涤纶织物表面沉积银膜的特征研究

在室温下采用射频磁控溅射法在涤纶平纹织物上制备纳米银膜,利用原子力显微镜(AFM)分析不同溅射工艺参数对纳米银膜表面形态、颗粒直径的影响,同时研究了不同溅射工艺参数对银膜导电性能的影响.实验表明:随溅射功率增加,Ag粒子直径增大,导电性能先减弱后明显增强;随气体压强增大,Ag粒子直径变小,银膜的导电性能下降;随镀膜时间的延长,Ag粒子直径增大,银膜导电性明显增强,在溅射时间达到15 min时银膜导电性能最佳.     

磁控溅射纳米纤维基银膜的结构和性能

在室温条件下采用直流磁控溅射方法,在醋酸纤维素(CA)纳米纤维表面沉积纳米银(Ag)薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对不同溅射功率的纳米银膜的形貌和微结构进行表征;利用X射线衍射分析了纳米银膜的结晶状态;同时研究了在不同溅射功率条件下制备的沉积纳米Ag膜复合纳米纤维的光学透射性能。实验结果表明：纳米结构银薄膜由极其微小的均匀性较好的粒子组成,随着溅射功率的增加,组成纳米Ag薄膜的Ag粒子尺寸增大,薄膜的致密性和均匀性增加;制备的Ag薄膜均呈面心立方的多晶结构,并且结晶性能随着溅射功率的增加而逐渐增加,抗紫外线透射能力明显增强。     

PET基纳米结构Ag薄膜结构及导电性能

在室温条件下,采用磁控溅射法在PET纺粘非织造布上制备了50 nm厚的纳米结构Ag薄膜,用原子力显微镜(AFM)分析溅射真空室压强对纳米结构Ag薄膜结晶状态、粒径的影响;研究了溅射工艺参数与薄膜导电性能之间的关系。实验结果表明:溅射速率随着压强的增大先增大后减小;薄膜方块电阻的变化规律和溅射速率的变化规律一致;薄膜颗粒直径随着压强的增大先增大后减小,但在压强大于1.5 Pa时,薄膜颗粒直径随压强变化未呈现明显的变化规律。     

纳米AZO膜的制备及其光电性能

为开发光电纳米结构功能纺织品,采用磁控溅射技术在丙纶非织造布上制备掺铝氧化锌（AZO）薄膜,并对AZO膜进行原子力显微镜（AFM）表征,分析不同工艺参数对AZO薄膜结构的影响以及AZO的导电性能和抗紫外线性能的影响。结果表明：颗粒直径增大随着压强增大,当压强增大到一定后,颗粒直径逐渐变小;颗粒直径随着功率增加而增大,但继续增加,薄膜的均匀性将变差,表面变得粗糙,但导电性能提高;溅射时间的延长能改善薄膜的均匀性和致密性。在溅射压强为0.5 Pa, 溅射功率为120W,溅射时间为60min时,AZO薄膜的均匀性和致密性最好,制备的AZO薄膜具有优良导电性能,同时对紫外线的吸收能力较好。     

磁控溅射碳纤维基纳米铜薄膜的结构及其性能

 在室温条件下,以射频磁控溅射法在碳纤维布(CFFs)上沉积纳米结构Cu薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)分析薄膜的组成成分和结晶状态,用扫描电子显微镜(SEM)分析不同功率下镀铜碳纤维布表面形貌的变化,同时研究了溅射功率对薄膜沉积速率、织物增重率、导电性能和结合牢度的影响．结果表明：在碳纤维布上沉积薄膜的主要成分是Cu元素,且薄膜结晶良好,结晶度为40.85%;随着溅射功率的增大,碳纤维布上的铜粒增多,铜粒增大,沉积速率增大,织物增重率增大,导电性能增强;经过5个周期的冷热循环实验后,在溅射功率180 w下制得的薄膜有脱落现象,且其方块电阻明显增加,说明薄膜结合牢度变差,因此,合理的溅射功率控制在60-140 w之间．     

