JF-69型晶体管伺服放大器

JF-69型晶体管伺服放大器是为配合XWD、XQD系列电子电位差计及电子平衡电桥而设计试制的。本文阐述了该放大器同国内现有晶体管放大器及国外同类型晶体管放大器相比较而具有若干优点,并阐述了放大器与伺服电动机的匹配问题,同时,提出了提高系统稳定性的简便而有效的措施。衡量一个伺服放大器的优劣,不应孤立地观察伺服放大器的性能指标,而应该从伺服电动机的特性来衡量其优劣。这是一个很重要的看法,但它往往被人忽略。文中的分析对设计性能更好的新伺服放大器也有指导意义。     

显示仪表中晶体管放大器的故障检修方法

显示仪表中晶体管放大器的故障检修方法我国统一设计的自动平衡式显示仪表采用的晶体管放大器中主要元器件有变压器、变流器、电阻、电容和晶体管等。大量的检修实践证明：晶体管放大器的故障除了设计和工艺因素外，绝大多数原因是由元器件发生故障所引起的。当元器件发生...     

硅衬底氮化镓功率器件关键技术研究

旨在研究硅基GaN功率开关器件产品关键技术和工艺。采用低成本硅衬底,通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN薄膜和GaN/AlGaN异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)。利用现有成熟硅半导体工艺设备和硅衬底GaN薄膜芯片制备关键设备,研究硅基GaN功率器件工艺融合技术,基于压痕散热片和多铝线封装工艺,改善大电流注入下芯片的电流分布,提高产品可靠性。     

JFC—B型晶体管放大器测试设备及其使用

JF型晶体管放大器是自动电子电位差计和自动平衡电桥记录仪表配套用的关键部件,它性能好坏直接影响仪表的测量误差和各项性能指标。该测试设备是按照(JB1274     

低噪声晶体管放大器的计算机优化设计

本文根据晶体管混合π噪声模型[1],应用计算机辅助设计的方法,对低噪声晶体管放大器进行了优化设计。解决了低噪声晶体管放大器的最佳工作点和最佳源电阻的计算问题。为低噪声晶体管放大器的设计提供了一种适用的方法。作者编制了供低噪声设计用的噪声程序,并将用该程序设计的结果与文献[1]中提供的晶体管噪声测试结果作了对比,证明本文提出的低噪声设计方法是正确的。     

基于多通道锁相放大器的硅微半球谐振陀螺性能测试方法

针对硅微半球谐振陀螺的性能评测问题,研究了一种利用多通道锁相放大器(HF2LI)的快捷、有效测试方法。该方法首先利用多通道锁相放大器对硅微半球陀螺进行扫频,得到硅微半球陀螺的谐振频率和两模态的频差。再记录硅微半球陀螺谐振信号的衰减过程,通过MATLAB指数拟合,从而求得硅微半球陀螺的品质因数。再对调谐电极和模态电极同时施加直流偏压可实现两模态匹配,进而利用该锁相放大器的解调、PLL、PID等模块构建驱动闭环和敏感开环检测系统,测得硅微半球陀螺的标度因数和零偏不稳定性等参数。测试结果表明,该方法具有简单、快捷和有效等特点,可广泛应用于MEMS谐振器件的性能参数测试。     

基于Multisim电路特性分析的PID伺服放大器设计

该文介绍了PID控制和伺服放大器的原理,给出了PID伺服放大器电路设计的过程及相关计算。应用Multisim强大的电路仿真功能,对伺服放大器电路原理图进行特性分析,并对所做的电路板进行实物测试,试验证明与仿真结果相符。     

硅二极管精密恒温器

用硅二极管作温度敏感元件,可以用一个廉价的运算放大器将温度控制到小于±0.05℃的范围内。例如1N4148型二极管具有典型的温度系数:-2毫伏/1℃。线路如图所示。温度由电阻电桥调节,由二极管 D_1传感并由加热元件——电阻 R_1来保持。当温度太低时,控制电压 V_1趋向负,将运算放大器的输出限制在12～14伏。晶体管 Q_1     

实现运动控制的新途径——简介日本三菱PLC的运动控制模块

人们过去常把构成速度反馈环和位置反馈环,并驱动电机的电子电路,即伺服放大器,看成是运动控制系统的核心。但在把微机技术引入运动控制的进程中,却形成了二种不同的途径。一种是将运动控制器与伺服放大器合为一体,成为新一代的以微机为核心的伺服放大器,使之在原有基本功能上加     

带回油节流孔的双喷嘴挡板放大器

双喷嘴挡板放大器是一种广泛应用的液压放大器,主要用作两级电液伺服阀的前置级,也用来制成单级伺服阀。目前电液伺服阀中的双喷嘴挡板放大器,一般都有回油节流孔。带回油节流孔的双喷嘴挡板放大器及其等效电路如图1所示。     

