度及应变速率之间不断减弱的依赖关系可以用因中子辐照造成的间隙溶质的俘获作用而引起有效应力的降低来解释。     

实验低温冷板排气装置的设计

正在研制的100MeV紧凑型回旋加速器要求主真空的真空度为5×10^-6Pa，其主真空泵的抽速要求为140000L／s，为此需采用低温冷板排气系统。为了熟悉低温技术和模拟低温冷板排气系统，特设计和研制了实验低温冷板排气装置。     

Purex流程中溶剂辐解稳定性研究

在乏燃料后处理Purex流程中，TBP／稀释剂由于辐照作用降解对工艺造成危害。本工作采用三种稀释剂：正十二烷，加氢煤油，特种煤油。30％TBP／稀释剂分别以0．1～3mol／LHN03溶液平衡后用60Co源辐照至剂量为5×10^3-5×10^6Gy。对Purex流程中几种主要的辐解产物进行分析测定，对辐照后的样品进行了钚保留试验观测。     

151Sm半衰期及其γ射线强度测定

151Sm为裂变产物核素，有较高的裂变产额。本工作开展对151Sm半衰期的精确测定。151Sm利用反应堆照射通过150Sm（n，γ）反应得到。照射后经过冷却后利用热电离质谱对151Sm／150Sm原子比进行了测定，测定结果为151Sm／150Sm原子比=（3．750±0．002）×10^-3.     

用于高真空环境材料的表面绝缘处理技术实验研究

正在研制中的100MeV紧凑型回旋加速器的主真空室内（真空度5×10^-6Pa）需安装许多出气率底、小变形且易加工的绝缘零部件：尼龙、聚酰亚胺等有机绝缘材料真空中的出气率较大；石英、陶瓷等无机绝缘材料材质比较脆，难加工。金属材料作为基体进行表面绝缘处理所形成的绝缘材料满足使用要求。     

西安地区大气环境气溶胶样品中放射性核素监测

利用大流量气溶胶采样器和HPGeγ谱仪系统对西安大气气溶胶中放射性核素^7Be、^212Pb和^214Pb进行了为期一年的采样监测。得到各核素年平均浓度分别为6.68×10^-3Bq·m^-3、0.65 Bq·m^-3、16.06 Bq·m^-3。-7Be的浓度在春季较高,最高值为16.64×10^-3 Bq·m^-3,浓度变化有明显的季节性特征;^212Pb和^214Pb的浓度在冬季达到最大值1.71 Bq·m^-3和50.11 Bq·m^-3。浓度变化有显著的季节性特征。通过分析表明,降水是影响^7Be、^212Pb和^214Pb浓度的主要因素,各核素的月平均浓度在降水量最大的八月达到最小值。监测过程中,未测到^137Cs等人工放射性核素。     

SC200超导回旋加速器磁场垫补方法研究

考虑磁铁材料的非线性、不均匀性以及有限元数值计算的精度有限,在设计主磁铁时都留有一定裕量,在完成磁铁加工组装后,根据磁场的实际测量结果对磁铁进行垫补获得理想的目标磁场分布,这样可以保证工程稳妥实施。因此磁铁垫补是加速器主磁铁设计制造的一个重要环节。本文基于SC200主磁铁模型,利用有限元分析软件TOSCA,首先研究了不同的磁极切削参数对中平面主磁场的响应影响;其次考虑到相邻切槽对中平面磁场影响的叠加效应,从理论上推导出一种求解垫补量的方法;最后通过模拟的方法验证了磁场垫补的可行性,为将来实际磁场垫补提供了有效的依据。     

BRIF—ISOL二极铁磁场三阶梯度指数修正研究

串列加速器升级工程在线同位素分离器（ISOL）要求质量分辨率20000，分析磁铁场均匀性要求好于0．001％。采用所谓的垫补线圈可以有效地在磁场径向产生各阶梯度场，对二极铁引起的高阶像差进行修正。使用垫补线圈的优点在于可以方便地改变磁场梯度，而不受磁铁主场强的影响，同时可以节省系统的空间。改变一阶、二阶以及三阶梯度场的垫补线圈分别叫α、β和修正线圈。     

