碳化硅功率器件技术发展综述

第三代半导体SiC因禁带宽、热导率高等优异性能得到广泛关注,SiC功率器件也成为学术界和工业界的研究热点。从SiC材料性质出发,归纳分析了SiC薄膜与SiC功率器件制备工艺,回顾了SiC MOSFET和IGBT器件的发展,讨论了SiC MOSFET和IGBT器件的结构设计优化和性能评估,最后指出SiC器件面临的挑战及发展趋势。     

ENEPIG控制以获得优良封装基板表面处理焊区

本文针对ENEPIG(化镍钯浸金)技术应用于封装基板表面处理,在化镍钯浸金工艺过程中,通过对镍层上化学镀钯控制、浸金控制,获得精确的沉积厚度和金层均匀性,达到良好的接触面。并就浸金过程中的渗金问题进行优化控制,达到焊区小间距的需求。通过对ENEPIG表面处理焊区和电镀镍金表面处理焊区的Wire Bonding(引线键合)能力、可焊性、抗老化能力进行试验比较,验证了本ENEPIG控制技术同时具有优于电镀镍金的引线键合可靠性和锡焊可靠性。本ENEPIG控制技术所获得优异可靠性的表面处理,并且满足无铅组装工艺所有需求,非常适用于封装基板的表面处理制造。     

超声辅助电阻钎焊6063铝合金接头显微组织的演变

近年来,由于超声波独特的理化效应,在焊接过程中被广泛采用,在电阻钎焊过程中施加超声波能获得优质接头,但对于其机理还鲜有研究。本研究采用超声辅助电阻钎焊方法实现Zn-2Al钎料与6063铝合金的连接,研究了声场及电场对接头微观组织演变的影响。结果表明,钎焊过程中施加超声振动能够有效促进钎料与母材形成有效连接,减少缺陷从而形成良好冶金性结合的钎焊接头,且钎缝层微观组织更加均匀细小。另外,超声功率和电流强度均对钎焊过程的溶蚀有显著影响,随着超声功率,母材的溶蚀加剧,钎缝中Al含量增加,共析α-Al相增多;而随着电流的增大,初晶α-Al相增多。     

晶粒尺寸对304L奥氏体不锈钢氢脆的影响

考虑到在预充氢与动态充氢两种加氢条件下的氢扩散、陷阱与位错运动的相互影响存在差异，本文通过重度冷轧和退火处理制备了不同晶粒尺寸的304L不锈钢试样，采用单轴拉伸实验对比研究了预充氢和动态充氢两种条件下晶粒尺寸对钢HE敏感性的影响，并结合断口分析从氢陷阱、氢浓度的角度分析了晶界的作用。结果表明，动态充氢下，表面裂纹扩展和位错运动能够提高氢的有效扩散系数并加速氢进入试样内，但随着晶粒尺寸降低，由于晶界陷阱作用增加，氢的有效扩散系数降低，同时由于进入试样的氢被大量晶界陷阱瓜分使氢分布均匀化，使每个晶界处的局部氢浓度降低，因此动态充氢条件下晶粒细化抑制钢的HE。相反，预充氢条件下晶粒细化增加HE，因为较长的预充氢时间(96 h)使大量氢进入细晶试样并存储于晶界陷阱内，提高了晶界氢浓度，在后续拉伸过程中，晶界作为氢源向新生位错供氢，因此导致了细晶试样的HE敏感性反而更高。