电液伺服阀阀套,阀芯加工

在电液伺服阀中,阀套和阀芯组成滑阀副,用作功率级液压放大器;在某些电液伺服阀中,还用作前置液压放大器。这对滑阀副是影响伺服阀性能的关键件。其主要技术     

晶体管放大器原理及常见故障分析

阐述了晶体管放大器的原理,较详尽地介绍了晶体管放大器运行使用中经常或可能出现的各种故障,并具体分析了故障原因及诊断方法。     

电液控制系统中电流负反馈放大器内阻及放大倍数的计算与测量

以一伺服放大器为例,推导了电液控制系统中应用的电流负反馈放大器(伺服和比例放大器)的等效内阻及等效电压放大倍数的计算方法。介绍了上述特性参数的测试方法,计算与实测结果具有很好的一致性。     

碳纳米管制成的微处理器面世

<正>英国《自然》杂志8月28日发表了一项计算科学最新进展:美国麻省理工学院团队利用14 000多个碳纳米管晶体管,制造出16位微处理器。其设计和制造方法克服了之前与碳纳米管相关的挑战,将为先进微电子装置中的硅带来一种高效能替代品。电子器件中所用的硅晶体管正达到一个临界点,无法进行有效扩展以推动电子学的进步。而碳纳米管是一种潜在的可用于制造高效能器件的替代材料,又名巴基管,重量很轻,结构特殊——主要由呈六边形排列的碳原子构成数层到数十层的同     

履带板疲劳试验台电液伺服控制系统建模与仿真

伺服放大器是电液控制系统中的第一环节,其性能优劣直接影响着系统控制性能和可靠性。文中通过对疲劳试验台电液伺服系统分析,建立阀控缸系统的数学模型,推导出输出位移、负载压力传递函数。用MATLAB对系统进行动态仿真和校正,根据仿真结果设计和选取伺服放大器。     

ZPE─1534A型电动伺服放大器

ZPE－1534A型电动伺服放大器是和ZAZM功率执行器配套使用的一种新型伺服放大器，它广泛适用于中小企业生产自动化过程控制，其特点是体积小，重量轻，结构简单，使用方便，价格低廉，易于推广使用。电动伺服放大器实质上是一种“驱动转换器”，输入信号为0~10mA电流信号，...     

一种CMOS磁敏传感器

一、前言为将磁敏感结构作为硅传统集成电路的一部分集成起来,发展了一种集成电路。它们一般用作位置传感器(如用在键盘、机床电机上等),磁电极,交流/直流电流传感器等。第一个磁敏MOS器件是由Gallagher和Corak发明的MOS霍尔元件。这种器件可以获得10~3V/AT的灵敏度。由Fry和Hoey设计的一种对漏MOS晶体管电路可     

数控交流电机变速控制系统问世

一种可使普通三相异步电机实现自动调速的多功能数控交流电机变速控制系统 ,日前在西安天宝仪器设备厂研制成功 ,各项性能指标达到国外同类产品水平。多功能数控交流电机变速控制系统以大功率晶体管模块CTP为功率驱动级 ,以通用单片微机为控制系统 ,通过调压调频方式实现对电动机变速调节。调节装置采用了交流伺服新技术 ,驱动器配有 1 6位至32位微机处理器 ,驱动级采用大功率晶体管模块器件 ,与原有交流伺服相比 ,具有响应快、不需维护、噪声低、无火花干扰、工作性能稳定等优点。在玻璃生产过程的玻璃辊道、加速辊道和玻璃横切等工艺采…     

三维晶体管阵列有望打破摩尔定律

<正>目前,用于计算机处理器的硅集成电路正接近单个芯片上晶体管的最大可行密度,至少在二维阵列中是这样。摩尔定律看似已难以维持。美国密歇根大学一研究团队却另辟蹊径,将晶体管阵列带入三维空间,在最先进的硅芯片上直接堆叠第二层晶体管。这一研究为开发打破摩尔定律的硅集成电路铺平了道路。摩尔定律认为,集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔两年便会增加一倍。目前硅集成电路的晶体管密度已接近极限。而随着硅晶体管尺寸变得越来越小,它们的工作电压也在不断下降     

非晶态硅的等离子体化学反应制备技术

非晶态硅是近十多年来迅速发展起来的新型电子材料。它在能源器件—太阳能电池等多种器件和集成电路中都有重要的应用。等离子体技术是一种新技术,其应用范围十分广阔,也是制备非晶态硅的主要方法。本文阐述了等离子体的产生及其特性,等离子体化学反应和非晶态硅薄膜的制备技术,给出了工艺参数和若干测量结果。