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磁粉的收缩率不仅决定了干压磁瓦和多极磁环等永磁制品的模具设计和生产成本,而且对于干压磁瓦或多极磁环装配到机壳之后的磁性能有一定的影响,是用户重点关注的指标之一.采用传统的粉末冶金工艺,即制粉、取向成型、烧结、测量等工艺流程,制备了尺寸约?28.6 mm×8.5 mm圆柱型干压异性永磁锶铁氧体.研究了细磨工艺中球磨钢球大小及比例、球磨转速、助磨剂添加比例及烘干工艺中烘干温度等各类参数对磁粉收缩率的影响.在性能合格的前提下,将收缩率控制在13~13.5%之间.烘干温度600℃时,收缩率最低,为13.06%. 相似文献
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在实验室认可中,能力验证(PT)与现场评审共同构成了评价实验室技术能力的两种有效手段。能力验证不仅是实验室开展外部质量保证的重要途径,也是实验室识别和控制风险的重要工具。根据亚太实验室认可合作组织(APLAC)MR001《建立和保持认可机构间APLAC互认协议的程序》规定,申请互认的认可机构对能力验证的要求应满足国际实验室认可合作组织(ILAC)P9《ILAC对参加能力验证活动的政策》,只要有可获得的能力验证计划且可行,申请签署或已经签署互认协议的认可机构应推荐其认可的实验室参加IAPLAC组织的能力验证计划,因此,满足能力验证相关要求是认可机构签署和维持国际互认的前提条件, 相似文献
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采用Ho部分取代Nd,制备了不同Ho含量的Ho-Nd-Fe-B磁体,研究了Ho含量对Ho-Nd-Fe-B磁体的磁性能、温度稳定性和微观结构的影响。结果表明:Ho的添加有助于改善主相和富稀土相之间的浸润性,优化晶界富稀土相的分布,提高了磁体的内禀矫顽力,并改善了磁体的温度稳定性,但磁体的剩磁有所下降。当Ho含量(质量分数)由0增加到21.0%时,H_(cj)由1281 kA/m增加到1637 kA/m,B_(r)由1.342 T降至0.919 T;在20~100℃范围内,磁体的剩磁温度系数|α|和矫顽力温度系数|β|分别由0.119%/℃和0.692%/℃降低到0.049%/℃和0.540%/℃;在180℃烘烤2 h后的磁通不可逆损失由54.80%降低到29.17%。 相似文献
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采用磁控溅射方法在烧结钕铁硼磁体表面沉积一层Tb镀层,然后进行晶界扩散热处理,制备出晶界扩散型(Tb,Nd) FeB磁体.通过扫描电子显微镜、电子探针分析仪和磁滞回线测量仪分析了晶界扩散前后磁体的微观结构与磁性能.结果 表明:与NdFe磁体相比,采用晶界扩散方法制备的(Tb,Nd) Fe磁体具有更宽的晶界相,且晶界相在主相晶粒周围连续分布,起到了去磁耦合作用.并且分布在主相晶粒表层的重稀土元素Tb形成了磁晶各向异性场更高的(Nd,Tb)2 Fe14B相.(Tb,Nd) FeB磁体的内禀矫顽力Hcj得到显著提升,其Hcj由NdFe磁体的15.98 kOe提高到23.78 kOe. 相似文献
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能力验证包括能力验证计划和测量审核两种,但由于能力验证计划的运作周期一般较长,很难满足实验室日常对能力验证的需求,而作为能力验证计划补充方式的测量审核,由于及时、高效和覆盖范围广的独特优势,逐渐成为实验室获得能力验证的重要途径。如何使测量审核准确、客观地反映实验室的真实技术能力, 相似文献
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本文采用固相球磨法制备M型锶铁氧体,研究了Ca含量对Ca-La-Co联合取代M型锶铁氧体的影响。采用X射线衍射、场发射扫描电镜、永磁测量仪对M型铁氧体的物相、晶胞结构、微观形貌和磁性能进行了表征。Ca2+部分取代Sr2+会造成晶胞c轴收缩,Ca取代量x’’≤0.2 at%时,得到单一的磁铅石相,Ca取代量x’’≥0.3 at%时,开始出现α-Fe2O3相。Ca2+与SrO等形成低共熔物,加速晶粒c轴方向上的生长,促进六角片状结构的形成,Ca取代量xx’’=0.2 at%时,粒径在1.0 μm左右,分布均匀,随着取代量的增加,出现晶粒异常长大的现象。Ca取代量的增加会降低磁体的饱和磁化强度Ms、剩磁Br,但会提高矫顽力Hcj,当Ca取代量x’’≤0.2 at%时,样品的剩磁略微下降,而矫顽力却急剧上升。 相似文献
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采用氯化物镀液体系在钕铁硼磁体表面制备Zn-Co合金镀层,优化了Zn-Co合金镀层制备过程中的电镀工艺参数(镀液pH值、镀液温度、电流密度以及添加剂浓度),通过中性盐雾试验(NSS)、扫描电子显微镜(SEM)和动电位极化曲线,系统研究了Zn-Co合金镀层的显微组织及耐蚀性能。结果表明:烧结钕铁硼电镀Zn-Co合金镀层的最佳电镀工艺参数为:添加剂浓度为15 mL/L,pH值为4,电镀温度为25℃,电流密度为1 A/dm~2。在最佳工艺条件下制备的Zn-Co合金镀层经钝化后其耐中性盐雾时间可达120 h。合金镀层结构致密,有效填补了钕铁硼磁体的固有缺陷,为后期钝化形成致密钝化膜提供了材料基底基础。钝化后的Zn-Co合金镀层表面平整光亮,动电位极化曲线测试表明,相比Zn镀层,钝化后的Zn-Co合金镀层的自腐蚀电流密度下降了一个数量级,表明Zn-Co合金镀层钝化后具有更加优异的耐腐蚀性能。 相似文献
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设计并优化了一种基于4H-SiC的1000V垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS),在留有50%的裕度后,通过Silvaco仿真软件详细研究了器件各项参数与耐压特性之间的关系。经优化,器件的阈值电压为2.3V,击穿电压达1525V,相较于相同耐压条件下的Si基VDMOS,4H-SiC VDMOS的击穿电压提升了12%。此外,击穿时4H-SiC VDMOS表面电场分布相对均匀,最大值为3.4×106V/cm。终端有效长度为15μm,约为Si基VDMOS的6%,总体面积减小了近1/10。并且4H-SiC VDMOS结构简单,与相同耐压条件下的Si基VDMOS相比,未增加额外的工艺步骤,易于实现。 相似文献
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新型聚焦反共振式主减隔振系统性能分析 总被引:1,自引:0,他引:1
为降低直升机向机体传递的旋翼动载荷,提出了一种新型聚焦反共振式主减隔振装置。通过建立聚焦反共振式主减隔振系统参数模型,分析了聚焦反共振式主减隔振系统的载荷传递特性,讨论了弹簧板刚度、惯性质量等关键参数对主减模态频率以及隔振效率的影响;为了验证该模型及后续进一步研究,按照某型机主减接口加工了一套聚焦反共振式主减隔振装置同时进行了地面试验,计算结果与试验结果吻合。经试验结果表明,加装聚焦反共振式主减隔振装置对垂向、航向和侧向三向激励的隔振效率均达到了80%,为新研直升机以及现役直升机减隔振需求提供一条新的途径。 相似文献