电还原MoSe2修饰TiO2纳米管光电化学性能研究

通过阳极氧化法在乙二醇电解液中制备TiO₂纳米管阵列, 以钼酸钠和亚硒酸为原料, 改变原料的浓度配比以及沉积电压, 电化学还原沉积MoSe₂对TiO₂纳米管阵列进行修饰, 以半导体复合的方式提高TiO₂的光电化学性能。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对复合物进行物相、形貌分析, 通过电化学工作站测试复合材料的线性伏安曲线、交流阻抗。结果表明, MoSe₂与TiO₂形成了p-n异质结, 降低了光生电子和空穴的复合以及电荷转移电阻显著降低, 使载流子浓度、光电流密度明显增大。沉积电压为-0.5 V, 2 mmol/L H₂SeO₃沉积30 s, 经过300 ℃热处理的MoSe₂/TiO₂复合材料具有优异的光电化学性能, 在0 V偏压条件下光响应电流密度为1.17 mA/cm ², 是空白样品的3倍, 电荷转移电阻从331.6 Ω/cm ²下降到283.9 Ω/cm ²。当热处理温度为330 ℃时, MoSe₂会发生团聚, 堵塞TiO₂基底, 使得MoSe₂/TiO₂吸光能力减弱, 综合性能变差。     

B 含量对高能积磁体磁性能和耐蚀性的影响

通过调整钕铁硼主元B元素含量研究其对高能积磁体磁性能和耐蚀性的影响,结果表明:磁体中B含量小于5.7%时,合金中出现了易基面的Nd2Fe17相,使Br、iHc都比较低;当添加B超过5.9%时,过量的B形成非磁性的富B相,导致磁体Br下降;当B含量在5.7%～5.9%之间时,磁体有较好的磁性能.显微组织研究表明,B元素影响晶粒的尺寸和形状;磁体耐蚀性能研究表明,当B含量过少或过多时均不利于耐蚀性的提高,B含量在5.76%时为最佳添加量.     

Ru/γ-Fe2O3-Al2O3催化剂在磁稳定床中 苯选择性加氢性能

设计建造了磁稳定床加氢实验装置,以磁性氧化铝为载体,通过浸渍法制备了蛋壳型钌基磁性Ru/γ-Fe₂O₃-γ-Al₂O₃微球催化剂,详细考察了磁性催化剂的制备参数、磁稳定床的操作参数对苯选择性加氢的影响。结果表明磁稳定床的链式操作状态提高了环己烯的选择性,证实了所研制的蛋壳型钌基磁性微球催化剂适用于磁稳定床中苯的选择性加氢工艺,具有较好的应用前景。     

氢还原氢氟酸刻蚀的TiO2纳米薄膜光电化学性能

TiO2是一种价格低廉、稳定的半导体材料,被广泛应用于光催化水裂解、污水处理等众多领域,但其只能吸收高能量的紫外光,限制了实际应用.本工作采用氢氟酸溶液刻蚀纯钛片,然后在一系列温度下对其进行热处理,使其表面与氧气反应生成TiO2薄膜,随后将样品置于氢气气氛下进行还原处理.通过XRD对其进行物相表征,SEM观察微观形貌,利用电化学工作站测试样品的光响应曲线、线性扫描伏安曲线以及电化学阻抗谱,并根据线性扫描伏安曲线计算出样品的光转换效率.结果表明,经过HF处理后,所形成的TiO2纳米薄膜暴露(101)晶面.同时,经过HF处理和氢气还原制备的样品的光电性能有了较大提升,光电流密度最高可达1.04 mA/cm2,是未经HF处理和氢气还原薄膜的11.5倍,是仅经HF处理薄膜的2.97倍,最大光转换效率提升了70％.该方法制备的纳米薄膜材料在光催化降解、产氢等领域具有潜在的应用价值.     

添加Cu和Gd对Nd(DyAl)FeB磁体热稳定性和磁性能的影响

复合添加Cu和Gd以提高烧结Nd(DyAl)FeB磁体的热稳定性和磁性能。Nd(DyAl)FeBGd磁体的可
逆温度系数随Gd质量分数的增大而线性降低，热稳定性得到提高，但Gd的加入同时导致磁体剩磁和最大磁
能积的下降。Nd(DyAl)FeBGd磁体的剩磁和最大磁能积均随Cu加入量的增加而增大，在Cu质量分数为0.2％
时达到最大值，随后Cu的加入将导致剩磁和最大磁能积下降。Nd(DyAl)FeBGd磁体的矫顽力随Cu质量分数
的增大而增大，Cu的加入提高了磁体的烧结密度。通过组织成分分析发现，Cu主要分布在磁体主相边界，
显著细化了主相晶粒。通过添加Cu和Gd可获得热稳定性高和磁性能优良的NdFeB磁体。     