涤纶基表面溅射纳米铜膜导电性能

采用正交试验方法优化涤纶基表面溅射纳米铜膜的工艺参数,其结果为:镀膜时间30 min,溅射功率120 W,气体压强0.2 Pa,基材表面等离子体预处理时间为3 min。测定了不同环境温湿度和不同水洗次数下薄膜的方块电阻,以及样品在室温下放置90 d后的形貌变化和电阻变化,以评价薄膜材料导电时效性。     

溅射功率对沉积纳米TiO2织物光催化性能的影响

室温条件下采用直流磁控反应溅射技术在涤纶纺粘非织造织物表面生长二氧化钛（TiO2）薄膜。采用X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪和原子力显微镜对不同溅射功率条件下所制备TiO2薄膜的结构和表面形貌进行表征,研究溅射功率对薄膜沉积速率以及沉积纳米TiO2织物光催化性能的影响。实验表明：在一定范围内,溅射功率对沉积薄膜的化学结构影响不大,但溅射功率增加,薄膜的沉积速率和溅射效率提高,薄膜均匀性、致密性增加,沉积纳米TiO2织物光催化性能提高。但过高的溅射功率使靶材出现过温,不仅使薄膜沉积速率降低,均匀性下降,而且易损伤靶材。     

磁控溅射制备导电织物的工艺优化

为制得具有更小电阻即更好导电性能的织物,利用磁控溅射技术,以铜作为靶材,在涤纶纺黏热轧非织造布上沉积铜薄膜制备导电织物,测试其表面电阻值。分别对进气量、溅射功率、工作气压、靶基距、溅射时间进行单因素试验,探究溅射工艺参数对试样导电性能的影响规律;然后在单因素试验基础上对试验进行二次正交旋转组合设计,对显著因素进行参数优化。得出:制备较低表面电阻值的导电织物的最优参数组合为进气量35.00 m L/min、溅射功率83.0 W、工作气压0.400 Pa、靶基距3.900 cm、溅射时间4.10 min,所得导电织物表面电阻值在1.000 0~100.000 0Ω。     

磁控溅射PET非织造基银膜的微结构及性能

为研究PET非织造基银膜的结构及性能,在室温条件下,用磁控溅射法在PET非织造布基材上制备了25、50、75、100 nm4种不同厚度的Ag薄膜,由X射线衍射对薄膜微结构测试分析得知：制备的Ag薄膜均呈多晶态,晶体结构均呈面心立方;随着膜厚的增加,薄膜的平均晶粒尺寸逐渐增大。薄膜的光谱和导电性能测试表明：PET基银膜存在临界膜厚,在临界膜厚范围内,随着膜厚的增加,薄膜的反射率急剧增强,透射率快速下降,但达临界膜厚后,反射率和透射率随膜厚的变化趋于平缓;随着膜厚的增加,薄膜的导电性能明显提高。     

磁控溅射对锦纶拉伸性能的影响及镀膜形貌观察

为研究磁控溅射对纺织材料性能的影响,利用JPGF-450I型磁控溅射镀膜机,以锦纶织物为基材,制备纳米铝膜。通过改变溅射功率、工作压强等工艺参数,获得在不同工艺条件下的镀铝膜锦纶织物,测试镀膜后锦纶织物中纱线的断裂强度、断裂功等拉伸性能,研究溅射功率与工作压强对镀膜织物中纱线拉伸性能的影响。结果表明：在室温下,镀膜纱线与原纱相比断裂强度有所提高,断裂强度不匀率降低,断裂功受断裂伸长率影响明显;随溅射功率的增加,镀膜纱线的断裂功和断裂伸长率都呈减小的趋势;工作压强在0.8～0.9Pa时,镀膜纱线的断裂功和断裂伸长率达到最大值。并通过AFM原子力显微镜观察了镀膜锦纶织物的表面形态发现,锦纶丝的表面形成了较完整均匀的纳米铝膜。     

