InSb薄膜制备工艺技术研究

本文介绍了InSb薄膜制备工艺技术的研究成果,系统地阐述了InSb薄膜的工艺机理与制备技术,指出了制备InSb薄膜过程中所需解决的技术关键,并总结了制备InSb薄膜的工艺条件和实验结果.     

磁电转换器件

磁电转换元件系指薄膜型锑化铟(InSb)霍尔元件,将磁信号直接或间接转换为电信号。锑化铟霍尔元件采用化合物半导体薄膜工艺制成,成功地解决了InSb薄膜材料制造技术、高迁移率InSb薄膜的热处理技术、多种材料的选择性腐蚀加工技术及InSb薄膜材料的欧姆接触技术等。锑化铟霍尔元件是单个霍尔元件中灵敏度最高、价格最低、用量最大的一种。主要用于     

溅射法制备InSb薄膜工艺探索—In与Sb的原子比问题

介绍一种基于原子比为1：1的InSb靶制备原子比为1：1的InSb薄膜的方法,实验结果表明,该方法能较好地解决类似化合物溅射制膜过程中膜成分与靶偏离问题。     

阳极氧化工艺及改性对TiO2纳米管阵列薄膜疏水性的影响

采用阳极氧化法在钛片表面制备TiO 2纳米管阵列薄膜,研究了不同氧化电压(15～25 V)和时间(0.5～2 h)下薄膜的微观结构;采用硬脂酸对其进行改性,分析了薄膜改性前后的润湿性能.结果表明:TiO 2纳米管平均管径和管间距随氧化电压增大而增大,随氧化时间的变化不明显,而表面结构均匀性则受氧化时间影响,氧化2 h的结构均匀性较好;改性前薄膜表面呈亲水性,改性后呈疏水性,且改性前越亲水则改性后越疏水;氧化时间对改性薄膜水接触角的影响较大,不同电压下阳极氧化2 h制备得到薄膜改性后均呈超疏水性,20 V/2 h下制备得到薄膜改性后的平均水接触角最大,可达159.7°.     

反应磁控溅射方法制备CN_x薄膜的高温抗氧化性能

采用反应磁控溅射方法在高速钢基体上制备了CNx薄膜,通过改变氮气和氩气的流量比来调整CNx薄膜中的氮含量,并采用XRD、HR-TEM、SEM、FTIR和显微硬度计等对薄膜的结构及其在300,400,500,600℃下的高温抗氧化性能进行了表征。结果表明:CNx薄膜在400℃以下具有较好的抗氧化性能,当氧化温度达到500℃后薄膜会发生严重氧化和分解;CNx薄膜中氮含量的增加有利于改善薄膜的高温抗氧化性能。     

CVD金刚石薄膜的掺硼研究

采用固体三氧化二硼，在单晶硅（100）衬底上用微波CVD法生长金刚石薄膜和进行p型掺杂，对不同掺杂碳源浓度下CVD金刚石薄膜的掺杂和生长行为、薄膜表面形貌、薄膜的电性能等进行了研究。结果表明，硼确实已掺入金刚石膜中；在SEM下观察到硼掺杂金刚石膜结构致密没有孔洞；用Ti和Ag分别在掺杂金刚石薄膜表面制备电极，测试了在不同温度下电流随温度的变化。     

FeAl/Al2O3阻氚涂层表面Al2O3薄膜形成机制与低温制备技术的研究进展

应用基体渗铝+选择性氧化法制备由FeAl合金过渡层及其表面Al_2O_3薄膜组成的FeAl/Al_2O_3阻氚涂层是当前防氚渗透技术的首选,Al_2O_3薄膜是决定FeAl/Al_2O_3阻氚涂层服役性能的关键。综述了FeAl合金及其涂层的表面氧化行为,包括铝的选择性氧化、氧化热力学和动力学行为以及氧化机制,介绍了基体元素对Al_2O_3薄膜形成和结构的影响以及阻氚涂层表面Al_2O_3薄膜低温制备技术的研究进展,展望了FeAl/Al_2O_3阻氚涂层的未来研究方向。     

氧化钒热敏特性研究

采用金属钒作为靶材,利用反应磁控溅射工艺制备了氧化钒薄膜.分析了改变溅射总压,溅射时间,溅射温度等工艺参数对薄膜电特性的影响,探索了氧化钒的成膜工艺.并讨论了不同工艺条件下薄膜方阻,薄膜电阻温度特性.最后对样品进行了XPS分析.     

