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相似文献
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1.
耿康 《光学仪器》2010,32(3):60-63
为了跟踪国际光刻设备的发展,介绍了工作波长为193nm国际主流光刻机的发展现状,对光刻机的核心—投影物镜的设计原理进行了分析,针对投影物镜光学系统参数、光学结构、光学材料和机械结构进行了深入探讨,最后对中国光刻机的发展前景进行展望。  相似文献   

2.
单体大尺寸高精度全息平面光栅是高端浸没式光刻机、惯性约束核聚变等高端装备和重大工程的核心器件,制造难度极高。本文综述了单体大尺寸高精度全息平面光栅的主要制造技术,介绍了基于单次大尺寸干涉光刻技术和干涉光刻步进拼接技术的单体大尺寸高精度全息平面光栅制造技术的研究进展以及存在的问题,并着重对基于扫描干涉光刻技术的单体大尺寸高精度全息光栅制造技术的研究进展进行论述。最后,总结了大尺寸高精度平面光栅制造技术——扫描干涉光刻技术的发展趋势。  相似文献   

3.
《光学仪器》2011,(3):41-41
<正>不久前,中科院光电技术研究所微光刻技术与微光学实验室首次提出了基于微结构边际的LSP超分辨光刻技术。该技术利用微纳结构边际作为掩模图形,对表面等离子体进行有效激发,其采用普通I-line、G-line光源获得了特征尺寸小于30nm的超分辨光刻图形。据相关负责人介绍,传统的微光刻工艺采用尽可能短的曝光波长,期望获得百纳米甚至几十纳米级别的光刻分辨力。然而,随着曝光波长的缩短,整个光刻装备的成本也急剧上升。以目前主流的193光刻机为例,其售价为几千万美元。如此高昂的成本严重限制了短波长光源光刻技术的应用。  相似文献   

4.
单镜支撑技术是影响光刻机光刻精度的关键因素之一。为了分析某光刻物镜单镜支撑结构对镜面面形的影响,采用接触有限元分析的方法对某光刻物镜系统单镜支撑结构进行分析。由于单镜还受到预紧力和夹紧结构的影响,分析时建立预紧力大小不同,夹紧结构刚度不同,支撑结构刚度不同的有限元模型,计算镜体的自重变形,并由此计算镜面面形的峰谷值(PV)、均方根值(RMS)。分析结果表明,当支撑结构特征尺寸D≥0.6 mm时,镜面面形精度对支撑结构特征尺寸D的稳定性最好,这为以后不同口径光刻机物镜系统的单镜支撑技术提供参考。  相似文献   

5.
<正> 据报导:上海光学机械厂已试制成JKG—3型光刻机。该机系目前国内较先进的制造中、大规模集成电路的光刻设备;是我国第一代半自动接近式光刻机。该机主要技术性能是:曝光有效范围可达φ50,在结构上具有扩充到φ75的可扩性功能。对准用的分离视场显微镜放大倍数为100~300倍;10倍物镜的景深为30微米;分离间隙由10~30微米;接  相似文献   

6.
光刻机浸没液体控制系统的研究现状及进展   总被引:1,自引:1,他引:0  
浸没式光刻机是目前在45 nm以下IC生产线上唯一获得应用的新光刻装备.浸没控制系统是浸没式光刻机的核心子系统之一,用于在最后一片投影物镜和硅片之间,提供并维持具有高度洁净度与稳定性的缝隙流场,利用高折射率浸没液体,提高光刻分辨率.介绍浸没控制系统的技术背景、组成及其特点,论述国外在液体浸没方式、液体动态密封、流场检测与控制、曝光热效应和气泡控制等关键技术方面的研究成果以及国内自主研发的进展.针对浸没式光刻机向着更高光刻分辨率和更高生产率不断延伸的特点,对浸没液体控制系统的发展前景进行展望,指出其发展中面临的挑战与有待解决的关键技术,浸没液体控制系统将在浸没式光刻机的发展过程中继续扮演着重要角色.  相似文献   

