SrTiO_3:Pr~(3+),Na~+体系荧光粉的合成与性能研究

采用高温固相法在还原气氛下制备了SrTiO3:Pr3+,Na+荧光粉。用X射线衍射分析测定了SrTiO3:Pr3+,Na+荧光粉的晶体结构,具体研究了激活剂Pr3+和助熔剂H3BO3的掺杂量对SrTiO3:Pr3+,Na+体系发光性能的影响。结果表明,SrTiO3:Pr3+,Na+荧光粉属于立方晶型;在Pr3+掺杂0.6%(与SrTiO3的摩尔比)和助熔剂H3BO3掺杂3%(与SrTiO3的摩尔比)时,此荧光粉的发光性能最佳。讨论了不同电荷补偿剂对SrTiO3:Pr3+体系激发光谱和发射光谱的影响,结果表明,Na+离子是制备Sr-TiO:Pr3+体系荧光粉的最佳电荷补偿剂。     

Ln(Ln=Gd3+,Cu+,Sm3+,Dy3+)助激活的Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+荧光粉的光谱特性和Eu2+的格位计算

采用高温固相法合成了掺杂Ln(Ln=Gd3+,Cu+,Sm3+,Dy3+)作助激活离子的氯硅酸镁钙荧光粉.通过X射线衍射(XRD)对Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+,Ln进行了表征.结果表明Ln的共掺杂并没有影响基质晶体的面心立方结构.所合成的荧光粉发射峰值位于507nm的绿光区.激发光谱在330~430nm之间均有较强吸收,与紫光InGaN芯片(395nm)相匹配.掺杂Ln作助激活荆增强了荧光粉的发光强度.借助Uitert经验公式计算出Eu2+在Ca8Mg(SiO4)4Cl2基质中占据八配位Ca(Ⅱ)格位.     

用一步法合成Ba0.905Ca0.845Mg0.25Si04:xEu2+,yMn2+白光荧光粉及其发光性能

采用高温同相法合成一系列碱土硅酸盐Ba0.905Ca0.845Mg0.25SiO4:xEu2+,yMn2+(x、y为摩尔比)荧光粉.探讨烧结温度、时间、助熔剂BaCl2和Eu22+及Mn2+掺量对荧光粉发光性能的影响.通过热重一差热分析确定荧光粉的合成温度,用X射线衍射、扫描电子显微镜和荧光光谱表征荧光粉的结构、形貌和...     

烷氧基苯基硫代双烯合镍的合成及光谱性能

以二-（对烷氧基苯基）乙二酮为原料,经过P2S5硫化、镍络合,合成四-（对甲氧基苯基）硫代双烯合镍和四-（对丁氧基苯基）硫代双烯合镍;讨论硫化时间、硫酸铵用量、五硫化二磷用量对反应收率的影响;利用IR和1H-NMR对这两种硫代双烯型镍配合物的结构进行表征;考察这两种硫代双烯型镍配合物在不同溶剂中的最大吸收波长及其光、热稳定性.     

Mg2＋对白光荧光粉（Ba,Ca）2SiO4∶Eu2＋,Mn2＋光谱特性的影响

采用高温固相法制备（Ba,Ca）2SiO4∶Eu2＋,Mn2＋和不同Mg/Ca、Mg/Ba比例的（Ba,Ca）2-xMgxSiO4∶Eu2＋,Mn2＋白光荧光粉.研究改变Mg/Ca和Mg/Ba比例对荧光粉光谱特性的影响.所有荧光粉的发射光谱是由蓝绿光和红光组成的宽波带;激发光谱也是宽波带,在340～415nm之间具有较强吸收,适合于近紫外光InGaN芯片（350～410 nm）激发.随着Mg/Ca比例的改变,色温依次增加,可起到规律调节白光荧光粉色温的作用.     

单一基质白光Ba_（1.3）Ca_（0.7）SiO_4荧光粉的制备和发光特性

采用高温固相法合成单一基质白光Ba1.3Ca0.65-xSiO4：0.02Eu2＋,0.03Mn2＋,xRe3＋（Re=Tb,Er;x=0～0.04）荧光粉,研究荧光粉的发光特性和不同Tb3＋、Er3＋掺量对荧光粉光谱特性的影响。结果表明：制备的荧光粉在340～415nm具有较强吸收,适合于InGaN芯片（350～41...     

