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利用非平衡态分子动力学模拟方法研究了应变对Ge薄膜热导率的影响。结果表明系统应变对单晶Ge薄膜热导率产生明显影响,热导率随着拉伸应变的增大而减小,随着压缩应变的增大而增大,得出声子速率降低以及薄膜表面重构是产生该模拟结果的内在原因。同时,采用修正的Callaway模型对NEMD结果进行理论验证,两种方法得到的结果吻合得较好。理论结果表明应变弛豫时间对Ge单晶薄膜的热导率产生了重要影响。 相似文献
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