基于Zn2SiO4:Mn的硅基成像器件紫外响应增强薄膜制备及其表征

为了增强CCD、COMS等硅基光电成像器件的紫外响应,在其光敏面镀上“紫外—可见”变频薄膜将紫外光变为可见光,以实现CCD、COMS等硅基光电成像器件的紫外响应。 Zn2SiO4:Mn由于粒子直径小,稳定性好,荧光量子效率高等优点,在增强光电器件紫外响应领域有着很广泛的应用前景。现用“旋涂法”法在石英基底上生成 Zn2SiO4:Mn紫外增强薄膜,并对其透射光谱、吸收光谱、激发光谱与发射光谱等光学性质进行测量分析。实验测得薄膜在300nm以下透过率极低,在300nm以上透过率很高且平稳;对300nm以下的光具有很强的吸收,对300nm以上的光吸收很弱且很平稳;激发峰在265nm,发射峰在525nm,即能将紫外光转化为可见光。同时分析了Zn2SiO4:Mn 薄膜的均匀性、厚度、稳定性等物理性质对其变频性能的影响,可知Zn2SiO4:Mn 薄膜是一种可用于增强CCD等光电器件紫外响应的紫外增强薄膜。     

基于Zn_2SiO_4:Mn的成像器件紫外增强薄膜制备及表征

在CCD、CMOS等硅基光电成像器件的光敏面镀下变频薄膜将紫外波段的光变为可见波段的光,可实现CCD、CMOS等硅基光电成像器件的紫外响应.考虑Zn2SiO4∶Mn粒子直径小,稳定性好,荧光量子效率高等优点,本文用"旋涂法"在石英基底上生成Zn2SiO4∶Mn紫外增强薄膜,并对其透射光谱、吸收光谱、激发光谱与发射光谱等光学性质进行分析.实验测得薄膜在300 nm以下透过率极低并具有很强的吸收,在300 nm以上透过率很高且吸收很弱;激发峰在260 nm,发射峰在525 nm,可以实现将紫外光转化为可见光.分析了Zn2SiO4∶Mn薄膜的均匀性、厚度、稳定性等物理性质对其变频性能的影响.实验结果表明,利用Zn2SiO4∶Mn薄膜可以有效增强CCD等光电器件的紫外响应,实现光电器件的紫外探测.     

真空紫外辐照对Lumogen薄膜损伤及光学性能的影响

为研究Lumogen(C₂₂H₁₆N₂O₆)薄膜在真空紫外波段的光致发光特性及辐照损伤,采用热阻蒸发法,以氟化镁为基底制备Lumogen薄膜。使用真空紫外荧光光谱仪、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外?可见分光光度计等仪器分别对薄膜的光致发光特性、荧光强度衰减变化、表面形貌、透过率等进行测试与表征。实验结果表明,真空紫外波段的最佳激发波长为160 nm;发射峰宽为500~620 nm,峰值位置是在528 nm处;在160 nm激发波长持续辐照20 h后,发射峰位置的荧光强度由快及慢地从8.76衰减为0.83,整体下降了90.5%;薄膜表面的均方根粗糙度从10.96 nm增加到14.96 nm;160 nm真空紫外光的高光子能量使Lumogen分子中的荧光助色团-OH断裂,薄膜表面受损,造成不可逆的破坏;被真空紫外光持续辐照后的Lumogen薄膜在250~450 nm波段内的透过率下降了约50%。研究结果表明,Lumogen薄膜在持续高能真空紫外光辐照下,薄膜表面会造成损伤,光学性能会下降,为其在紫外探测器件及航空航天领域的应用研究提供一定参考。     

一种120～300 nm紫外-真空紫外激发/荧光光谱测量装置

介绍了一种可用于120～300 nm激发的荧光粉发射光谱,激发光谱和相对亮度测量的紫外-真空紫外单色仪/荧光光谱仪装置.发射光谱的测量范围为380～780 nm.该仪器由真空紫外光源、真空紫外光谱仪、样品室、真空泵、平像场荧光光谱仪、光电倍增管等部分组成.真空紫外光源采用Cathodeon公司的30 W氘灯,真空紫外光谱仪为美国ActonResearch公司的VM-502 0.2 m单色仪,CCD探测器采用日本滨松公司的S3921型自扫描二极管阵列.测试结果表明该仪器的光谱重复性和准确性好于1%,样品色坐标的重复性和准确性均好于0.001.     

