Y2-x-yGdxEuyO3纳米材料制备过程中的固溶行为及其发光性能

用柠檬酸螯合法制备Y2-x-yGdxEuyO3纳米粉体(x+y≤2),通过FTIR,XRD和SEM分析了制备过程中的物相变化以及pH值对粉体形貌的影响.测试了Y2-x-yGdxEuyO3晶格常数和晶胞体积,分析了Gd与Eu在Y2O3中的同溶行为及其发光性能.结果表明:在pH<3的体系中制备Y2-x-yGdxEuyO3粉体较为适合,经900℃煅烧2 h可完全合成出立方相的Y2-x-yGdxEuyO3;在pH=l时,加入少量乙二醇(5%,体积分数)时得到粉体形貌最佳,粒径约90 nm,近球形.样品的发光性能和Y,Gd的配比以及Eu的含量有关,当化学配比为Y0.2Gd1.65Eu0.15O3时样品发光强度最高,y值超过0.15会发生浓度猝灭,导致发光强度降低.     

（Y，Gd）2O3：Eu^3＋纳米粒子制备及光谱特性

用湿化学共沉淀法制备了(Y,Gd)2O3:Eu3 纳米粒子.用XRD,TEM,SEM及差示/热重分析(DSC/TG)手段对粉体进行了表征.用荧光光度计分析了样品的激发光谱和发射光谱.结果表明:在煅烧温度为800℃保温2 h时,合成出近似球形、粒径均匀且分散性好的(Y,Gd)2O3:Eu3 纳米粒子,一次颗粒尺寸约为20 nm.样品在波长为612.0 nm监控光下激发,出现235和250 nm两个激发峰,分别为(Y,Gd)2O3基质吸收和Eu3 迁移态(CTS)吸收造成的.两个波长激发下的发射光谱峰强度前者高于后者.当掺杂Eu3 的摩尔浓度为3%时,发射光谱对应5D0→7F2能级跃迁的相对峰强度最大,当Eu3 掺杂的摩尔浓度为7%时,相对峰强度反而降低,这是由于Eu3 的浓度猝灭造成的.     

PREPARATION AND CHAIACTERISTICS OF (Y,Gd)2O3:Eu3+ NANOPARTICLES

用湿化学共沉淀法制备了(Y, Gd)2O3:Eu3+纳米粒子. 用XRD, TEM, SEM及差示/热重分析 (DSC/TG)手段对粉体进行了表征. 用荧光光度计分析了样品的激发光谱和发射光谱. 结果表明： 在煅烧温度为800 ℃保温2 h时, 合成出近似球形、粒径均匀且分散性好的(Y, Gd)2O3:Eu3+纳米粒 子, 一次颗粒尺寸约为20 nm. 样品在波长为612.0 nm监控光下激发, 出现235和250 nm两个激发 峰, 分别为(Y, Gd)2O3基质吸收和Eu3+迁移态(CTS)吸收造成的. 两个波长激发下的发射光谱峰强 度前者高于后者. 当掺杂Eu3的摩尔浓度为3%时, 发射光谱对应5D07F2 能级跃迁的相对峰强度 最大, 当Eu3+掺杂的摩尔浓度为7%时, 相对峰强度反而降低, 这是由于Eu3+的浓度猝灭造成的.     

CHARACTERISTICS OF BaHfO3∶Ce NANO—POWDER

用湿化学共沉淀法制备了掺杂Ce的BaHfO3纳米粉体,采用XRD,TEM及TG-DTA等手段分析了粉体合成过程的物相变化及特性;用荧光光度计分析了样品的激发光谱和发射光谱.结果表明:先驱沉淀物经1000℃煅烧2 h,合成出多边形貌、分散性良好、粒径尺寸为30-50 nm的BaHfO3:Ce纳米粉体.掺杂Ce浓度(摩尔分数)为0.3%的BaHfO3的谱峰相对强度最高,其激发光谱在393和445 nm处出现2个激发峰. 393 nm波长激发的发射光谱主要由两个光谱带组成,其峰值分别位于485和530 nm波长处;用445 nm波长激发时,483 nm附近的峰已不明显,只在529 nm有一个较宽的发射峰. BaHfO3:Ce的发光特性由激活Ce3 的5d-2F5/2和5d-2F7/2宽带跃迁产生,其激发光谱和发射光谱均为宽带谱.     

微乳液法制备（Y,Gd）2O3：Eu^3＋纳米粒子及光谱特性

采用反相微乳液法制备(Y,Gd)2O3:Eu3 纳米粉体.通过XRD、TG/DSC、SEM、TEM、PL等手段分别对样品的晶化过程、晶粒尺寸、粉体形貌以及发光性能进行分析.结果表明:晶粒尺寸随着晶化温度提高而增加,样品在800℃晶化完全.当乳液浓度为0.37 mol/L时所得粉体颗粒呈近似球形,一次粒径尺寸约20 am.样品在612nm监控光下得到的激发光谱是宽带谱,对应着Eu3 -O2-的电荷迁移带跃迁.发射光谱的特征峰位于612nm处,是由于Eu3 离子的5D0-7F2跃迁造成的.当Eu的原子分数大于10%时发生浓度猝火,导致特征峰强度降低.     

