首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 218 毫秒
1.
介绍一种新的弱磁场测量方法,利用巨磁阻传感器,测量较为微弱的磁场信号,采用恒流供电,优化了传感器的供电模式,改善了传感器在弱磁场范围内的线性特性。设计低噪声、低失真的放大电路对传感器输出的信号进行放大,采用调零电路改变放大电路的输出来抵消外界静磁场的干扰。  相似文献   

2.
针对现有磁场式直线时栅位移传感器行波磁场产生过程中,齿槽的存在影响行波磁场的匀速性,提出基于平面线圈线阵的直线时栅位移传感器。无齿槽的结构形式提高了行波磁场的匀速性,可实现大极距下的高精度测量。传感器将施加正交信号的两相励磁线圈相间排列形成平面线圈线阵,产生的行波磁场通过磁场拾取线圈感应出电行波信号,处理后得到位移量。通过电磁场分析软件对传感器进行建模仿真,根据仿真结果得到测量误差;通过理论分析对测量误差进行分析溯源,并根据分析结果对传感器结构进行优化。基于分析和优化结果研制出传感器样机,并进行了精度实验。实验表明,传感器在240 mm内测量精度为±1μm,实现了精密测量。  相似文献   

3.
本文提出了一种直流大电流的测量方法。直流电流信号首先经磁路转换成磁场信号,然后经霍尔传感器将磁场信号变换成电压信号后,输出到仪表放大器和单片机进行处理并显示被测电流数值。  相似文献   

4.
漏磁检测因其显著的技术优势,被广泛应用于无损检测铁磁性构件中的缺陷,尤其是在油气管道的内检测领域。 漏磁 检测信号的空间分辨率由传感器的排布密度决定,但传感器的排布密度受其尺寸限制,尤其是对单排传感器。 因此为提升检测 信号的空间分辨率,传感器的多排、错排布置是简单易行的方法。 由于多排传感器所处位置的背景磁场不同,不同背景磁场对 检测信号的影响规律尚不清晰,因此需要对以上问题进行理论分析,并提出对多排传感器检测数据进行修正的方法。 本研究基 于磁荷理论,将缺陷检测信号划分成背景磁场和缺陷漏磁场两部分的叠加,给出了两者叠加的规律。 基于此提出了对多排传感 器的检测数据进行修正的方法,并通过 COMSOL 仿真和实验结果验证了所提方法的有效性。  相似文献   

5.
非晶丝磁电阻抗效应新型磁场传感器   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了利用近零磁致伸缩系数钴基非晶态合金丝材料(Fe0.06Co0.94)72.5Si12.5B5的磁电阻抗(MI)效应制作的新型弱磁场传感器采用含有丰富谐波分量的窄脉冲电流作为励磁信号对非晶丝直接励磁,使传感器具有灵敏度高、响应快的优点.对传感器的工作原理进行了分析,并设计了传感器的信号调理电路.它可应用于弱磁信号检测领域。  相似文献   

6.
李福泉  冯洁  陈翔  石海平 《光学精密工程》2010,18(11):2437-2442
实现GMR生物传感器对磁珠及其偶联的生物分子的定量检测,必须考虑磁场方位及磁珠位置和磁珠团聚对检测方法的影响。本文首先利用Comsol软件模拟了这3个因素对GMR传感器输出信号的影响,模拟结果表明,外磁场倾斜、磁珠位置偏离电阻条中心和磁珠团聚均会使信号减小,其中外磁场倾斜影响尤甚;当外磁场倾斜为0.5°时,磁珠的信号会减小80%。为了与模拟结果进行比对,制备了与模型相同的线宽为5μm的GMR生物传感器,并测量了输出信号与磁珠覆盖率的关系。测试结果显示,二者呈线性趋势,但与线性关系存在一定程度的偏离。另外,当磁珠覆盖率为23.6%时,实验测得的信号为63μV,比模拟结果的247μV偏小。实验显示这两种偏差均源于前述3个因素对GMR信号的影响。因此,用GMR传感器对磁珠进行定量检测时,为使信号大小与磁珠个数呈线性关系,应保证以下测试条件:外磁场尽可能垂直于传感器平面;测试过程中外磁场倾斜角不能变化;设法使磁珠集中于电阻条中间区域;尽量保证磁珠不团聚。  相似文献   

7.
基于磁场测量的行程传感液压缸技术的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
潘峰  丁凡 《中国机械工程》2003,14(2):110-112
对基于磁场测量的行程传感液压缸技术的磁性标尺,传感器结构及布置方法,信号处理方法等进行了研究,通过理论分析确定了传感器部分的测量磁路结构参数,提出了磁性标尺的帧重叠编码方法,通过对双磁敏传感器布置形式的研究,提出了消除间隙影响的信号处理方法,实验结果证明,各项技术能够应用于行程传感液压缸。  相似文献   

