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1.
近年来我国材料研究单位在实用超导材料NbTi、多股Nb_3Sn研制方面的进展,在这次会上给我以很深刻的印象。我认为,争取我国超导材料出口,已经是一个应予充  相似文献   
2.
本文讨论了超导体高场临界电流脉冲磁场测量中的两个重要因素:1. 迅变磁场引起的样品温升;2. 有限失超传播速度的影响.  相似文献   
3.
用电子显微镜(JEM-200cx)对扩散Nb_3Sn超导薄膜的微结构进行了观察,结果表明薄膜内的Nb_3Sn晶粒呈现明显的非均匀性,同时观察到大量的几乎贯穿整个晶粒的叠栅图形(Moire')。这一观察结果有助于Nb_3Sn超导材料的临界电流机理的研究,对于高磁场临界电流理论进行合理的修正。一、扩散Nb_3Sn膜的TEM样品观察结果与其高磁场载流特性。用脉冲场测量了扩散Nb_3Sn膜高场载流特性Jc~B曲线,并根据高场钉扎标度律作出高场标度行为如图1所示。用背面防护漂浮减薄法将相应的扩散膜制成TEM样品,通过大面积的电镜观察发现Nb_3Sn的晶粒很不均匀,在千埃量级的大晶粒晶界上存在百埃量级的微细晶粒,如图2所示,同时观察到大量的叠栅图形其中相当多的叠栅条纹几乎贯穿整个晶粒,如图3.图4.所示。  相似文献   
4.
一种新的大面积TEM样品制备技术——背面防护漂浮减薄法,已在原始厚度约为半微米的共蒸Nb_3Ge薄膜和扩散Nb_3Sn薄膜上,成功地制备出大面积TEM样品。本文报导,将这种方法应用于原始厚度约为15微米的Nb箔,同样也能够制备出大面积TEM样品。这种TEM制样技术不需要复杂的减薄装置或设备,方法简便,易于掌握。预期可在原始厚度约为几十微米的其它样品上,推广使用。  相似文献   
5.
氧化物超导材料在低温强场下的应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文综述介绍氧化物超导材料在低温下的性能。实验证明,在4.2K下当磁场达20T时其电流密度可达10~5A/cm~2水平,而且几乎不随磁场的增加而减小。这结果表明,氧化物超导材料很可能是有发展前途的强场材料。  相似文献   
6.
采取在杜瓦瓶外受控并联暂时局部分流的方法,有可能在较高的全电流密度(J~10~4安/厘米~2,铜超比2:1)情况下,抑制局部已经出现的完全失超的发展,使磁体仍回复到完全超导状态继续工作。报道了在内径为6厘米的 Nb-Ti 单线绕制的磁体上对这个现象的观察和分析。  相似文献   
7.
本文叙述了用脉冲场对三种国产 A-15超导材料高场临界电流的测试。指出样品表面的铜层对低场测量结果有显著的影响。在一定的铜厚下对某些样品甚至可在低至6T 的脉冲磁场下获得和稳恒场一致的数据。  相似文献   
8.
在具有1-2-3结构的系统中,高T_c相一般与YBa_2Cu_3O_7,一样为正交相,有典型的孪晶结构,正交向四方的过渡伴随着T_c的下降。在LaBa_(2-x)Ca_xCu_3O_7系统中(x=0,0.25,0.5,0.75,1.0,1.5),x=0.15样品T_c为约35K,x=0.25样品T_c为72K,其余(x=0.5,0.75,1.0)样品均为80K,x射线衍射表明80K样品为四方或正交度很小的1-2-3相。粉末样品的EDS能谱分析表明,所有样品均非纯相。x=0样品的杂相为BaCuO_2,其余为Ca_2CuO_3,x=1.5样品还有CaO存在。对1-2-3主相来说,Ca含量在x≥0.5的样品中均为x=7%,写成分子式为(La(1/(3-x))Ba((2-x)/(3-x)))_2.5Ca_(0.5)Cu_3O_7(x为Ca的名义含量)。对于x=1.0样品的微区成份分析表  相似文献   
9.
用背面防护漂浮减薄法制备了扩散Nb_3Sn超导膜的大面积(毫米~2)TEM样品。JEM—200cx电子显微镜对样品的观察表明,这种新的TEM制样方法是成功的。它将有助于直接观察研究与实用Nb_3Sn超导材料相近的扩散薄膜的微结构,探讨磁通线钉扎机理。一、扩散Nb_3Sn薄膜TEM样品的制备扩散Nb_3Sn薄膜是在钼衬底上顺序分层蒸上Nb—Sn—Cu,然后经约800℃扩散形成A15结构的Nb_3Sn层。  相似文献   
10.
超导材料的临界电流与其内部的微结构及各种缺陷如位错、晶界、异相粒子等有十分密切的关系。这些缺陷造成的超导性质的不均匀使磁通线运动受阻是强电磁超导材料载流能力的物理基础。最近,一种背面防护漂浮减薄新技术成功地解决了从高临界温度(Tc(?)21K)Nb_3Ge膜制取mm~2量级大面积均匀减薄的TEM样品制备问题。得到了关于微结构的许多有趣的信息。  相似文献   
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