柠檬酸螯合法制备BaHfO3:Ce3+纳米材料及其发光特性

通过柠檬酸螯合法合成BaHfO3:Ce3+纳米粉体.采用TG-DTA、XRD、SEM等手段对粉体进行了表征,用荧光光度仪分析样品的激发光谱和发射光谱.结果表明:在CA:EG=1:3的条件下得到干凝胶前驱体,经1050 ℃煅烧2 h,合成出结晶度高、近似球形、粒径尺寸约为40 nm的BaHfO3:Ce3+纳米粉体.Ce3+掺杂浓度为0.9 mol%的BaHfO3:Ce3+样品激发光谱和发射光谱的相对强度最大.激发光谱有两个较宽的谱带,发光峰值分别在393和445 nm波长处最大.样品在393和445 nm的发射光谱都是由两个发光带组成,在530和590 nm波长处存在最大峰值,对应掺杂Ce3+的5d→2F5/2和5d→2F7/2发光跃迁.然而这两条发射光谱有明显不同,这是因为Ce3+离子的4f基态由两个能量差约为2000 cm-1的能级组成.     

a-Si厚度对TFT开关特性的影响

通过在线电学测试设备,研究了不同a-Si厚度对TFT开关电学特性的影响。本试验通过调整刻蚀时间改变沟道内a-Si的剩余厚度,在此基础上找出电学特性比较稳定的区域和电学特性变差的临界点。试验结果表明,在其它条件不变的情况下,a-Si剩余厚度在33～61%时TFT的电学特性比较好,a-Si剩余厚度小于33%之后,TFT的电学特性变差,即工作电流变小,阈值电压变大,迁移率变小。     

共沉淀法制备BaHfO3：Ce纳米粉体及发光性能

研究以草酸和氨水作为沉淀剂制备BaHfO3:Ce纳米粉体的工艺.用XRD、TEM等测试技术,分析不同沉淀剂对粉体合成中的物相变化、形貌及Ce3 '掺杂量对粉体激发光谱和发射光谱的影响.结果表明:以氨水做沉淀剂在900℃煅烧2 h合成的BaHfO3:Ce粉体形貌近似球形,平均粒径约15 nm.用草酸做沉淀剂、合成温度为1 000℃时其粉体形貌呈多边形,粒径约60 mn.微量Ce3 的掺杂不改变BaHfO3的晶体结构.Ce3 掺杂量(摩尔分数)为0.3%的JBaHfO3发射光谱相对峰强度最高,当Ce3 掺杂量大于0.3%时出现浓度淬灭现象.粉体的激发和发射光谱均存在较宽的谱带,主要由激活Ce3 的5d→2F5/2和5d→2F7/2宽带能级跃迁产生.     

Y2-x-yGdxEuyO3纳米材料制备过程中的固溶行为及其发光性能术

用柠檬酸螯合法制备Y2-x-yGdxEuyO3纳米粉体（x＋y≤2）,通过FTIR,XRD和SEM分析了制备过程中的物相变化以及pH值对粉体形貌的影响．测试了Y2-x-yGdxEuyO3晶格常数和晶胞体积,分析了Gd与Eu在Y2O3中的固溶行为及其发光性能．结果表明：在pH〈3的体系中制备Y2-x-yGdxEuyO3粉体较为适合,经900℃煅烧2h可完全合成出立方相的Y2-x-yGdxEuyO3;在pH=1时,加入少量乙二醇（5％,体积分数）时得到粉体形貌最佳,粒径约90nm,近球形．样品的发光性能和Y,Gd的配比以及Eu的含量有关,当化学配比为Y0.2Gd1.65Eu0.15O3时样品发光强度最高,y值超过0．15会发生浓度猝灭,导致发光强度降低．     

FABRICATION AND LUMINESCENT PERFORMANCE OFBaHfO3∶Ce CERAMIC SCINTILLATOR

通过掺杂摩尔分数为0.3%的稀土Ce³⁺, 制备了BaHfO₃∶Ce闪烁陶瓷, 用XRD, TG--DSC, SEM及TEM表征了BaHfO₃∶Ce物相及形貌, 研究了不同烧结工艺下BaHfO₃∶Ce的致密化及显微组织. 结果表明: 前驱体的晶化转变存在三个阶段, 在900℃煅烧2 h合成出BaHfO₃∶Ce纳米粒子, 形貌为近球状, 粒径尺寸约为15 nm. 经真空烧结与常压烧结的样品致密化和显微组织存在明显差异: 前者在1750℃真空烧结保温1.5 h, 样品基本致密化, 晶粒尺寸在40---50 μm范围内; 而后者晶粒尺寸分布离散性较大. 真空烧结后的闪烁陶瓷和同组分粉体样品在530 nm波长的激发光谱中分别存在380---420 nm紫色和420---450 nm蓝色的发光谱带, 在391, 398和445 nm波长处均出现较强峰值, 对应着Ce³⁺4f→5d能级跃迁的吸收, 这表明该闪烁陶瓷的发光强度高于同组分粉体样品.