8.
铆接结构缺陷检测中远场涡流传感器的优化设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
飞机机身多层铆接结构厚度较大,结构复杂,传统无损检测方法难以用于对其进行外场检测。远场涡流检测技术不受集肤效应的限制,可穿透较大厚度的被测试件,对铆接结构中缺陷的检测具有潜在优势。为在铆接结构中实现远场涡流效应,从信号增强与磁场抑制两方面入手,设计一种新型平板远场涡流传感器。信号增强方面,给激励线圈加装磁路来聚集和引导磁场,从而增强间接耦合磁场;磁场抑制方面,在激励线圈与检测线圈之间加装磁场抑制单元来抑制直接耦合磁场。通过信号增强与磁场抑制的共同作用,从而在铆接结中实现远场涡流效应。围绕传感器设计这个核心,对信号增强单元以及磁场抑制单元的尺寸形状、材料组成进行仿真研究,综合得出最优的传感器设计方案。仿真与试验的结果验证了将远场涡流检测技术应用于铆接结构中缺陷检测的可行性。  相似文献   

9.
本文提出一种基于隧道磁阻(TMR)传感器和噪声注入卷积神经网络(NBCNN)、长短期记忆网络(LSTM)、注意力机制动态集成神经网络预测模型(NBCNN-LSTM-Attention)的双边永磁同步直线电机气隙磁密新型非侵入式测量方法。首先,建立直线电机气隙磁场的解析模型和有限元模型作为数据基础,探寻直线电机的外部空间杂散磁场和内部中心气隙磁场存在非线性映射关系。其次,引入TMR传感器测量直线电机外部杂散磁场信号,并对传感器的安装位置进行优化,将内外一维磁密信号进行相似度特征匹配,以获取传感器最优测量位置。然后,将电机外部杂散磁场数据作为输入,内部气隙磁场数据作为输出,建立NBCNN-LSTM-Attention网络的内外磁场高精度映射模型,实现“用外代内”的非侵入式气隙磁密高精密测量。最后,搭建直线电机气隙磁密测量实验平台和高斯计对比测量实验平台,验证了本文所提方法的先进性和优越性。  相似文献   

10.
研究了铁磁性材料试件,在弱磁激励条件下进行疲劳拉伸,并检测试件表面沿拉伸方向表面磁场信号的变化及其分布特征。选用16MnR进行试验,对预制缺陷的试件进行弹性范围内的疲劳拉伸。利用基于巨磁阻芯片的阵列式传感器探头进行不同拉伸阶段的试件表面磁场扫描测量,并对信号进行滤波处理和对本征信号及其梯度进行成像。对不同拉伸阶段和传感器阵列中不同传感器通道的磁信号进行了分析,探讨了弱磁激励状态下疲劳拉伸试件表面磁信号对无损性评估铁磁性机械试件的有效性。  相似文献   

11.
本文研究了矿用圆环链焊口缺陷的漏磁场特性,提出了利用Hau元件检测圆环链焊口的缺陷,设计并研制了缺陷信号识别传感器,进而可实现对圆环链的在线、实时、无损检测。  相似文献   

12.
绝对式多极磁电轴角编码器的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了实现多对极磁电式轴角编码器的高分辨率绝对式检测并降低其成本,基于改进格雷码构建了一种新型多极磁电轴角编码器模型,提出一种基于校准查表的信号处理方式,以消除磁场非线性和装配误差对测量精度的影响。设计了两个由永磁体磁环构成的码道:粗码道,根据改进格雷码生成N和S极充磁顺序,采用圆周均匀分布的线性霍尔元件得到转子所处磁极区域的绝对偏移量;细分码道,N和S极等距间隔排列,定子上3个线性霍尔元件将磁信号转换为电信号,查表得到转子于所处信号周期内的相对偏移量。在离线状态下,用高分辨率的增量式光电轴角编码器进行校准,对其A/B相脉冲输出和磁电式轴角编码器的霍尔信号同时采样并上传到计算机进行高精度信号重构,得到标准角位移和霍尔信号映射关系,通过单片机的自编程技术将数据存储于主控芯片中固定地址以供查表;角位移检测状态下,根据霍尔信号查表得到绝对角位移。根据上述原理研制出12极磁电式轴角编码器样机,实现了分辨率为±0.72′,精度达±1.2′以下的单圈绝对位置检测。该编码器通过增加磁极数还可进一步提高测量精度。  相似文献   

