WO3-SnO2薄膜的溶胶-凝胶制备及其气敏特性研究

以无机盐ＳnCl2.2H2O为主体原料、Ｈ２ＷＯ４为掺杂剂、无水乙醇为溶剂,采用溶胶－凝胶工艺制备了nw:nsn=1:1000的ＷＯ３－ＳnO2薄膜,并对共气敏性能进行了研究,实验表明,掺杂量为１％的ＷＯ３－ＳnO2薄膜在常温下对Ｈ２Ｓ,ＮＯx气体具有较好的气敏性能,对Ｈ２Ｓ气体的敏感温度为１００℃,对ＮＯx气体的最佳敏感温度为７０℃。     

纳米WO3材料的氨敏特性研究

通过热分解法,可制备出平均晶粒尺寸＜１００nm的ＷＯ３材料,在此材料中掺入适量的用溶胶－凝胶法制备的ＳiO2可制得对ＮＨ３有较好灵敏度的气敏元件,该元件选择性好,响应时间短,可作为理想的氨敏元件。     

用纳米WO3制作NOx气敏元件

在主体材料WO3中掺入适量的SiO2可制得平均粒径为37nm的敏感材料，用该材料制作的气敏元件对NOx具有较高的灵敏度和较好的选择性，响应／恢复时间较快。     

溶胶-凝胶法制备的SnO2薄膜气敏特性研究

以SnCl4·5H2O为原料、用Sol-gel法制备出了SnO2薄膜,并对该薄膜的气敏特性进行了测试.结果表明,SnO2薄膜低温下对乙醇气体有较高的灵敏度和较快的响应恢复时间,且长期稳定性较好.     

贵金属催化剂对氧化镍气敏特性的影响

采用均匀沉淀法合成了氧化镍（ＮｉＯ）气敏微粉，利用浸渍法对氧化镍材料进行了掺杂，用Ｘ射线衍射、电子衍射和透射电镜对材料的陶瓷微结构进行了研究．实验结果表明：合成材料为颗粒状非晶体，颗粒尺寸＜１μｍ；该材料为Ｐ型半导体材料，对Ｃ２Ｈ５ＯＨ具有较高灵敏度，Ａｇ的掺杂能提高ＮｉＯ的气体灵敏度，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｕ，Ｒｈ的掺杂不能有效地提高其气体灵敏度，但可改善ＮｉＯ的气敏选择性．     

用PECVD制备的SnO_2薄膜气敏特性研究

ＳｎＯ２薄膜制备及其应用日益受到人们的重视。本文阐述了用低温等离子体化学气相沉积法制备ＳｎＯ２薄膜的工艺，并研究了所制得的纯净及掺杂Ａｇ，Ｐｄ的ＳｎＯ２薄膜的气敏特性。此法制得的元件对还原性气体，尤其是低浓度Ｈ２Ｓ，Ｃ２Ｈ５ＯＨ具有很高的灵敏度及快速的响应．     

SnO_2－SiO_2双层薄膜氢敏元件的特性研究

采用溶液－凝胶浸渍涂布工艺在Ａｌ＿２Ｏ＿３陶瓷管上制备了掺杂ＳｎＯ＿２气敏薄膜；利用高温热解法在ＳｎＯ＿２薄膜表面覆盖ＳｉＯ＿２气体分离膜后制得双层薄膜气敏元件。分别测试并比较单层和双层薄膜元件的气敏特性，结果表明：单层薄膜元件对可燃性气体无选择性、响应和恢复时间短；而双层薄膜元件对氢气表现出极高的灵敏度和优越的选择性，其响应和恢复时间都比单层薄膜元件有所延长，结合实验结果，从理论上阐述了双层薄膜元件对氢气的敏感机理。     

平面薄膜型气敏传感器

平面薄膜型气敏传感器刘文利，李建明，吕红浪，裘南畹（山东工业大学济南２５００１４）关键词薄膜；氧化锡；酒敏元件中图分类号ＴＰ２１２．２１介绍用粉末浅射研制的ＳｎＯ２／ＧｅＯ２酒敏薄膜的性能与膜厚、掺杂量、温度等的关系．发现其最佳厚度在１０－１～２×１...     

