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温度及扩散时间对 CVD 法制备高硅钢的影响 总被引:2,自引:2,他引:0
采用CVD法制备6.5%Si高硅钢,介绍了具体的制备工艺过程,研究了温度对渗硅速率和试样质量减轻的影响,同时分析了扩散时间对高硅钢中硅分布的影响。结果表明:在CVD反应过程中,反应温度高于1050℃将大大提高渗硅速率,但当温度大于1200℃后,渗硅速率趋于稳定;渗硅后,试样会减轻、减薄,随着温度升高,试样质量减轻的速率逐渐增大,在1200℃左右趋于稳定;扩散时间越长,硅分布越均匀,结合制备效率进行考虑,满足Δw表-中/b≤5的时间为适宜的扩散时间。 相似文献
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对半无限大弹性空间的垂直脉冲力的系统表面响应问题进行分析,建立以脉冲力函数作为等效载荷,一致性粘弹性吸收边界条件的二维有限元模型。模拟超声表面波在均匀弹性介质中的传播。对网格大小、吸收边界、时间步长等因素造成的数值频散误差进行分析,确定最优的模型参数。通过对节点的信号处理,得到的频散曲线与理论上相符合。该模型为超声表面波无损评价提供了仿真的基础。 相似文献
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