6 MV医用电子直线加速器轫致辐射谱研究

用衰减法对6MV医用电子直线加速器的轫致辐射X射线能谱进行测量，并利用模拟电子—光子耦合输运的Monte-Carlo程序EGS4对已知的治疗头几何结构、靶材料和电子源等特征的医用电子直线加速器轫致辐射谱进行研究。实验测量结果和EGS4模拟计算结果符合较好。     

上升时间甄别法测量中子能谱

波形甄别法是测量中子-γ射线混合场中快中子能谱的一种方法。本工作利用大体积NE213液体闪烁体,以及标准NIM插件,搭建了利用上升时间甄别法测量中子脉冲幅度谱的一套测量设备。本文基于蒙特卡罗方法计算得到闪烁体对中子的响应函数矩阵后,使用60Coγ放射源对测量得到的中子脉冲幅度谱进行刻度,然后通过解谱,得到了加速器单能中子源的解谱结果,该结果与参考谱是一致的。     

基于光学渡越辐射方法的实时电子能谱测量系统

针对加速器技术发展和应用对能谱测量精度、速度要求的不断提高,提出基于光学渡越辐射方法和实时能谱测量方案,给出了该方案的初步解决方法,并对各个实现细节给与描述,最终给出在中国科学院高能物理研究所自由电子激光（BFEL）实验室所得的阶段性实验结果。在现有实验条件下,所得OTR光宽20mm,与理论计算值相吻合。     

多道电子速流能谱描迹仪

介绍了用一种多条金属靶传感器测量直线加速器电子束流能谱的方法,主要讨论其原理和电路设计时应考虑的问题。     

高能电子轫致辐射能谱测量

本文介绍了在稳态加速器上进行的轫致辐射能谱测量的实验研究工作，建立了一种被称为透射系数的数值分析的迭代最小二乘法作为实验测算和解谱方法，其透射系数值用于ＬｉＦ（Ｍｇ，Ｔｉ）－Ｍ型热释光固体电离室测量，铅和聚四氯乙烯作吸收材料，实验测量得到３７个透射数值，基于这些数值初始设定的谱进行迭代计算，得到了轫致辐射能注量谱，辐射谱的平均能量（１．９０ＭｅＶ）等信息，实验的总不稳定度为４．６％（２σ）。     

用玻璃射程查表法测定电子射线的能量

研究了用盖玻片着色方法确定电子射程，再对照不同能量电子在硅中的射程表，用线性插值法求得电子能量，由此得到测量加速器端电压的旋转伏特计读数Ｖｒ与电子能量Ｅ之间的关系曲线，用核反应法进行能量校准，它们之间的误差约为１．５％。此法简便易行，也较精确，是测量电子加速器能量的一种较好的方法。     

用组合叠层CR-39固体径迹探测器测量加速器厚铍靶9Be(d,n)反应中子能谱

采用组合叠层CR-39固体径迹探测器实验方法测量了加速器D（d,n）反应产生的5MeV与2MeV准单能中子能谱。进而测量了入射氘离子能量为3MeV时加速器厚铍靶9Be（d,n）反应的中子能谱,与已有的飞行时间法的测量结果基本相符。在此基础上,用该法又测量了入射氘离子能量为1．5MeV时加速器厚铍靶9Be（d,n）反应的中子能谱,结果符合较低能量氘离子与厚铍靶发生9Be（d,n）的核反应的物理过程。     

多道电子束流能谱描迹仪

介绍了用一种多条金属靶传感器测量直线加速器电子束流能谱的方法 ,主要讨论其原理和电路设计时应考虑的问题     

200MeV电子直线加速器能量稳定系统

利用计算机对束流能谱图像进行了处理 ,并自动调整加速场相位 ,建立了 2 0 0MeV电子直线加速器能量稳定系统 ,该系统对束流能量在± 4MeV范围内的漂移进行自动补偿 ,使能量稳定在± 0 .6 %左右     

光学渡越辐射在电子束能谱测量上的应用

论述了用光学渡越辐射对强流短脉冲束团的能谱进行测量的理论和方法。探讨了利用单膜装置、双膜装置或多膜装置产生的光学渡越辐射进行束流能谱测量的方法，并针对２０ＭｅＶ电子感应直线加速器能散为０．５％的电子束能谱测量作了一些计算以得到部分装置的设计参数。计算表明：应用渡越光栅谱仪选择合适的膜片厚度及间距，对于给定的电子能谱，可以得到大的能量接受度和好的能量分辨率。然而，要用大量的膜片是困难的，而且还有许多影响多膜渡越辐射能谱仪的实际问题需要讨论。     

基于能谱等效的合金补偿方法研究

针对连续能谱X射线厚度测量中的合金补偿问题,利用能谱等效思想,根据单能射线下合金补偿系数与射线能量之间及连续能谱射线下合金补偿系数与材料厚度之间均存在单值对应关系,以合金补偿系数为参考,将连续能谱射线下的合金补偿问题转化为单能射线下的合金补偿问题。提出了系统标定、厚度标定、单能标定及能量等效的具体方案。利用蒙特卡罗程序建立了适用于X射线厚度测量的仿真模型,对能谱等效结果进行了验证。结果表明,30种不锈钢材料板按能谱等效结果进行合金补偿后,厚度测量相对误差90%以上小于0.1%,表明基于能谱等效思想的合金补偿方法可行性高、适用性广。该方法中的能谱等效结果对连续能谱射线硬化研究有参考意义。     

