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强磁性金属薄膜磁敏电阻在自动控制系统中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
陈堂敏 《仪器仪表与分析监测》2000,(4):7-19
本文提出了强磁性金属薄膜磁敏电阻RCM01在几种典型应用中的解决方法。 相似文献
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InSb磁敏电阻与传感器及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
王文生 《仪表技术与传感器》1993,(4):6-9
本文叙述了InSb磁敏电阻及以这种磁敏电阻为核心部件构成的各种磁敏传感器的工作原理、结构、技术性能以及它们在各个科技领域中的应用。 相似文献
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低功耗磁敏电阻的研制及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了用铁磁性薄膜制作的低功耗强磁体磁敏电阻的工作原理,制作方法及其典型应用。该元件具有输出灵敏度高,功耗低的特点,对弱磁场检测和用电池供电的场合下应用,具有特殊的优势。 相似文献
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功能复合材料即铟锑—镍锑(InSb—NiSb)是一种高性能磁阻材料。当外加磁场变化时,这种材料本身的电阻值发生数倍变化。利用这一性质,它可以制成多种精密的传感器和电子器件。这种材料在我国已研制成功。它的优异性能和广泛的应用前景正在不断地被认识,它的开发与应用日趋广泛。由它制成的多种传感器具有各种高性能,它们的出现必然对我国未来几十年工业技术产品的升级,更新换代,赶超世界先进水平起到重要的作用。 相似文献
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本文叙述了用锑化铟磁阻元件制成的无接触磁敏传感器的特点、种类、理论基础、工作原理和元件性能,并将国产W—1型锑化铟磁敏电位器与国外同类最佳产品作了比较。 相似文献
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简要介绍了磁敏电阻转速传感器的敏感元件——InSb磁敏电阻的工作原理。设计了一种可以判别齿轮转向的判向测速电路,并给出了对应于判向与倍频功能的时序图。测速时对传感器输出信号进行了四倍频,提高了测速精度。采用高性能的可编辑逻辑器件(PID)GAL16V8代替了通常的分立器件,实现判向倍频的功能,简化了外围电路,提高了判向测速电路的稳定性和可靠性。 相似文献
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零功耗威根德磁敏传感器 总被引:1,自引:0,他引:1
赵育恒 《仪表技术与传感器》1996,(10):11-14
威根德效应磁敏传感器不需要电源,却能输出幅度高达3~5V以上的电压脉冲,可以直连微处理器,因此,特别适合于电池供电的智能仪表。本文介绍了其工作原理、应用方法,以及我们研制的威根德传感器的技术性能。 相似文献
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InSb磁敏电阻脉冲涡流传感器的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
脉冲涡流检测方法是涡流检测技术的一个新兴分支。因脉冲信号频带很宽,比单一频率正弦涡流衰减慢,其瞬态感应电压信号中就包含了有关缺陷的重要信息。本文分析了InSb磁敏电阻作为脉冲涡流检测元件的工作原理,设计了探头结构和调理电路,有效抑制了环境温度的干扰,并分析了应用InSb磁敏电阻的涡流探头检测金属裂纹特征的信息提取方法。实验结果表明,采用InSb磁敏电阻作为脉冲涡流检测传感器,具有较高的裂纹灵敏度,且可以较好地反映裂纹的深度。 相似文献
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开关型CMOS霍尔磁敏传感器的设计 总被引:1,自引:2,他引:1
介绍一种开关型CMOS霍尔磁敏传感器的设计,采用正交电流的方法和斩波稳零放大器来实现对失调电压的抑制和有效信号的放大,并通过一个定时控制电路实现对整个芯片的管理,在保证测量灵敏度的条件下,使电路中功耗较大的信号检测和放大部分周期性地进入睡眠状态,大大降低了芯片的功耗。同时芯片还实现了对双磁极信号的检测。 相似文献
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一种新型的磁敏传感器 总被引:4,自引:0,他引:4
利用铁基纳米微晶材料的磁敏特性和LC反馈式振荡器的特性,设计制作了一种新型的磁敏传感器,并对其性能进行了测试,实验结果表明,该传感器具有良好的性能,可用作弱磁场探测、磁敏开关等. 相似文献
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提出用“衔接”法扩展角位移传感器量程的结构设计与线路设计,使传感器量程扩展1倍(达±90°~±180°),且精度优于1%。 相似文献
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磁敏元件/传感器及其工业应用 总被引:1,自引:0,他引:1
一 磁敏元件及传感器概述
随着科学技术水平的不断提高,磁敏元件和传感器在信息产业、工业自动化、交通运输、电力电子技术、家用电器、医疗设备等行业得到了快速普及和发展,特别是在工业测量和控制领域已经越来越成为不可或缺的产品。 相似文献
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赵奉先 《仪表技术与传感器》1999,(3):10-11
介绍了磁敏传感器中测装置建立50mT恒定磁场,以便加磁测试磁敏传感器元件芯片VH参数以及为使磁场激磁电流恒定,电流大小可调整设计的可调恒流电源。 相似文献
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介绍基于强磁体磁敏元件的微功耗脉冲传感器特点、工作原理及结构,并将其应用于电子流量计中。研究结果表明,该微功耗脉冲传感器应用于电子流量计中,具有很好的微功耗特性,很强的高、低频信号采集与输出性能,大幅提高了计量仪表的性能和计量精度。 相似文献
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本文论述了薄膜磁敏元件对基片的要求,依此要求选择硅和高密度铁氧体为基片,上部制备SiO2作绝缘膜。重点讨论了用射频溅射法制备SiO2膜。文章就溅射条件和膜特性进行了实验,给出实验结果。 相似文献