基体温度对磁控溅射沉积ZAO薄膜性能的影响

利用中频交流磁控溅射方法 ,采用氧化锌铝陶瓷靶材 [w(ZnO) =98%、w(Al2 O3 ) =2 % ]制备了ZAO(ZnO∶Al)薄膜 ,观察了基体温度对ZAO薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响 ,采用X射线衍射仪对薄膜的结构进行了分析 ,采用光学分度计和电阻测试仪测量了薄膜的光学、电学特性 ,采用霍尔测试仪测量了薄膜的载流子浓度和霍尔迁移率。结果表明 :沉积薄膜时的基体温度对薄膜的结构、结晶状况、可见光透射率以及导电性有较大的影响。当基体温度为 2 5 0℃ ,Ar分压为 0 8Pa时 ,薄膜的最低电阻率为 4 6× 10 -4Ω·cm ,方块电阻为 35Ω时 ,可见光 (λ =5 5 0nm)透射率高达 92 0 %。     

五氧化二钽薄膜的制备及其I-U特性

本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽 (Ta2 O5)薄膜 ,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量 ,椭偏仪测试了Ta2 O5薄膜的厚度和折射率 ,XRD分析了薄膜的晶体结构 ,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影响。研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的。利用金属 绝缘体 (介质膜 ) 金属 (MIM)结构初步对Ta2 O5薄膜进行了电学性能的测试 :皮安电流电压源测试了薄膜的I U特性 ,制备出的薄膜折射率在 2 1～ 2 2 ,MIM的I U特性曲线显示了较好的对称性和低的漏电流密度     

晶化对等离子喷涂Ni基涂层硬度的影响

采用大气等离子喷涂在低碳钢基底上制备了含有89．2％非晶的NiCrBSi涂层。应用X射线衍射分析和Weibull分布研究了两个晶化温度523℃和628℃下热处理2～6h对涂层微观结构和显维硬度的影响。结果表明，在两个温度下，晶化析出相晶粒大小和涂层的显微硬度Weibull模数都随着热处理时间的延长而增大，涂层均匀性变好。在523℃热处理，随着热处理时间延长，涂层显微硬度增大，在4h时达到最大值，而后下降；628℃热处理，显微硬度在2h时达最大值，而后随热处理时间延长而下降。523℃热处理4h，涂层具有最高显微硬度。     

焊接过程中电弧超声对细化晶粒的影响

电弧不仅是一种热湃，还能被用为一种发射超声的声源。介绍了一种新的超声激励方法，并将其应用于焊接过程的晶粒细化之中。对在核设备中大量使用的低温钢09MnNiDR的实验结果证明了电弧超声在细化晶粒过程中的有效性。还详细地介绍了电弧超声作用的机理。并对电弧超声作用的过程作了进一步的分析。     

电弧超声焊缝跟踪的试验研究

利用声发射探头接收的电弧超声信号进行焊缝跟踪检测。结果表明：对称位置接收到的声发射信号的相位差和幅值差可以作为电弧超声焊缝跟踪的依据。     

电弧超声激发机理的研究

提出以电弧作为可控的“超声发射源”的工作原理，开发了具有一定带宽的激励电源用以激发电弧超声，通过传输线耦合方式与常规弧焊电源进行联机试验。在焊接过程中发现了激发电弧超声的若干谐振频段，记录了电弧超声的频率、幅度和相移。该原理表明，电弧不仅可作为“产热机构”，同时也可作为“超声发射机构”，开拓了电弧在焊接过程自动控制、质量检测等方面应用的新途径。     

影响电弧超声激发强度的参数

为了加深对电弧超声激发的认识,更好的控制电弧超声,研究了影响电弧超声激发强度的参数.首先搭建了一套电弧超声焊接系统信号检测平台,用以记录电弧超声焊接过程中电信号与声信号.结果表明,该系统能够有效的记录试验过程中的信号变化.在此基础上设计试验,测定不同参数条件下,空气中和试板上的电弧超声信号的强度变化趋势,最终得出激励能量是影响电弧超声激发强度的主要因素,并建立了激励能量与激发电弧超声强度间的关系,这为研究电弧超声改善焊接接头组织和性能的作用机制提供了试验数据.     

电镀Ni-Fe-Co合金工艺的研究

对Ni-Fe-Co合金镀液配方进行优化，研究了电镀工艺参数对镀层性能的影响，并获得了具有良好硬度、表面光亮度以及耐蚀性等综合性能的镀层的最佳工艺。试验结果表明：Ni-Fe-Co合金镀层在经过150℃、300℃回火处理后，镀层的硬度和耐蚀性都得到了明显的提高。     

电弧超声改善堆焊和热喷涂质量的试验研究

将电弧超声引入堆焊和热喷涂工艺，进行常规堆焊、等离子喷涂和引入电弧超声技术的对比试验，比较其堆焊层的金相组织、硬度、抗弯性能、冲击韧度和热障涂层的孔隙率、抗热震性能，结果表明：电弧超声的加入能够细化堆焊接头的熔合区组织，降低脆硬倾向，改善堆焊接头的抗弯性能和冲击韧性；由于超声波的空化效应、热效应和机械效应，电弧超声改善了喷涂过程的雾化效果，减小了熔滴的颗粒度和涂层中弥散气孔的尺寸，提高了热障涂层的抗热震性能。试验结果显示了电弧超声技术在堆焊和热喷涂领域的广阔应用前景。     

TiO2薄膜溅射工艺参数对其光催化性能的影响

利用中频交流反应磁控溅射方法制备TiO2薄膜光催化剂,研究了溅射工艺参数对薄膜光催化能力的影响.采用动态反应系统,紫外光源为TUV,降解对象为0.02 mmol/L亚甲基蓝溶液.结果发现:Ar/O2混合反应溅射在O2分压大于9%之后亦可制备出光催化能力与纯O2溅射相近的TiO2薄膜.TiO2薄膜厚度是影响其光催化降解能力的最敏感因素,800 nm以下TiO2薄膜降解能力基本与厚度成正比.TiO2薄膜在黑暗环境下长期放置,光催化性能会出现一定下降,但紫外光预照射可以使其有效恢复.