PCVD法超微粒α-Fe_2O_3的敏感特性

普通的α-Fe_2O_3,由于其所具有的高稳定性,对气体是不够敏感的。加入硫酸根或四价金属离子后,α-Fe_2O_3得到了微细化,从而使α-Fe_2O_3,的灵敏度显著提高,达到了实用化要求。研究发现采用等离子体化学气相沉积(PCVD)法,合成出颗粒尺寸在nm级的超细α-Fe_2O_3。用这种材料制成的气敏元件具有低的工作温度(250℃)、较好的气敏选择性(C_2H_5OH)和良好的气敏稳定性。若将超微粒α-Fe_2O_3的热处理     

基底结构对磁控溅射铜膜电磁屏蔽效能的影响

用直流磁控溅射法分别在涤纶机织布、针织布、纺粘非织造布表面制备铜薄膜,并用频谱分析仪与专用波导管测试所得样品在100 MHz~1.5 GHz之间的电磁屏蔽效能,用扫描电镜观察溅射样品的表面形貌,用显微镜观察基底布孔隙,并对结果进行比较分析。发现基底布表面结构形貌与孔隙对屏蔽效能均产生影响,前者更为显著。根据导电网络的连续性、几何结构的立体性及紧密程度、孔隙及未沉积的涤纶空白表面的几何结构对表面电阻、表面吸收损耗及反射损耗的影响,分析非织造布正反面屏蔽效能曲线的差异。非织造布正表面由于纤维粘连紧密,沉积铜后形成较连续的导电网络,屏蔽效能好;机织、针织布反之,屏蔽效能较差。除表面密实及平坦程度外,缝隙的尺寸及分布也影响屏蔽效能与频率曲线的形状。     

磁控溅射PET非织造基银膜的微结构及性能

为研究PET非织造基银膜的结构及性能,在室温条件下,用磁控溅射法在PET非织造布基材上制备了25、50、75、100 nm4种不同厚度的Ag薄膜,由X射线衍射对薄膜微结构测试分析得知：制备的Ag薄膜均呈多晶态,晶体结构均呈面心立方;随着膜厚的增加,薄膜的平均晶粒尺寸逐渐增大。薄膜的光谱和导电性能测试表明：PET基银膜存在临界膜厚,在临界膜厚范围内,随着膜厚的增加,薄膜的反射率急剧增强,透射率快速下降,但达临界膜厚后,反射率和透射率随膜厚的变化趋于平缓;随着膜厚的增加,薄膜的导电性能明显提高。     

磁控溅射纳米纤维基银膜的结构和性能

在室温条件下采用直流磁控溅射方法,在醋酸纤维素(CA)纳米纤维表面沉积纳米银(Ag)薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对不同溅射功率的纳米银膜的形貌和微结构进行表征;利用X射线衍射分析了纳米银膜的结晶状态;同时研究了在不同溅射功率条件下制备的沉积纳米Ag膜复合纳米纤维的光学透射性能。实验结果表明：纳米结构银薄膜由极其微小的均匀性较好的粒子组成,随着溅射功率的增加,组成纳米Ag薄膜的Ag粒子尺寸增大,薄膜的致密性和均匀性增加;制备的Ag薄膜均呈面心立方的多晶结构,并且结晶性能随着溅射功率的增加而逐渐增加,抗紫外线透射能力明显增强。     

磁控溅射对锦纶拉伸性能的影响及镀膜形貌观察

为研究磁控溅射对纺织材料性能的影响,利用JPGF-450I型磁控溅射镀膜机,以锦纶织物为基材,制备纳米铝膜。通过改变溅射功率、工作压强等工艺参数,获得在不同工艺条件下的镀铝膜锦纶织物,测试镀膜后锦纶织物中纱线的断裂强度、断裂功等拉伸性能,研究溅射功率与工作压强对镀膜织物中纱线拉伸性能的影响。结果表明：在室温下,镀膜纱线与原纱相比断裂强度有所提高,断裂强度不匀率降低,断裂功受断裂伸长率影响明显;随溅射功率的增加,镀膜纱线的断裂功和断裂伸长率都呈减小的趋势;工作压强在0.8～0.9Pa时,镀膜纱线的断裂功和断裂伸长率达到最大值。并通过AFM原子力显微镜观察了镀膜锦纶织物的表面形态发现,锦纶丝的表面形成了较完整均匀的纳米铝膜。     

