行业活动

一九八八年十一月下旬,机械电子工业部沈阳仪器仪表工艺研究所受部司委托,对该所研究成功的扩散硅液位传感器、薄膜InSb磁阻元件、硅杯加工工艺研究、硅荷重传感器、磁—温传感器、高稳定性霍尔元件、微型、超薄型砷化镓霍尔元件及传感器等十项科技成果,在沈阳举行技术鉴定,有关代表对各项     

砷化镓霍尔元件的研制

一、前言砷化镓霍尔元件具有温度特性好、稳定性好、灵敏度高,使用磁场范围宽等优点;用平面工艺容易成批生产。所以,自在高阻砷化镓衬底上制得低阻砷化镓外延层以来,该材料在磁电元件领域中的应用发展很快,砷比镓霍尔元件正在发展成为霍尔元件的代表性产品之一。这里介绍的砷化镓霍尔元件是在国外研究的基础上,对制造工艺进一步分析之后,提出了在蒸镀电极金属和进行台面腐蚀时不预先制备二氧化硅掩蔽膜,通过掩膜版和光刻胶膜进行选择性腐蚀的工艺流程,使工艺简化,节省了设备,降低了元件成本。     

“砷化镓霍尔元件制造工艺研究”成果简介

砷化镓霍尔元件以优异的综合性能博得用户的赞识。日本于1972年实现商品化;英国、苏联、美国相继以各种牌号问世。我国于1974年起步研制,沈阳仪器仪表工艺研究所于1979年春在制造技术工艺上有所突破,制造出合格的砷化镓霍尔元件,     

多功能一体化霍尔元件的研制

一、引言近年来,我国磁敏霍尔器件技术发展很快,继硅、锗、砷化铟等霍尔元件研制成功后,我所于1980年又研制成功具有国际先进水平的砷化镓霍尔元件。国外近年来又出现了测温测磁多功能器件,使其在工业控制系统中的用途更加广泛。日本已研制出温度补偿型多功能一体化霍尔元件〔1〕,其霍尔电压温度系数由原来的0.05％/℃改善到0.005％/℃,为设计高精度测磁仪表奠定了基础。我们从1984年9月开展此项工作,经     

砷化镓霍尔元件投入市场

日本松下电子公司正把高灵敏度和高稳定性的砷化镓霍尔元件投入到霍尔元件市场。这是他们刚刚研制出来的新型敏感元     

集成霍尔传感器

集成霍尔传感器一般做成硅集成电路型式,用作自动化技术中的测量元件。但是,用硅单晶制做的霍尔传感器在许多性能方面比不上A~ⅡB~Ⅴ族化合物的模拟器件,如灵敏度、快速性、线性度、温度稳定性、噪声级、工作温度区宽度等特性均较差。A~ⅡB~Ⅴ族薄膜型半导体霍尔元件是最有发展前途的,可是用A~ⅡB~Ⅴ族半导体只能做成简单的分立器件,不能制得相应的集成电路。为此,希望得到这样一类集成磁敏器件,它们兼有A~ⅡB~Ⅴ族半导体霍尔传感器和硅集成电路二次转换器的综合功能。这类     

磁电转换器件

磁电转换元件系指薄膜型锑化铟(InSb)霍尔元件,将磁信号直接或间接转换为电信号。锑化铟霍尔元件采用化合物半导体薄膜工艺制成,成功地解决了InSb薄膜材料制造技术、高迁移率InSb薄膜的热处理技术、多种材料的选择性腐蚀加工技术及InSb薄膜材料的欧姆接触技术等。锑化铟霍尔元件是单个霍尔元件中灵敏度最高、价格最低、用量最大的一种。主要用于     

性能优越用途广泛的硅霍尔元件

北京师范学院半导体器件厂经过几年的努力,研制成功了硅霍尔元件,填补了国内空白,现已批量生产。一、应用情况本厂生产的硅霍尔元件,现已成功地应用于航空、内燃机车、磁量测量和磁性材料研究等方面。 1.用于航空基于霍尔元件磁电传感的特性,它可用于速度、加速度、角度和长度的测量和控制。目前在飞机、飞行器上应用的例子有:     

霍尔传感器

本文研究了锑化铟外延结构的霍尔传感器,其磁感应强度一直到17特斯拉以前,霍尔常数均不随磁感应强度而变。工业生产的霍尔传感器采用单晶和在半绝缘的砷化镓基底上生长外延层两种型式。单晶型霍尔传感器制做时,磨光工序是十分费     

砷化镓霍尔元件研制中的几点改进

本文介绍了在提高砷化镓霍尔元件灵敏度、线性度及温度稳定性等方面所采取的改进措施;设计了新颖的图形,以降低元件的不等位电势及提高线性度,取得良好的结果。     

砷化镓霍尔探头在测磁方面的应用与探讨

一、前言砷化镓霍尔元件是一种适用于制造测磁探头的半导体元件,霍尔电压线性度小于千分之三,测量的磁场值可以用数字电压表显示,选用不同成分的砷化镓单晶,可以分别制成高灵敏度(≥10mV/mA·KGS)和低灵敏度(=2mV/mA·KGS)、高稳定性(温度由20℃～100℃,零点漂移<20μV)的磁测量探头。高灵敏度探头可以降低对测量仪表灵敏度的要求,能大幅度降低数字特斯拉计的价格,有利于国内目前应用的CT3和CT5高斯计的更新换代。低灵敏度高稳定性探头能进一步提高国内现有数字特斯拉计的精度,可以用于长时期精确测量磁路的磁场分布,也可用于测试磁性材料的温度系数。目前,由于采用了特殊工艺,砷化镓霍尔元件的截面已能缩小到1×1mm~2,已制造了外径φ2的轴向探头。霍尔元件截面积的缩小有利于提高对被测磁场分布的分辨     