限口法拉第筒性能的初步测量

在5SDH串列加速器上对自制限口法拉第筒（LOFC）的性能进行了初步性能测试。质子束流强度约为50nA，质子能量为3．4MeV，真空度为1×10^-7Pa。由于束流强度较小，束流存在一定的不稳定性，因此，利用六通在与零度方向成30。位置放置金硅面垒探测器进行侧向束流监测。     

裂变产物核136Sn原子数的γ能谱法测定

裂变产物136Sn是一种长寿命纯β放射性核素，半衰期为（2．35±0．07）×10^5a。该核素是核工程对环境长期污染的重要指示核素，对于它的超高灵敏测量将为监测环境中的核污染提供重要的信息。     

BRISOL谱仪关键技术研究

HI-13串列加速器升级工程在线同位素分离器（BRISOL）需对同质异位素进行分辨,谱仪设计质量分辨率为20 000,是很高的技术指标,对离子源、高压、分析磁铁、四极透镜等设备均有很大的挑战。本文详细介绍了BRISOL谱仪关键技术及其测试结果。能散对谱仪的质量分辨率影响较大,BRISOL谱仪设计采用异能大小铁结构消除能量色散。离子源采用表面离子源,并采用三电极引出系统,中间电极电压可调用以优化束流品质,优化后离子束RMS发射度好于3.8 πmm•mrad。分析磁铁采用表面线圈进行磁场垫补,垫补后积分场均匀性好于3.5×10^-5。为修正像差,大分析磁铁安装了β线圈和γ线圈,同时,在分析磁铁前后共设置了4台电六极透镜。     

中子三轴谱仪输入谱模拟与优化计算

根据冷中子源及其后续中子导管的布局与参数,采用蒙特卡罗方法模拟计算了中子三轴谱仪的输入谱,获得了中子束均匀性、发散度及注量率等参数。模拟结果表明：冷源与导管人口间距离L不宜小于0.1m,在距离为0.5m时导管出口处注量率达到最大3.96×10^8cm^-2s^-1。;中子注量率及发散度均随导管超镜因子m增大而增大,m值由1.5增大到3后,其水平方向的发散度几乎不变,垂直方向最大发散度增大约87.7％,注量率增大25％;垂直方向和水平方向的发散均可以用高斯分布来描述,但水平方向的发散伴有离散峰;在m为1.5,L为2m情况下,束流水平和垂直方向的最大发散度分别为0.85°和0.81°,中子注量率为2.86×10^8cm^-2s^-1;得到了针对三轴谱仪的导管优化参数。     

自制CsI（TI）晶体的光输出非均匀性

实验测试了中国科学院近代物理研究所制备的9根大尺寸闪烁晶体样品（40mm×40mm×300mm）的光输出及其非均匀性。使用了多种光反射材料和包装方法对样品进行包装,对其光输出及其非均匀性进行测试。对实验数据进行分析,确定了大尺寸晶体的最佳读出端和包装方法。在测试中,所有CsI（T1）闪烁晶体样品的光输出非均匀性均好于7％,部分样品可达到2％左右。结合本次实验结果,对影响CsI（T1）晶体光输出非均匀性的因素进行了简要分析。     

光中子源的优化设计

文章研究了基于9MeV电子加速器的光中子源的优化设计问题,提出了使X射线最有效地转换为中子的光中子转换靶的最优形状。利用蒙卡程序MCNP5设计了体积为20L的重水光中子转换靶,当加速器的平均电流为100μA时,中子产额可达2.3×10^11n／s。通过增加特定形状的石墨反射层使更多的中子向前发射,正前方10m处中子注量率可达8.55×10^4n／（cm^2·s）。文中还计算了出射中子的能谱、空间分布和时间特性。     

冷中子导管模拟和参数优化计算

根据冷中子源及后续中子导管的布局参数,采用蒙特卡罗方法模拟计算了冷中子导管C3出口处中子柬均匀性、准直性及注量率等数据。优化表明：a）冷源与后续导管入口间距离应尽可能短;b）中子注量率及发散度均随导管超镜因子m值增大,m值由1．5增至3．0,其Y方向发散度增大24％,注量率提高61％;c）垂直于导管弯曲面方向的发散可以用高斯分布来描述,而导管偏转方向则呈条纹状发散;d）在m=1．5、冷源与堆内导管入口距离为2．29m情况下,束流垂直发散宽度为O．86°,中子注量率为2．44×10^2cm^-2．S^-1。