氧化铁/石墨烯原位复合物对铬酸钾吸附性能研究

采用共沉淀法制备Fe_3O_4磁性纳米颗粒以及通过原位生长法制备Fe_3O_4与氧化石墨烯的复合物,并加入十六烷基三甲基溴化铵形成共价键交联反应化合物。采用X射线衍射仪和透射电子显微镜表征样品的形貌与尺寸,并以铬酸钾为吸附对象,研究吸附温度、吸附时间和溶液p H值对Fe_3O_4吸附性能的影响。结果表明,椭圆形颗粒的Fe_3O_4尺寸约(10~15)nm,与氧化石墨烯复合后,分散性明显提高;在室温和p H=3.5条件下,以Fe_3O_4与氧化石墨烯的质量比2∶1复合物作为吸附剂对铬酸钾的吸附效果达到最佳,每克的吸附容量可达251 mg;复合物经过磁分离、反复吸附循环实验6次后,对铬酸钾的吸附率仅下降10个百分点。     

高温900 ℃回火在烧结NdFeB制备中的作用

高温回火处理对烧结钕铁硼磁体性能影响研究表明:经不同高温T1回火处理后再低温T2=600℃回火处理,磁体剩磁Br和矫顽力iHc随T1温度升高而增大,在900℃时有最佳值,进一步升高T1磁体的Br和iHc下降。在相同T2回火条件下,经历高温回火的磁体比未经高温回火的iHc明显更高,但Br较低。而且无论磁体是否经过高温回火,T2从450升到600℃时,Br、最大磁能积(BH)m缓慢增大,iHc显著提高,T2在600℃时磁性能达到最佳。磁体显微组织分析表明:经高温900℃回火可使烧结态的磁体主相内部大量分散的不均匀非晶相消失,而且使晶粒边界变得清晰、均匀,能较好的抑制硬磁性相间交换耦合作用,磁体矫顽力大幅提高。     

双铁电复合材料的制备及其光电化学性能研究

通过模板法制备钒酸铋(BiVO₄)薄膜, 用溶胶-凝胶法制备铁电材料铁酸铋(BiFeO₃)并对BiVO₄进行修饰, 以半导体复合的方式提高BiVO₄的光电化学性能。电化学测试结果表明, 经BiFeO₃修饰后, BiVO₄薄膜的光电化学性能有所提高, 其中经BiFeO₃旋涂5次后的BiVO₄薄膜具有最优的光电化学性能, 光电流密度达到0.72 mA·cm^-2, 较未修饰样品提高了67.4%。利用外场极化调节能带弯曲可以显著地提高BiVO₄/nBiFeO₃铁电复合物的光电化学性能, 复合物经正极化20 V电压处理后的光电流密度最高为0.91 mA·cm^-2, 比BiVO₄薄膜提升了1倍以上, 具有良好的光电化学性能。BiFeO₃与BiVO₄复合后有利于形成异质结, 促进光生电子、光生空穴的产生与分离, 并且外场极化调节能带弯曲使光生电荷加速转移, 是铁电复合物光电化学性能提高的主要原因。     

Nd,Dy含量对高磁能积烧结NdFeB磁性能和耐蚀性影响

稀土Nd、Dy成分含量变化对高能积磁体磁性能和耐腐蚀性有重要影响.结果表明:当Nd含量小于12.77%(体积分数,下同)时,磁体中富Nd相过少,不能很好地去磁交换耦合作用,并导致合金烧结时收缩量少,密度过低.当Nd含量超过12.77%时,形成较多的富Nd相,能很好地隔离主相晶粒起去磁交换耦合作用,促进矫顽力提高,同时磁能积也有比较大的提高,但形成的过量晶间相增加了易腐蚀阳极含量,加剧了晶间腐蚀.添加Dy提高了主相的磁晶各向异性场,细化了主相晶粒,使磁体矫顽力增大,并且添加Dy能提高阳极过电位,有利于磁体性磁能和耐蚀性能的提高.     

二级回火对（NdDy）FeCoCuB磁体磁性能和微结构的影响

研究了二级回火工艺对Nd12.0Dy28Fe747Co34Cu0.2B6.9磁体磁性能和微结构的影响。研究结果表明：二级回火对磁体的剩磁和磁能积影响很小，内禀矫顽力Hcj随二级回火温度升高而增大，在480℃时达到最大；高于480℃后，风随二级回火温度的升高而迅速下降；存480℃二级回火时，执随回火时间的增加而增大，经2h回火达到最大；大于2h后，回火时间的进一步增加对Hcj影响很小；480℃二级回火2h时磁体主相晶粒边界光滑，富稀土相在晶界分布连续、均匀。