MF96型测速热敏电阻器等八项成果鉴定会在沈阳召开

受国家仪器仪表工业总局委托由沈阳仪器仪表工艺研究所主持召开的八项课题成果鉴定会于80年12月13日至19日在沈阳召开。这八项课题成果是:MF96型 SiC 薄膜测速热敏电阻器;MF92测速热敏电阻器;砷化镓霍尔元件;数字高斯计;常规镍电成型波纹管工艺;脉冲等离子焊接工艺与设备;高性     

一种基于电磁感应原理的风向编码方法

霍尔元件在与磁体接近时输出端会产生一个高电平,离开磁体时输出端为低电平。基于这种电磁感应原理,提出了一种风向编码方法。该方法设为三层立体编码,霍尔元件固定在编码器的定位盘上,磁钢体固定在转动盘上。转动盘上的磁钢体靠近霍尔元件时,霍尔元件输出高电平,磁钢体离开霍尔元件,则霍尔元件输出低电平。根据各个霍尔元件输出的高低电平组合编码,第一编码层可在45°范围内实现5°的分辨率,第二编码层可在180°范围内实现45°的分辨率,第三编码层可在360°范围内实现180°的分辨率。三个编码层相结合,便可在360°范围内实现5°的分辨率。     

行业活动

沈工所于10月11～14日在沈阳召开了首批完成的七项科研、新产品技术鉴定会,会议由机械工业部仪器仪表局主持。参加这次鉴定会的专家、学者、工程技术人员共93名。沈工所副所长、总工程师黄缉熙、副所长徐开先同志出席了会议。沈工所这次鉴定的七项课题是: 多功能一体化霍尔元件; 砷化镓霍尔元件制造工艺研究; 集成温度传感器;     

硅体型霍尔元件不等位电压与控制电流特性的探讨

本文着重从理论上探讨了硅体型霍尔元件的各种不同的U_(cd)-Ⅰ特性。指出了在霍尔元件制作中,必须注意材料的正确选择和制作工艺的研究。     

离子辅助制备碳化硅改性薄膜

介绍了一种利用霍尔型离子源辅助电子束蒸发,在反应烧结碳化硅(RB-SiC)材料上制备硅改性薄膜的方法,研究了不同沉积速率下薄膜改性后的抛光效果.对样品进行了表面散射及反射的测量.通过样品的显微照片可知,硅膜层在沉积速率增大的条件下结构趋于疏松.在精细抛光镀制有硅改性薄膜的反应烧结碳化硅样品后,表面散射系数减小到1.46%,反射率接近抛光良好的微晶玻璃.温度冲击实验和表面拉力实验表明:硅膜无龟裂和脱落,性质稳定,与碳化硅基底结合良好.     

硅霍尔元件的温度补偿方法

霍尔元件与一般半导体元件一样,对温度的变化很敏感。由于半导体材料的电阻率、迁移率和载流子浓度都随着温度变化,所以霍尔元件的性能参数,如内阻、霍尔电势等也随温度变化。对于硅霍尔元件来说,内阻对温度的变化更为敏感,在许多应用场合这是很讨厌的,要求避免或削弱其影响。为了在使用过程中让霍尔电势稳定,一般都采用恒流源供电。这是很必要而且很见效的措施,但对于精度要求较高的场合,如对某些物理量的检测系统中,光靠恒流源只能部分地解决间题,即只能     

微拉曼光谱法检测非制冷红外焦平面阵列残余应力

实验所采用的非制冷红外焦平面阵列由Si O2薄膜和硅基底组成,具有MEMS微结构。热氧化生成Si O2薄膜过程中会因热失配和晶格失配而产生很大的残余应力,其大小影响微元件的整个性能,对其检测至关重要。利用微拉曼光谱法对两个Si O2薄膜/硅基微结构的进行了残余应力检测。实验结果表明,硅层横截面上残余应力随着深度的增大而递减,近似成二次曲线分布,并结合力平衡概念和微积分方法,计算出两个试样的薄膜残余应力大小分别为3.3 GPa和2.2 GPa。对薄膜微小单元体进行应力分析,得出薄膜残余应力为压应力。在应力释放过程中,达到GPa量级的残余应力会使薄膜皱曲、弯曲,产生鼓峰,甚至会造成膜层的破坏失效。     

用霍尔传感器测量大电流

利用霍尔效应制成的霍尔效应大电流计,其特点是结构简单、成本低廉、准确度高。在很大程度上与频率无关,便于远距离测量且不需断开回路。 电流的测量是通过霍尔元件检测通电导线周围的磁场来实现的。下面介绍几种用霍尔元件测量大电流的方法。 1． 导线旁测法 见图1所示,将霍尔元件放在通电导线附近,通一恒定电流,用以测量被测电流的磁场,可从元件输出的霍尔电压中确定被测电流的值。 此方法的特点是结构简单、操作方便,但测量精度较差,受外界干扰较大,只适用于一些不重要的场合。 2． 导线贯穿磁芯法 用铁磁材料做成磁导体的铁芯…     

高灵敏度InSb霍尔元件

本文介绍了高灵敏度、低价格薄膜Insb(锑化钢)霍尔元件的原理、结构、制造工艺流程及其性能。