兰州高能电子成像实验平台电子束团长度测量研究

为提高高能电子成像的时间和空间分辨率,实验需低能散、低发射度、短脉冲的高品质束流。本文利用相干渡越辐射能谱分析法测量基于热阴极微波电子枪的高能电子成像用直线加速器的电子束团长度。通过用迈克尔逊干涉仪测量太赫兹辐射能谱,利用自相关曲线拟合法得到电子束团长度。实验结果表明,当束流宏脉冲峰值强度约为24 mA,即电荷量约为15 pC时,电子束团均方根长度约为0723 5 ps。另外,用Kramers Kronig(K K)相位分析法可重建一种可能的电子束团纵向分布。电子束团长度测量的研究可优化束流品质,对后续高能电子成像实验有重要的参考意义。     

利用BF_3多柱谱仪测量临界装置中子能谱

研发了一种中子能谱测量装置——BF_3多柱谱仪。对BF_3多柱谱仪的工作原理、结构与性能,以及该探测系统的使用方法进行研究,并分析其可满足的实验要求。应用BF_3多柱谱仪在临界装置上进行了中子能谱测量的实验,将实验测量结果与MCNP程序的理论计算结果进行了比较,两者符合较好,验证了该中子探测系统的性能。该BF_3多柱谱仪可适用于低中子通量密度能谱测量、屏蔽实验、环境监督测量、实验大厅内部及周围环境中子场测量等多种工况。     

基于金活化片的单球谱仪研制及能谱测量

中国先进研究堆(CARR)H-8水平孔道是提供中子的实验孔道,可以提供稳定的辐射场,对于不同的中子实验,其所需的中子能谱谱形不同,准确测量中子能谱具有重要意义。为测量H-8水平孔道中子能谱,研制一种以金活化片为热中子探测器的被动式单球中子能谱仪,使用MCNP程序对10^-11～15 MeV能区的中子能量响应进行计算,并分析能量响应的合理性。在CARR堆导管大厅对单球谱仪进行测试实验,使用高纯锗探测器测量各金活化片活度,使用UGA(unfolding based on genetic algorithm)解谱程序对实验数据进行解谱计算。结果表明,导管大厅出射中子能量在10^-9～10^-6 MeV范围内,单球中子谱仪可以较为精确的给出中子能谱数据,适用于CARR堆H-8水平孔道中子能谱测量研究。     

轫致辐射能谱测定SSC高频腔体电压

介绍了利用轫致辐射能谱测定回旋加速器高频腔体电压的原理，方法及测量结果。该测量方法的优点在于采用非接触方式量高频腔体电压，因而不改变高频腔体的谐振特性，并且不受高频频率的影响，测量的高频腔体电压准确可靠。     

EAST全超导托卡马克上硅漂移探测器软X射线能谱诊断

采用性能优越的15道硅漂移探测器（SDD）阵列,在EAST全超导托卡马克上建立了1套较为完善的软X射线能谱诊断系统,用以测量等离子体在软X射线辐射能段(1～20keV)的能谱。该诊断系统的观测范围基本覆盖了整个等离子体空间,因此,可满足EAST不同放电位形下电子温度测量的要求。利用该诊断系统,可获得时间分辨达50ms、空间分辨约为7cm的电子温度剖面。通过对比发现,由该诊断系统所得到的电子温度与其它电子温度诊断系统所测量的电子温度基本一致。此外,该诊断系统还可监测在软X射线能量范围内出现的一些金属杂质的特征线辐射。     

Development of a radiographic method for measuring the discrete spectrum of the electron beam from a plasma focus device

An indirect method is proposed for measuring the relative energy spectrum of the pulsed electron beam of a plasma focus device. The Bremsstrahlung x-ray, generated by the collision of electrons against the anode surface, was measured behind lead filters with various thicknesses using a radiographic film system. A matrix equation was considered in order to explain the relation between the x-ray dose and the spectral amplitudes of the electron beam. The electron spectrum of the device was measured at 0.6 mbar argon and 22 k V charging voltage, in four discrete energy intervals extending up to 500 ke V. The results of the experiments show that most of the electrons are emitted in the 125–375 ke V energy range and the spectral amplitude becomes negligible beyond 375 ke V.?     

低本底高分辨测量技术在16N衰变的出射α粒子测量中的应用

¹⁶N的β延迟α衰变能谱在Ec.m.≈12 MeV处有一低能峰,该α峰的形状和高度可用于约束12C(α,γ)16O反应截面的E1部分,对其进行测量具有重要意义。本工作尝试采用重离子注入法对其进行测量,在兰州重离子加速器国家实验室RIBLL1放射性束流线上产生了16N放射性束流并将其注入到双面硅微条探测器(DSSD)中,利用DSSD对其β延迟α能谱进行了测量。通过选用薄的DSSD探测器、DSSD正反面能量符合关系以及DSSD点火数约束等方法,显著减小了16N衰变产生的电子对α能谱测量的干扰,将α能谱的测量阈值降低到800 keV左右,成功观测到了Ec.m.≈12 MeV处的低能峰。该方法为间接研究12C(α,γ)16O反应率开辟了一条新的实验方法。