氩气压强对涤纶织物表面溅射银膜特性的影响

 以涤纶纺粘非织造布和平纹布为基底,高纯银为靶材,采用射频磁控溅射法制备纳米银薄膜,研究真空室氩气压强对纳米银膜表面形貌、样品透光性能和导电性能影响。结果表明: 以涤纶纺粘非织造布为基底,氩气压强为0.3Pa时,银膜表面粗糙度和颗粒尺寸最大,团聚生长最明显,而压强为0.6Pa时,银膜导电性能最佳;以涤纶平纹布为基底,氩气压强为0.6Pa时,银膜表面粗糙度和颗粒尺寸最大,团聚生长最明显,而压强为0.3Pa时,银膜导电性能最佳;沉积纳米银膜的样品对紫外光有较强的吸收能力,氩气压强的变化对样品屏蔽紫外线效果不明显。     

纤维基ZnO/Ag/ZnO多层膜表面形貌的AFM观察

在室温状态下,采用磁控溅射法在PET纤维上制备了Ag膜、ZnO膜和ZnO/Ag/ZnO多层膜,运用原子力显微镜(AFM)对纳米结构薄膜的表面形貌进行观察,并对导电特性进行测试。结果表明,随着Ag膜厚度从10 nm增加到20 nm,Ag膜的致密性和均匀性变好;在纤维表面和ZnO膜表面生长相同厚度的Ag膜,其表面形貌不同,在ZnO薄膜表面生长的Ag膜比在纤维表面生长的Ag膜均匀性好,Ag颗粒更大,颗粒的匀整性也更好;同样,在纤维表面和Ag膜表面生长相同厚度的ZnO膜,其表面形貌也不同。多层膜的电阻随着Ag膜厚度的增加而减小;当Ag膜为20 nm时,电阻达到最小。     

丙纶基纳米金属薄膜的导电性能

采用真空射频磁控溅射技术,在不同规格的丙纶热轧纺粘非织造布表面沉积不同金属的功能性纳米薄膜。测试结果表明,纺织材料表面沉积纳米银金属薄膜的导电性较之其它金属好,且银纳米薄膜在10 nm时呈现半导体性能,在100 nm时呈现最佳导电性能。原子力显微镜(AFM)分析该纳米结构表面镀层形貌发现,不同纺织材料对沉积纳米金属后的导电性有一定影响。     

磁控溅射制备纳米结构银抗菌非织造布

采用磁控溅射技术在丙纶基非织造布表面沉积0.5~3 nm厚的纳米结构银薄膜,实现纺织材料表面抗菌功能化。采用振荡烧瓶法,测试了非织造布基纳米银薄膜样品的抗菌性能;同时利用原子力显微镜(AFM)分析了纳米银薄膜的表面形态。结果表明,随着纳米结构银薄膜厚度的增加,样品的抗菌效果逐渐增强。从纳米银薄膜表面形态结构可以看出,纳米结构银薄膜由极其微小的均匀性较好的粒子组成,基本呈连续覆盖状态,随着溅射时间的延长,纳米银颗粒粒径呈增大趋势。     

PLA基纳米结构银薄膜的抗菌性能

在低温条件下,利用磁控溅射技术,在聚乳酸非织造布表面沉积不同厚度的纳米结构银薄膜,研究PLA基纳米结构银薄膜厚度对样品抗菌性能的影响。采用振荡烧瓶法测试样品的抗菌性能,利用原子力显微镜(AFM)分析纳米结构银薄膜表面形态及粒径,应用EDX分析薄膜表面的元素分布。结果表明:随着薄膜厚度的增大,样品抗菌性能提高;溅射时间延长,薄膜厚度增大,膜层的致密性改善,单位面积上的银含量增加,膜层表面积增大,银离子释放几率增大,是提高抗菌性能的主要原因;当纳米结构银薄膜厚度为1 nm时,对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌的抑菌率均达到100%。     

磁控溅射制备参数对ZnO薄膜结构和光学性能的影响

采用RF磁控溅射法,在硅(100)衬底上生长出高质量(002)晶面取向的ZnO薄膜.通过XRD和透射光谱研究了射频功率和氧气比例对ZnO薄膜的晶粒尺度、应力状态和光学性能的影响.研究结果显示,射频功率在100W下制备的ZnO薄膜,当氧气比例为60%时,能获得单一c轴择优取向和最小半高宽,压应力最小的薄膜,即结晶性较好的薄膜.