化学气相沉积制备钼钨合金

以MoF6、WF6以及H2为原料,用化学气相共沉积的方法,成功地在铜基片表面沉积出钼钨合金.实验分析表明:沉积层结构为单相均匀固溶体.在钼含量高时沉积层显微组织呈细晶层状结构,在钼含量较低时沉积层显微组织呈柱状晶生长.改变反应气体中WF6、MoF6相对含量可实现膜层成分可控.采用化学气相沉积法沉积钼钨等难熔金属合金,沉积纯度高,设备简单,沉积速率快,在高温抗烧蚀涂层及耐腐蚀涂层方面具有广泛的应用前景.     

CVD温度对钼沉积层组织及性能的影响

介绍了化学气相沉积法(CVD)制备难熔金属钼膜层的原理和方法。以MoF_6和H_2为原料,采用化学气相沉积法在纯铜基体上沉积出难熔金属钼膜层。分析研究了沉积层的组织、结构和硬度。实验结果表明：沉积膜层显微组织随沉积温度变化而不同,沉积温度较低时,沉积层显微组织为细晶层状结构,沉积层硬度可达677×9.8 MPa：沉积温度较高时,沉积层显微组织为致密的柱状晶,硬度稍高于一般烧结钼的硬度。     

化学气相沉积难熔金属钼组织性能的研究

介绍了化学气相沉积法制备难熔金属钼膜层的原理和方法。以MoF6和H2为原料,采用化学气相沉积法在纯铜基体上沉积出难熔金属钼膜层。分析研究了沉积层的组织、结构和硬度。实验结果表明：沉积膜层显微组织随沉积温度变化而不同,沉积温度较低时沉积层显微组织为细晶层状结构,沉积层硬度可达677HV;沉积温度较高时沉积层显微组织为致密的柱状晶,硬度稍高于一般烧结钼。     

化学气相沉积法制取异型钨制品研究

采用化学气相沉积的方法,以WF6和H2为原料,通过气相反应成功地沉积出多种异型致密钨制品。实验结果表明：沉积层显微组织呈柱晶沿(200)晶面择向生长,具有高纯度(>99.8%),高致密度( >19.2 g/cm3),沉积速度可达2～3 mm/h．采用化学气相沉积法制备钨制品,设备简单,工艺稳定可靠,且制品质量较高,特别适合于异型制品的制备,是一种具有广泛应用前景的钨制品制备方法。