磁控溅射法研制防紫外纳米铝膜涤纶织物

以涤纶织物为基底，高纯铝为靶材，利用磁控溅射法制备纳米铝薄膜。探讨了溅射气压、时间、功率和漫反射率对薄膜沉积速率和紫外线透过率的影响。试验结果表明，用该方法制备的铝膜涤纶织物，对350～400nm波段的紫外线屏蔽效果良好，透过率较镀膜前降低1．54-2．28倍。     

滋控溅射法制备阻隔包装纸的研究

采用磁控溅射法制备了阻隔包装纸,优化了磁控溅射的工艺参数。测试了最佳工艺条件下制备样品的表面形貌和抗水性。将制备的阻隔包装纸与铜版纸、聚乙烯共挤包装膜进行了流体减阻性能测试。结果表明：阻隔包装纸对于聚乙烯共挤包装膜具有更好的流体减阻效果。阻隔包装纸的这种优异性能将有助于拓宽其在微流体器件上的应用。     

磁控溅射制备参数对ZnO薄膜结构和光学性能的影响

采用RF磁控溅射法,在硅(100)衬底上生长出高质量(002)晶面取向的ZnO薄膜.通过XRD和透射光谱研究了射频功率和氧气比例对ZnO薄膜的晶粒尺度、应力状态和光学性能的影响.研究结果显示,射频功率在100W下制备的ZnO薄膜,当氧气比例为60%时,能获得单一c轴择优取向和最小半高宽,压应力最小的薄膜,即结晶性较好的薄膜.     

磁控溅射Ag/ZnO纳米薄膜涤纶织物的制备及其性能

为探讨织物结构对表面沉积纳米复合薄膜形貌及性能的影响,采用直流射频共溅法,以不同组织结构纯涤纶织物为基材,分别以金属银(Ag)与锌(Zn)为靶材,制备Ag/ZnO纳米薄膜.对表面沉积Ag/ZnO薄膜的涤纶织物的形貌结构,沉积颜色、防紫外线性能及电磁屏蔽性能进行表征.实验结果表明:非织造布表面薄膜颗粒分布较为均匀,机织布...     

涤纶基布磁控溅射铜膜及其电磁屏蔽性能

以不同组织结构的涤纶织物为基材,采用射频磁控溅射技术沉积纳米铜膜,研究织物结构对金属薄膜表面形貌、粗糙度和晶态结构的影响,并测试分析了表面磁控溅射纳米铜膜的涤纶织物电磁屏蔽性能。结果显示,非织造布、纳米纤维膜表面沉积的纳米铜膜颗粒平均粒径及其表面的粗糙度值较大,Cu(111)晶面上结晶度较高;在孔隙率较小且纤维紧密连接的非织造布表面沉积纳米铜膜,其纤维表面形成连续导电网络,表现出优良的屏蔽效果。     

PET非织造基溅射TiO_2/Nd/TiO_2及其抗菌性

利用磁控溅射技术,在室温条件下将纳米稀土Nd及光催化型抗菌材料TiO2以TiO2/Nd/TiO2方式沉积在PET非织造布表面,以制备纳米结构稀土激活TiO2复合抗菌材料。由于宽化了纳米TiO2的吸收光谱,制备的材料在可见光照射的情况下具有较好的抗菌效果。通过正交试验,获得最佳的溅射制备条件,即TiO2溅射功率75 W,Nd溅射功率40 W,Ar气体流量15 mL/min,反应压强1 Pa,所制备的复合抗菌薄膜抗菌效果最好。