近紫外光激发的全色荧光粉Ba_3Ca_4Mg(SiO_4)_4:Eu~(2+),Mn~(2+)的合成和发光性能

采用高温固相法合成了Eu2+,Mn2+共激活的Ba3Ca4Mg(SiO4)4荧光粉,讨论了其光谱性能和晶体结构。光谱测试结果显示,该荧光粉在近紫外光激发下能够发射出波长430～700nm的宽峰,由460,495,595nm等多峰叠加而成,其激发光谱在250～450nm均有较强的吸收;通过X射线衍射数据分析,该荧光粉存在两种晶相,分别是BaCa2Mg(SiO4)2和Ba1.31Ca0.69SiO4。变化Mn2+浓度能够对荧光粉的色温(CCT)、显色指数(CRI)和色坐标进行调节。其中Ba3Ca4Mg(SiO4)4:0.08Eu2+,0.13Mn2+荧光粉的CCT6592K、CRI84.3、色坐标(0.3137,0.3118)与日光色(CCT6500K;色坐标(0.3030,0.3370))的白光参数较接近,是一种适合于近紫外光芯片InGaN激发的WLED用全色荧光粉。     

白光LED用全色荧光粉BaMgSiO4:Eu2+,Mn2+的光谱性质

采用高温固相法首次合成了由Eu2+和Mn2+共激活的硅酸镁钡BaMgSiO4全色荧光粉.BaMgSiO4的晶格结构中含有丰富的阳离子格位,有六配位的Ba(Ⅰ)、九配位的Ba(Ⅱ)和Ba(Ⅲ)以及四配位的Mg,为Eu2+和Mn2+提供了不同环境的占据格位.光谱测试显示BaMgSiO4:Eu2+,Mn2+的发射光谱中有3个发射峰,分别是440nm、510nm、620nm,是合成白光较理想的三基色波带;激发光谱呈宽波带,在300～420nm之间均有较强的吸收,能与紫光InGaN芯片匹配,适用于白光LED.     

Ln(Ln=Gd3+,Cu+,Sm3+,Dy3+)助激活的Ca8Mg（SiO4）4Cl2∶Eu2+荧光粉的光谱特性和Eu2+的格位计算

采用高温固相法合成了掺杂Ln(Ln=Gd3+,Cu+,Sm3+,Dy3+)作助激活离子的氯硅酸镁钙荧光粉。通过X射线衍射(XRD)对Ca8Mg(SiO4)4Cl2∶Eu2+,Ln进行了表征,结果表明Ln的共掺杂并没有影响基质晶体的面心立方结构。所合成的荧光粉发射峰值位于507nm的绿光区,激发光谱在330~430nm之间均有较强吸收,与紫光InGaN芯片(395nm)相匹配。掺杂Ln作助激活剂增强了荧光粉的发光强度。借助Uitert经验公式计算出Eu2+在Ca8Mg(SiO4)4Cl2基质中占据八配位Ca(Ⅱ)格位。     

橙红色荧光粉Mg2-x SnO4:Eu3+x发光性能的研究

采用高温固相法合成Mg2-xSnO4∶Eu3+x系列橙红色发光粉.用X射线衍射分析测定Mg2-xSnO4∶Eu3+x荧光粉的晶体结构,用F-4600荧光分光光度计测定其激发光谱和发射光谱.结果表明:Mg2-xSnO4∶Eu3+x荧光粉属于正交晶系,在250～370 nm是一个很宽的激发峰,它属于O-Eu的电荷迁移带和Eu3+的f-f高能级跃迁吸收.发射光谱由588 nm、595 nm、598 nm、617 nm4个主要发射峰组成,它们分别属于Eu3+的5D0-7F1(588 nm,595 nm,598 nm)和5D0-7F2(617 nm)跃迁,以5D0-7F1跃迁为主.具体研究激活剂Eu3+的掺杂量对Mg2-xSnO4∶Eu3+x发光粉发光性能的影响.结果表明Eu3+的最佳掺杂浓度为7%.