13.
磁性液体兼具液体材料的流动性和固体材料的磁性,能够在重力场和磁场的作用下长期稳定存在。磁性液体具有独特的一阶浮力特性,在磁场梯度的作用下能够悬浮起比自身密度大的非磁性物体。基于磁性液体的一阶浮力特性,设计了一种新型的磁性液体触觉传感器。当接触压力作用在悬浮触棒的非磁性触点时,悬浮触棒的移动将引起霍尔元件处的磁场变化,进而输出电压信号。该结构能够进行接触压力、表面轮廓和微小位移的同时测量。该触觉传感器体积小,相比于传统的硅片式触觉传感装置成本更低。磁性液体相比于固体材料来说,能够在系统中起到缓冲吸能的作用,进而提高了传感器系统的耐冲击性。在0~0.09 N的接触压力测量范围内,测量精度能够达到10-2 N量级,灵敏度3.34 V/N,线性度误差3.4%,迟滞误差1.4%,分辨率1.1%F.S.。  相似文献   

14.
高精度DY稳恒磁场测试仪的研制及应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文首次将霍尔效应与锁相技术结合起来,制成高精度稳恒磁场测试仪,并采用回归分析法,成功地用于监视器偏转线圈,特别是各种永磁校正元件的磁场分布的测量及分析,能对优化偏转线圈的结构,永磁校正元件的设计工作提供实际的指导。  相似文献   

15.
We developed a technology of sub-micrometer Hall probes for future application in scanning hall probe microscopy (SHPM) and magnetic force microscopy (MFM). First, the Hall probes of ∼9-μm dimensions are prepared on the top of high-aspect-ratio GaAs pyramids with an InGaP/AlGaAs/GaAs active layer using wet-chemical etching and non-planar lithography. Then we show that the active area of planar Hall probes can be downsized to sub-micrometer dimensions by local anodic oxidation technique using an atomic force microscope. Such planar probes are tested and their noise and magnetic field sensitivity are evaluated. Finally, the two technologies are combined to fabricate sub-micrometer Hall probes on the top of high-aspect ratio mesa for future SHPM and MFM techniques.  相似文献   

16.
A method for in situ Hall effect measurement under high pressure was developed on a diamond anvil cell. The electrode was accurately integrated on one diamond anvil with regular shape. A uniform and strong magnetic field was introduced into the sample zone. The voltage errors brought by some negative effects during the measurement were well eliminated. The correction factor of the Hall coefficient, brought by the nonpoint contact between the electrode and the sample, was 4.51%. The measurement error of the magnetic field did not exceed 1%. The carrier character of ZnTe powders was studied up to 23 GPa. The evolution of conductivity with pressure was explained based on the variation of the carrier behavior.  相似文献   

17.
斜拉桥缆索缺陷检测系统的研制   总被引:2,自引:0,他引:2  
由于斜拉索在斜拉桥中的重要地位 ,有必要研究斜拉索的检测问题。本文提出采用漏磁场原理检测斜拉索的断丝和磁桥路原理检测缆索的锈蚀 ,并研制了斜拉桥缆索检测系统。实验表明 :用磁性方法检测缆索缺陷是可行的  相似文献   

18.
The possibility of using Hall effect devices for measuring strong pulsed magnetic fields is studied. The Hall effect devices with a∼10-mV/T sensitivity, based on 1- to 3-μm-thick n-type InAs polycrystalline films with a 103-cm2/(Vs) electron mobility and ∼1018-cm-3 concentration, are used. It is established that the Hall effect voltage of these devices is a linear function of the field in magnetic fields with an induction of up to 56 T, and they are suitable for measuring unipolar strong pulsed magnetic fields at induction variation rates of up to ~105T/s. It is necessary to use more sensitive Hall effect devices to obtain higher signal-to-noise ratios for rapidly measuring alternating fields.  相似文献   

19.
A technique for Hall measurements under truly hydrostatic pressures to 40 kilobars is described. The method employs the piston-cylinder apparatus with a Teflon cell to contain a suitable fluid. The necessary magnetic field is generated by a coil placed inside the cell. Hall data can be obtained over the full pressure range, at temperatures from 150 to 300 K. Results for an Al(x)Ga(1-x)As sample are presented as an example.  相似文献   

20.
Konstantin Dimitrov   《Measurement》2007,40(9-10):816-822
This paper presents the design of a new 3-D Hall sensor compatible with standard silicon IC technology and optimization of its characteristics through originally realized amperometric scheme. This magnetic Hall effect sensor is intended to be fitted at the tip of a catheter for use in a magnetic-based navigation system for endovascular interventions. Unfortunately, at present the general feeling is that vector Hall sensors cannot be used for clinical trials, mainly because of their large size and low sensitivity. Proposed 3-D silicon Hall sensor has denied suspicions with its advantages: simultaneous on line 3-D measurement of the magnetic field components; high spatial resolution 150 μm × 150 μm × 100 μm; the lowest detected magnetic induction of the three output channels is about 15/20 μT; magnetosensitivities of the three channels at a supply current 10 mA reach 360 μA/T for Bx and By, 250 μA/T for Bz, respectively.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号