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为获得超平滑的GaAs基片表面,以H2O2、CeO2和NH4OH溶液为抛光液,采用化学机械抛光方法对GaAs基片进行了超精密加工.采用田口方法对氧化剂H2O2含量、碱性溶液NH4OH含量、加工载荷、抛光盘转速4个重要影响因素进行了优化设计,得到以表面粗糙度和材料去除率为评价条件的综合最优抛光参数.结果表明,当H2O2质量分数为 30%,NH4OH质量分数为0.08%,加工载荷为18 kPa,抛光盘转速为30 r/min时,可以获得表面粗糙度和材料去除率综合最优的GaAs基片抛光效率. 相似文献
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为解决天线内置型射频等离子体中无氧铜线圈的匝间绝缘问题,本文研究了一种能够在无氧铜表面烧制玻璃绝缘层的工艺,并详细研究该工艺中不同表面处理方式、粘结剂、烧制温度等因素对玻璃绝缘层性能的影响。结果表明:对无氧铜表面进行酸洗预处理相对于碱洗能够显著提高低温釉料在铜表面的润湿性,减少绝缘层表面“孔隙”的产生;同时添加适量的Na2SiO3·5H2O粘结剂能够改善玻璃绝缘层与铜表面的界面结合效果,并提高玻璃绝缘层表面的硬度;此外,绝缘层表面硬度随着烧制温度的升高逐步提高,且绝缘层表面的“孔隙”数量逐步减少;最终根据该工艺制备了表面烧制玻璃绝缘层的无氧铜线圈天线,实现了长时间的放电维持,有效解决了放电过程中匝间的绝缘问题。 相似文献
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目的 基于单颗粒微切削模型,研究分析研磨工艺对HR-2抗氢不锈钢工件表面残余应力的演化规律与产生机制的影响.方法 建立研磨磨粒单颗粒微切削残余应力数学模型,采用正交试验获得研磨工艺参数与表面残余应力大小、磨粒微切削切深和切向力回归方程,利用单因素试验对研磨工艺进行验证,获得研磨工艺参数对表面残余应力大小、表面磨粒切深和切向力的影响规律,并开展单因素试验结果与数学模型计算结果对比研究.结果 试验中,磨粒粒径从10μm变化为50μm时,残余应力从–130 MPa变化至–345 MPa;研磨压力从10 N变化至50 N时,残余应力从–135 MPa变化至–253 MPa;而转速的变化对残余应力结果的影响规律不显著.不同工艺参数试验中,模型所得计算值和试验值误差基本在10%以内.结论 根据正交试验结果和单因素试验得出,研磨工艺对残余应力影响的显著度从高到低为磨粒粒径>研磨压力>研磨转速,磨粒切深和切向力与残余应力关系显著,建立的单颗粒研磨模型可以预测不同研磨工艺参数条件下的残余应力产生规律. 相似文献
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目的 分析不同研磨压力、下研磨盘转速、保持架偏心距和固着磨料粒度对微球精度的影响,确定自转一阶非连续式双平面研磨方式在加工GCr15轴承钢球时的最优研磨参数,提高微球的形状精度和表面质量。方法 首先对自转一阶非连续式双平盘研磨方式微球进行运动学分析,引入滑动比衡量微球在不同摩擦因数区域的运动状态,建立自转一阶非连续式双平盘研磨方式下的微球轨迹仿真模型,利用MATLAB对研磨轨迹进行仿真,分析滑动比对研磨轨迹包络情况的影响。搭建自转一阶非连续式微球双平面研磨方式的实验平台,采用单因素实验分析主要研磨参数对微球精度的影响,得到考虑圆度和表面粗糙度的最优参数组合。结果 实验结果表明,在研磨压力为0.10 N、下研磨盘转速为20 r/min、保持架偏心距为90 mm、固着磨料粒度为3000目时,微球圆度由研磨前的1.14μm下降至0.25μm,表面粗糙度由0.129 1μm下降至0.0290μm。结论 在自转一阶非连续式微球双平盘研磨方式下,微球自转轴方位角发生突变,使研磨轨迹全覆盖在球坯表面。随着研磨压力、下研磨盘转速、保持架偏心距的增大,微球圆度和表面粗糙度呈现先降低后升高的趋势。随着研磨... 相似文献
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