7.
分布重复投影光刻机(DSW)的精度和工作效率直接影响到大规模集成电路生产工艺的特殊要求。为了提高DSW的精度和效率,研究和运用了先进运动控制技术,使光刻工作台定位精度小于±0·5μm;同时应用视频网络技术,实现了远程交互式工作方式。根据要求,完成了DSW的各系统模块的设计,并且开发了基于PC的应用软件。实验结果表明,该改进型DSW体现了较高的应用价值。  相似文献   

8.
下一代光刻技术——压印光刻   总被引:3,自引:0,他引:3  
通过分析集成电路制造工艺中的核心环节--光刻技术,采用机械微复形原理的压印光刻技术可避免传统光学光刻的光学衍射限制,能够对最小到6 nm特征尺寸的图形进行复制.通过研究压印光刻原理,详细分析对比热压印及常温压印的工艺特点、复形面积、模具结构和阻蚀胶固化过程等,揭示出常温压印更适用于多层套刻的图形制作.针对基于紫外光固化的常温压印光刻工艺在压印过程中的关键技术:阻蚀胶成膜控制、对准、套刻、精确加载、留膜厚度控制、阻蚀胶固化控制等进行深入研究,提出释放保形软压印工艺,能够实现基于常温软模具压印的大面积亚100 nm级特征尺寸图形的复制.最后,以SIL-Ⅰ型分步式常温紫外光固化压印光刻机的研究为例,对其结构特性做出深入分析,估算出系统的精度等级;通过试验,对系统的压印复形精度做出评估.  相似文献   

9.
100 nm步进扫描投影光刻机是我国攻关研究的主流机型,工作台是实现其超精密性能的核心子系统。光刻机工作台采用粗、微复合的运动结构,其同步最大运动平均误差(5 nm)和同步最大运动标准偏差(12 nm)等性能指标对运动控制系统提出严苛要求。分析硅片台与掩模台的结构特点,提出了运动控制系统中保证精度实现的组成单元,分别论述轨迹规划、测量系统、控制策略单元等的工作机理与实现特点;为进一步提高运动控制精度,分析工作台可能受到的扰动因素,提出相应的补偿控制策略,探讨运动控制中各环节的参数校准策略。综合论述步进扫描投影型光刻机工作台运动控制中的关键问题,并提出相应的实现与解决方法,可为实际光刻设备超高精度的实现提供指导。  相似文献   

10.
《机电工程技术》2009,38(7):8-8
近日,一种新型“3米长光栅复制光刻机”在中科院光电技术所研制成功。这是该所继成功研发URE-2000系列大面积曝光机后创新研发的一项新型精密光刻设备。该机在母尺和工件间抽真空,采用蝇眼透镜的i线均匀照明系统,结合气浮工件台一维运动而实现大行程的扫描、真空接触、i线曝光。其照明均匀性为±2%,光刻分辨力优于5微米,照明面功率密度50mW/cm^2,  相似文献   

11.
激光干涉光刻作为一种新兴的光刻技术,具有设备结构简单、价格低廉、高效率、高分辨率和大视场曝光等特点。介绍通过激光干涉光刻产生的一维光栅结构、二维网格结构以及二维点阵结构在生物传感、太阳能电池和光子晶体等领域的应用前景。  相似文献   

12.
介绍了利用北京正负对撞机(BEPC)同步辐射X射线光刻装置,进行LIGA工艺技术深结构光刻实验研究,详细论述了X射线光刻使用的掩模制备过程及掩模镀金工艺,在国内最早曝光出直径为400μm、厚为27~45μm的三维立体齿轮胶图形。  相似文献   

13.
Fluorescent dyes added to UV-cure resins allow the rapid fabrication of fluorescent micropatterns on standard glass coverslips by two-photon optical lithography. We use this lithographic method to tailor fiduciary markers, focal references, and calibration tools, for fluorescence and laser scanning microscopy. Fluorescent microlithography provides spatial landmarks to quantify molecular transport, cell growth and migration, and to compensate for focal drift during time-lapse imaging. We show that the fluorescent patterned microstructures are biocompatible with cultures of mammalian cell lines and hippocampal neurons. Furthermore, the high-relief topology of the lithographed substrates is utilized as a mold for poly(dimethylsiloxane) stamps to create protein patterns by microcontact printing, representing an alternative to the current etching techniques. We present two different applications of such protein patterns for localizing cell adhesion and guidance of neurite outgrowth.  相似文献   