Ti_2AlN薄膜的制备及性能表征

三元氮化物Ti_2AlN因其优良的性能而广泛被科研工作者所关注,但对Ti_2AlN薄膜材料的制备及性能研究较少。采用多弧离子镀技术和真空退火工艺制备Ti_2AlN薄膜,同时对薄膜的耐腐蚀性和高温抗氧化性进行测试及机理分析。试验结果及分析表明:在优化制备工艺下可以制备出耐腐蚀性和抗高温氧化性较好的Ti_2AlN薄膜,与TiN薄膜进行耐腐蚀性能对比,发现Ti_2AlN薄膜具有更加优良的耐腐蚀性能;与TiN薄膜抗高温氧化温度极限值550℃相比,Ti_2AlN薄膜在800℃高温时仍具有明显的抗氧化性能,Ti_2AlN薄膜在高温时表面生成具有致密连续性的Al_2O_3氧化物,使其具有优于TiN薄膜的抗氧化性能,当超过800℃时,基体和氧化层之间产生较大应力差而导致氧化层的脱落和剥离。采用多弧离子镀技术和真空退火工艺可制备出耐腐蚀性和高温抗氧化性优良的Ti_2AlN薄膜,可为Ti_2AlN薄膜的研究提供理论支撑。     

XPS在测量薄膜样品中的应用：一种非破坏性XPS深度剖析测量

通过改变ＸＰＳ探测掠角，对硅表面氧化层和富锗氧化硅表层薄膜样品进行非破生深度剖析测量，得到了有意义的结果。本文详细介绍了这一原理，并对这一分析方法的深度分辨等进行了讨论，为进行其它类型的薄膜ＸＰＳ深度剖析测试提供了借鉴。     

表面贴装器件引脚氧化的处置和预防

目前,表面贴装技术(SMT)以自身的特点和优势,使电子装联技术产生了革命性的变革,在许多领域逐渐成为电子组装技术的主流.表面贴装器件(SMD)在电子设备中的使用比例正逐年增加.文中介绍了SMD引脚氧化对电子设备焊接质量的影响,从采购、检验、库存环境和电装等几个环节分析了造成SMD引脚(球)吸湿氧化的原因,并提出了烘焙、...     

液态金属电子墨水与印刷基底之间的撞击作用机理研究

液态金属印刷电子学是正在兴起的学科前沿,其利用室温液态金属代替传统电子墨水在基底上直接写出电子电路,具有独特的快捷、低成本优势。本文首次研究了制约此类电子印刷质量的一个关键问题,即液态金属墨水与印刷基底材料之间的撞击作用机理。通过实验评估了氧化效应对液态金属液滴对几类典型基底界面(打印纸、硅胶板和橡胶板)的碰撞特性的影响,对比研究了基底材料、液滴碰撞速度、液滴尺寸等的影响规律,并通过理论模型解释了液态金属与不同基底之间的粘附性差异机理。研究结果对于今后筛选理想的印刷材料及提升液态金属电子打印质量有重要意义。     

聚乙烯材料应力强度因子的光学测试方法

传统的光弹性方法只能得到应力等差线和等倾线图,全息光弹性可以能得到应力等和线,但实验光路复杂,需要两次曝光,实验周期长,还需要暗室显定影处理,条纹不易得到,难以实现数字化。本文应用相移电子散斑干涉法与全息光弹相结合的混合方法获得了数字化的透明聚乙烯材料的等和线。测试得到聚乙烯材料的I型应力强度因子KI,实验结果与理论结果吻合良好。这一方法具有全场显示,非接触,高灵敏度,不用显定影等一系列特点。为研究透明高分子材料的力学性能和断裂特性,提供了一种有效的实验方法。     

