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芳纶无纬布的制备及其抗弹性能研究 总被引:6,自引:1,他引:5
优化了芳纶无纬布的制备工艺,根据弹丸对芳纶无纬布层压板的冲击试验结果,对芳纶无纬布层压板的抗弹机理以及不同芳纶织物结构的抗弹性能进行了研究,同时研究了面密度对无纬布抗弹性能的影响。结果表明:无纬布相对于其它织物结构具有较优的抗弹性能,当无纬布具有较低的面密度时,其层压板的抗弹性能也较好。 相似文献
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燃烧法合成高纯度负热膨胀材料ZrW2O8粉体 总被引:13,自引:1,他引:12
采用燃烧法在较低温度下成功合成了各向同性的负热膨胀材料ZrW2O8粉体.用X射线衍射、扫描电镜、红外光谱综合分析和研究了反应过程中炉温、硼酸和尿素含量、W6 与Zr4 的摩尔比对合成ZrW2O8纯度的影响.结果表明:燃烧法可以合成高纯度、粒径为0.5μm的ZrW2O8粉体.燃烧法合成高纯ZrW2O8的最佳条件是:炉温为500℃,硼酸的摩尔分数为10%,(NH2)2CO与(NH4)5H5[H2(WO4)6]·H2O ZrOCl2·8H2O的质量比为2∶1,(NH4)5H5[H2(WO4)6]·H2O与ZrOCl2·8H2O的摩尔比为1∶3.2.所合成的ZrW2O8在50~700℃之间的线膨胀系数a=-5.08×10-6/℃,其线膨胀系数与温度的关系符合方程dL/L0=-1.4×10-2-4.5×10-4T(50℃≤T≤700℃). 相似文献
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用杉木木粉浸渍高分子先驱体有机硅树脂,改变烧结温度和保温时间制备 SiOC 多孔木质陶瓷。用 X 射线衍射、扫描电子显微镜、红外光谱及热分析对样品的物相及微观结构进行了表征,并用四探针法测试样品的电学性能。结果表明:样品由 SiOC 玻璃相、α-石英和自由碳组成,化学结构主要含有 Si—O,Si—O—R,Si—C,C=C 和 C—H2。α-石英颗粒呈球状分布在样品的孔洞表面。样品在 Ar 中具有较好的热稳定性。但由于 SiOC 玻璃相和自由碳的氧化反应,样品在 O2中的质量损失较大。当烧结温度达 1200 ℃,保温 1h 时,样品具有较低的体积电阻率(0.03 ·cm)。 相似文献
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通过分部固相法制备ZrW2O8粉体。以ZrW2O8、CuSO4·5H2O(分析纯)和无水Na2CO3(分析纯)为原料,采用非均匀沉淀法制备了Cu包覆ZrW2O8复合粉体,并利用XRD、SEM、EDS测试手段,分析包覆粉的物相和形貌,研究了反应液浓度、表面活性剂、反应液滴加速度等反应条件对包覆效果的影响。研究表明:通过非均匀沉淀法可以制备Cu包覆ZrW2O8复合粉体,其关键是控制反应液的浓度和滴加速度,同时,不同分子量的表面活性剂对包覆前驱体的分散性影响很大. 相似文献
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不同处理条件对前驱体转变成ZrW2O8的影响 总被引:3,自引:1,他引:2
利用分析纯氯氧化锆(ZrOCl_2·8H_2O)、钨酸(H_2WO_4)、氨水(NH_3·H_2O)作为原材料制备了ZrW_2O_8前驱体。通过对前驱体XRD,SEM和TG-DSC分析,研究了不同处理条件对前驱体转变成立方晶系ZrW_2O_8过程的影响。前驱体在1 100℃分别加热1,2h和5 h后的产物为单斜晶系WO_3和ZrO_2。在1 150℃分别加热0.5,1 h和1.5 h后产物为ZrW_2O_8和WO_3。Zr/w摩尔比为1∶2.5,1∶2.2和1∶2的前驱体,在1150℃保温1.5 h后产物为ZrW_2O_8和WO_3,但相同处理条件下,Zr/W摩尔比为1∶1.8和1∶1.5时,其产物为ZrW_2O_8和ZrO_2。研究结果表明:Zr/w摩尔比为1∶1.8的ZrW_2O_8前驱体,经1 150℃保温1.5 h,所合成的ZrW_2O_8粉末的X射线衍射峰为较好的单一峰。 相似文献
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SiCp颗粒复合对ZA27合金耐磨性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
用铸造法制备了SiCp/ZA27复合材料,用MM200磨损试验机,测定和对比了基体合金和不同颗粒含量复合材料在不同载重下的磨损量。结果表明:在重载条件下,复合材料的耐磨性远高于基体材料。 相似文献
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采用聚氨酯海绵为多孔模板, 浸渍有机硅树脂后在Ar气氛中原位合成了SiC纳米线。采用TG、XRD、SEM和TEM等分析测试手段对样品进行了表征, 研究了保温时间对合成SiC纳米线的影响, 并探讨了SiC纳米线的生长机理。研究结果表明: SiC纳米线生长在多孔陶瓷中, 纳米线长度达几十微米, 单根纳米线的直径不均一。SiC纳米线的生长机理为VS生长模式。随着保温时间的延长, 纳米线的数量增加, 形貌发生了变化, 且多孔陶瓷的比表面积明显增大, 体积电阻率降低。 相似文献
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