14.
机床进给用直接驱动直线伺服电动机   总被引:8,自引:0,他引:8  
针对现代数控机床高速,高精发展趋势,分析了机床进给系统应用直线电动机的优缺点,阐述了不同结构类型直线电动机的特点及其相应的应用场合,总结了直线电动机直接驱动伺服系统的研究现状与发展趋势。  相似文献   

15.
为使光刻投影物镜满足光刻工艺的要求,研究了掩模位置误差对光刻投影物镜引入的畸变。采用勒让德多项式描述光刻投影物镜的畸变,并应用勒让德多项式对光刻投影物镜进行了畸变分析及畸变补偿。利用以上方法,对一台工作波长为193 nm,数值孔径(NA)为0.75的光刻投影物镜进行了畸变分析。结果显示:当掩模面3个方向的平移公差为1.0μm,绕3个轴的转动公差为0.1 mrad时,光刻投影物镜标定前后的畸变分别为2 113.2 nm和10.0 nm。利用勒让德多项式进行了畸变拟合,获得了多项式中各项系数,并给出掩模面位置误差的畸变敏感度系数;然后利用畸变敏感度系数对掩模面的随机位置误差进行了公差分析和补偿。结果表明,将光刻投影物镜畸变控制在2 nm以内时,掩模面z方向的位置公差为±2.0μm,掩模面与x轴与y轴的倾斜公差分别为±22.3μmad和±55.3μmad。实验结果证明提出的方法适用于对掩模面引入的光刻投影物镜畸变进行有效分析及补偿。  相似文献   

16.
A conventional TEM/STEM has been used for the fabrication of ~ 10 nm–size structures by electron-beam lithography. The electron microscope provides a versatile tool for studying the lithographic process with control of the beam energy, current, and profile combined with the ability to image both the probe and fabricated structures. Straightforward techniques are described for generating ultrasmall structures for physics and device experiments on both bulk substrates and on thin films. New resist processes and the effects of electron-beam energy as studied by these techniques are discussed.  相似文献   

17.
The use of chalcogenide glassy semiconductors as an inorganic vacuum photoresist to obtain periodic relief structures on substrates of various compositions is investigated. It is shown that a chalcogenide resist can be successfully used in combination with interference lithography (including the immersion one) to form one- and two-dimensional submicron-size periodic structures with a spatial frequency of 300 to 8000 mm−1. Technological processes of obtaining relief structures and lithographic masks with submicron sizes of elements on semiconductor, dielectric and metal substrates are developed, and their possible applications are described.  相似文献   

18.
Kim SM  Ahn SJ  Lee H  Kim ER  Lee H 《Ultramicroscopy》2002,91(1-4):165-169
Monolayer films of metal phosphate were prepared by sequential adsorption of phosphoric acid (PA) and metal ions (Zr4+ or Ca2+). The monolayer formation was confirmed and characterized by ellipsometry and atomic force microscopy (AFM). Nanometer-scale patterning on the self-assembled metal phosphate films has been achieved using AFM. The difference in AFM lithography on positively charged surfaces in the case of Zr4+ and Ca2+ ions was investigated and summarized. Since the presence of the positive charges allows electrons to move from a tip to a layer easily, the lithographic process initiates at a lower voltage in the layer of Zr2+ phosphate than in the layer of Ca phosphate or PA. Other lithographic results on metal phosphate layers were compared with those on a monolayer of PA.  相似文献   

19.
金刚石刀具与刃磨技术研究现状   总被引:2,自引:0,他引:2  
简述了金刚石刀具的应用领域,介绍了聚晶金刚石(PCD)刀具刃磨技术及设备的研究现状,分析了影响金刚石机械刃磨质量的主要因素,认为特种加工与机械刃磨相结合的复合刃磨技术是金刚石刀具刃磨的重要发展方向。  相似文献   

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