单晶SiC的电助光催化抛光及去除机理

为满足电子半导体等领域对SiC超光滑、无损伤和材料高效去除的要求，提出了电助光催化抛光SiC的新方法。研究了光催化剂种类及其pH值对抛光液氧化性和抛光效果的影响，讨论了材料的去除机理。结果表明：以p25型TiO2为光催化剂配制抛光液所获得的最大氧化还原电位为633.11 mV，材料去除率为1.18 μm/h，表面粗糙度Ra=0.218 nm；抛光后SiC表面氧化产物中，Si-C-O、Si-O和Si4C4O4的含量明显增加，SiC表面被氧化并被机械去除是主要的材料去除方式。     

电子整机布线的电磁兼容预测与知识库建库技术研究

线缆之间的电磁耦舍（串扰）是影响电子整机布线可靠性及效率的主要因素之一。通过对整机线缆之间串扰的分析,运用有限元软件为工具进行电磁兼容性预测并初步建立了针对整机布线软件的EMC知识库。将分析所得结果融入到所构建的EMC知识库中,并应用到整机布线软件中,提高了电子整机布线的可靠性和效率。     

电子机柜结构连接部位建模

在电子机柜的有限元建模中,对电子机柜各零件之间的连接采用不同的建模方法,将影响整个机柜模型的准确性和计算结果的精度。文中以一种新型车载机柜为对象,对机柜有限元模型中连接部位采用不同的建模方法进行比较与探讨,并得出对电子机柜设计具有指导意义的结论。     

Reliability prediction system based on the failure rate model for electronic components

Although many methodologies for predicting the reliability of electronic components have been developed, their reliability might be subjective according to a particular set of circumstances, and therefore it is not easy to quantify their reliability. Among the reliability prediction methods are the statistical analysis based method, the similarity analysis method based on an external failure rate database, and the method based on the physics-of-failure model. In this study, we developed a system by which the reliability of electronic components can be predicted by creating a system for the statistical analysis method of predicting reliability most easily. The failure rate models that were applied are MILHDBK-217F N2, PRISM, and Telcordia (Bellcore), and these were compared with the general purpose system in order to validate the effectiveness of the developed system. Being able to predict the reliability of electronic components from the stage of design, the system that we have developed is expected to contribute to enhancing the reliability of electronic components.     

低黏度油品碳型组成对其氧化安定性的影响

采用NB/SH/T 0811方法对4种低黏度油品进行氧化安定性评定，并运用SH/T-0725方法对油品碳型组成进行分析，探究碳型组成对油品氧化安定性的影响。结果表明：油品中正构烷烃含量高有利于提高其氧化安定性；油品中异构烷烃或环烷烃含量越高，越易氧化生成酸性物质；油品中芳烃含量越高，越易氧化产生沉淀物；且油品中芳烃、环烷烃含量越高，越有利于油泥的溶解性能。为提高氧化实验效率，改进NB/SH/T-0811方法的氧化时间和催化剂等氧化条件，探究氧化条件改变对氧化安定性评定结果的影响。结果表明：改变氧化条件不会从根本上改变油品的氧化安定性评定结果，但不同的催化剂可能对某一评定指标产生特殊影响。     

高速切削Inconel 718刀具磨损形态和机理分析

利用涂层硬质合金刀具对Inconel 718进行了高速干切削试验,采用扫描电子显微镜SEM和能量分散光谱EDS扫描,对不同切削参数下刀具的损坏形态和损坏机理进行了研究。分析结果表明刀具损坏形式主要有前刀面磨损、后刀面磨损、剥落和崩刃。刀具损坏机理主要是粘结磨损、磨粒磨损、氧化磨损和扩散磨损等。     

板级电路振动分析及元器件布局优化技术研究

印制电路板上承载着各类电子元器件,使质量、刚度分布不均匀,求解印制电路板振动问题时,很难得到满足微分方程和边界条件的精确解。文中试图从弹性力学理论出发,探讨电子设备结构中印制电路板的振动问题,以及其上电子元器件的布局优化问题。运用弹性力学理论,对板的固有频率计算进行了理论推导,同时分析元器件的布局对振动固有频率的影响。从而得到在元器件布局的时候,尽量使元器件靠近约束,元器件较多时,把大而重的元器件靠近约束的结论,并用有限元计算对结论进行验证,理论分析结果和有限元计算结果吻合较好。