椭偏光度法研究钛掺杂对二氧化硅介孔薄膜的光学性能的影响

采用溶胶-凝胶工艺,以表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵CTAB为模板剂,在常温常压下制备出介孔SiO2薄膜和钛掺杂介孔SiO2薄膜。用反射式椭圆偏振光谱仪测试出两种薄膜样品的椭偏参数,选用Cauchy模型对椭偏参数进行了较好的数据拟合,获得了在250~700nm波段光学常数的色散关系。紫外-可见-近红外分光光度计测量结果表明小比例钛下薄膜的吸收增强,透过性降低,光学性能发生较大变化。     

CCD多道光谱检测系统的研制

CCD器件是一种发展十分迅速的阵列式光电器件.本文介绍一种微机控制的CCD多道光谱接收系统.该系统光谱工作范围为0.4～1.1μm.在光谱仪线色散率为0.8nm/mm的条件下,能分开的最小波长差为0.02nm.一次谱图接收范围为21nm.介绍了系统的硬件、软件及实验结果.     

长春光机所深紫外光学薄膜技术研究进展

综述了深紫外光学薄膜技术在中科院长春光学精密机械与物理研究所的研究进展。为满足高性能深紫外光学系统对薄膜光学元件的需求,在以下方面开展了系统研究:定制了两台深紫外光学薄膜专用沉积设备,分别用于高性能深紫外光学薄膜的热蒸发与离子束溅射沉积工艺,实现了φ410mm光学元件的镀膜;通过优化薄膜沉积工艺,双面镀膜样品在193nm处典型透过率为98.5%～99%;对影响光学元件面形精度的因素进行了考察,可实现的膜厚均匀性为0.1%(rms),能够满足高质量深紫外光学系统的容差要求;采用X射线衍射方法对薄膜应力进行了测量,并采用有限元方法分析了应力对元件面形的影响;针对影响薄膜实用性能的因素,提出了针对性的解决方法,采用紫外辐照方法恢复了环境污染引起的透过率下降,发展了基于晶振监控法的膜厚精确控制方法。基于这些研究的阶段性成果,明确了下一步的研究方向。     

微光ICCD电视摄像技术的发展与性能评价

利用微光像增强器的图像增强功能，将微光像增强管耦合到电荷耦合器件（CCD）上即构成微光图像增强CCD（简称ICCD），可获得两个重要的特性：一是通过选择适当的像管输入窗及光电阴极，使ICCD光谱响应范围由可见光扩展到X射线、紫外、近红外区域，从而使该器件能适用于各种用途；二是使ICCD的灵敏度达到10^-4Lx以下，实现了ICCD摄像器件在黎明或黄昏的照度下从（10^2Lx）、1／4月光下（10^-2Lx）到星光下（10^-4Lx）都能有效工作。微光ICCD电视摄像系统可应用在天文、医疗，军用的火控、制导、飞机的紫外预警等方面。本文旨在重点阐述微光ICCD电视摄像技术的发展与性能评价。     

磁控溅射法制备WO3薄膜及其光学性质研究

采用DC磁控溅射的方法在玻璃基片上制备WO3薄膜,在不同温度条件下对薄膜进行退火处理;测量了不同氧分压下制备的薄膜在紫外到可见光范围内的透过率.实验表明,氧分压在75%左右条件下制备的薄膜具有较好的光学性能,退火温度在300℃左右可明显改变薄膜的光学性质.     

基于S11639的紫外-可见光谱仪的设计

目前微型紫外光谱仪多采用背向减薄式或镀膜CCD作为感光元件,针对其价格昂贵的问题,提出了将高性价比的CMOS传感器芯片S11639应用于紫外-可见光谱仪中的设计方案,系统采用非对称性的切尔尼-特纳光学系统进行分光处理,利用STM32微处理器芯片配合复杂可编程逻辑器件CPLD来设计电路将数据上传到上位机,进行光谱图像显示。通过实验对比,验证了用该方案设计的微型紫外-可见光纤光谱仪,具有良好的紫外敏感性,频谱范围为200~900nm,分辨率可达1.5nm。