高校优秀人才培养模式的新思路

高等学校是培养高素质人才的摇篮.随着我国高等教育的大力发展,高等院校的大规模扩招,如何培养"厚基础、宽口径、强能力、高素质"的人才是一个值得思考的问题.我校在借鉴了其他高校的办学经验基础上,于1999年创立了具有"理工结合"特点的教学改革试点班(以下称"试点班").在不断的教学实践中,从人才培养模式和专业口径设置方面探索出一条新思路.     

大容量石英坩埚使用的研究

本文简述了DL-78型大直径、大容量直拉硅单晶工艺中石英坩埚的使用情况,对石英坩埚形状、尺寸的确定,原材料类别的选择、其杂质含量对硅单晶的影响,使用后被浸蚀情况进行了探讨,提出了对石英坩埚应力的检测方法及消除应力的热处理方法,测定了其中拉晶过程中的熔解速率。提出了一只坩埚多次投料使用的可能性。     

磁场中直拉单晶工艺技术进展

附加磁场的熔体直拉法(MCZ法)是近年开发的一种颇有前途的生长优质硅单晶的新工艺技术。由于磁场抑制了硅熔体中的热对流,减少了熔体的温度波动,因而能减少晶体的生长条纹,降低或控制晶体中的氧含量,提高晶体结构完整性,显著降低单晶硅片的翘曲度,并能拉制高阻硅单晶。从而为超大规模集成电路提供了优质硅材料。本文系统论述了MCZ法的发展历史、方法与原理、工艺与设备、近年的新成果和发展前景。     

紫坪铺水库建成蓄水引发的思考

紫坪铺水库是西部大开发十大重点工程之一，2005年即可建成蓄水，水库以灌溉为主，蓄水量11亿多m^3，可以使灌区1010万亩农田灌溉保证率提升到80％，为工业、人民生活用水尤其是为成都市环保用水，可以正常提供充足水量，使成都两河清水长流，     

具有光明前景的镁基和铍基合金

目前,铸镁合金的研制已由最初的Mg—Al合金发展到高强度的Mg—Zn—Zr—稀土合金,如ZE63A和Mg—Y—RE—Zr合金,如WE54,该合金直到300℃均具有良好的高温性能和抗腐蚀性能,同时改善了浇铸后基体中散粒的腐蚀和消除空洞。     

直拉硅单晶中的热致微缺陷

大规模集成电路工艺要求使用直拉法高质量的无位错硅单晶。然而,硅片在半导体器件制造过程中重复热过程将诱发很多微缺陷(MD),这种MD是有害的。降低晶体中的氧浓度是降低MD的一种方法,但硅中的氧并不     

直拉硅单晶中的微缺陷

1.引言硅单晶在整个天然、人工单晶中是最完美的晶体,完全不含有宏观位错,杂质浓度又低,直径3吋的晶体已大量生产。硅单晶制造法有直拉法(简称 CZ 法)及悬浮区熔法(简称 FZ 法)。现在,前者主要用来制造集成电路用晶体,后者主要制作功率