稀土Pr6O11掺杂水平对ZnO-Pr6O11-Co3O4-TiO2压敏电阻材料的微观结构和电学性能的影响

通过传统陶瓷工艺,在1350℃下烧结得到了不同稀土Pr6O11掺杂水平的ZnO-Pr6O11-Co3O4-TiO2压敏电阻材料,研究了Pr6O11掺杂水平对压敏电阻材料微观结构和电学性能的影响。结果表明:随着Pr6O11掺杂水平的变化,样品相组成没有发生变化,样品由ZnO、Pr6O11、Zn2TiO4和PrTiO34种相组成;Pr6O11掺杂既能促进样品烧结致密,还可抑制ZnO晶粒的生长;在Pr6O11掺杂量不超过2.0mol%时,Pr6O11掺杂水平提高可提高样品压敏电压,在Pr6O11掺杂量不超过1.5mol%时,Pr6O11掺杂水平提高可提高样品非线性系数,降低漏电流。     

CdS纳米材料的混合溶剂热可控合成及表征

以Cd(NO3)3·4H2O和L-半胱氨酸为主要原料,以乙二胺和水为混合溶剂,采用混合溶剂热法,通过控制生长条件制备出了CdS纳米颗粒、刺猬状微球和纳米线材料。实验发现,在本反应体系中,较高的反应温度、尽量少的水和较高的反应物浓度更有利于纳米线的形成。光学性质研究表明,三种典型形貌CdS纳米材料均具有强的量子尺寸效应,在光学、电学和催化方面具有巨大的应用潜力。     

不同形貌银纳米结构的制备及其光学性质

以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为表面活性剂,利用乙二醇还原体系合成了具有不同形貌的银纳米结构,并详细分析了这些银纳米结构的形貌和结构特征。通过紫外-可见吸收光谱检测分析了不同形貌银纳米结构的光学性质;并从实验和理论上详细研究了单根银纳米线的光波导特征。实验表明,单根Ag纳米线是非常有效的波导腔,入射光可通过存在于Ag纳米线表面的表面等离激元辅助在纳米尺度上有效地输运到纳米线最末端而再发射。     

原位电化学法制备纳米尺寸金属肖特基势垒研究

摘要:介绍了原位电化学方法在半导体表面制备纳米尺寸肖特基势垒的工艺,讨论了其制备原理和实验条件,描述了纳米尺度金属/半导体界面特性,并对这种方法制备的肖特基势垒与传统方法制备的肖特基势垒进行了比较,这种制备肖特基势垒的方法克服了传统制备方法的缺点,所形成的金属-半导体界面光滑无缺陷;生成的纳米尺度金属肖特基势垒可用于制备单电子晶体管、单电子存储器等纳米器件。     

W_(18)O_(49)@Cu_2O纳/微米复合材料的制备及其光催化性能

首先用热蒸发方法制备了W_(18)O_(49)纳微米棒,然后经醋酸铜饱和溶液浸泡后再热处理在W_(18)O_(49)纳微米棒表面负载Cu_2O制得了W_(18)O_(49)@Cu_2O纳微米复合材料;采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能谱分析及透射电子显微镜对样品进行分析表征;最后选用亚甲基蓝溶液作为目标降解物,模拟污水处理测试材料的光催化性能。结果表明,W_(18)O_(49)纳微米棒在饱和醋酸铜溶液中浸泡时间越长,所得到的催化剂中Cu_2O的负载量越多,且所制备的W_(18)O_(49)@Cu_2O的纳微米复合材料相对于纯W_(18)O_(49)纳微米棒,其光催化效率得到了显著提高。     

原位电化学法制备纳米尺寸金属光特基势垒研究

介绍了原位电子学方法在半导体表面制备纳米尺寸肖特基势垒的工艺，讨论了其制备原理和实验条件，描述了纳米尺度金属／半导体界面特性，并对这种方法制务的肖特基势垒与传统方法制备的肖特基势垒进行了比较，这种制备肖特基势垒的方法克服了传统制备方法的特点，所形成的金属－半导体界面光滑无缺陷；生成的纳米尺度金属肖特基势垒可用于制备单电子晶体管、单电子存储器等纳米器件。     

ZnO掺杂量与烧结温度对SnO2-Ta205-ZnO压敏变阻材料性能的影响

以SnO2、Ta2O5和ZnO粉为原料,通过传统陶瓷固相反应烧结法制备了压敏变阻材料,实验中ZnO含量为0～2．00％（摩尔分数）,烧结温度控制在1300～1500℃并保温2h。研究了ZnO掺杂量和烧结温度对材料的组成、微观结构和电学性能的影响。结果表明：在温度一定条件下,随着ZnO掺杂量的增加,材料的非线性系数、压敏电压先增大后减小;在ZnO含量一定时,随着烧结温度从1300℃升至1450℃,材料的非线性系数、压敏电压先增大后减小。ZnO掺杂量为0．50％时,在1450℃烧结得到的样品的非线性系数最高（6．2）,漏电流最小（262vA／cm^2）,压敏电压较高（83V／mm）。     

ZnO掺杂量与烧结温度对SnO2–Ta2O5–ZnO压敏变阻材料性能的影响

以SnO2、Ta2O5和ZnO粉为原料,通过传统陶瓷固相反应烧结法制备了压敏变阻材料,实验中ZnO含量为0～2.00%(摩尔分数),烧结温度控制在1 300～1500℃并保温2 h。研究了ZnO掺杂量和烧结温度对材料的组成、微观结构和电学性能的影响。结果表明:在温度一定条件下,随着ZnO掺杂量的增加,材料的非线性系数、压敏电压先增大后减小;在ZnO含量一定时,随着烧结温度从1 300℃升至1 450℃,材料的非线性系数、压敏电压先增大后减小。ZnO掺杂量为0.50%时,在1450℃烧结得到的样品的非线性系数最高(6.2),漏电流最小(262μA/cm2),压敏电压较高(83V/mm)。     

硫化镉纳米结构的制备与光学性质研究

采用直接热蒸发CdS粉末的方法,在不同的生长条件下制备出CdS纳米线和纳米带材料并对其形貌、结构和光学性质进行了研究.CdS纳米线具有单晶结构,且生长方向具有择优取向,而其纳米带不具有上述结构特征.光致发光光谱研究发现,室温下纳米线只在508 nm出现了CdS的本征发射带.然而,纳米带存在2个明显的发光峰,中心峰位分别位于513 nm和756 nm.这2个发射峰可分别指认为CdS的本征发射和V_s~+空位引起的发射.     

Cu-Ti掺杂对钡铁氧体显微结构和电磁性能的影响

以Fe_2O_3、Ba CO_3、Cu O和Ti O_2为原料,采用固相烧结法,在经过优化的烧结温度1200℃下进行固相烧结,制备了Cu-Ti共掺杂的钡铁氧体Ba Fe_(12-2)x Cux Tix O_(19)(x=0.00,0.05,0.10,0.15和0.20),并研究了Cu-Ti添加量对钡铁氧体组成,结构和电磁性能的影响。结果表明,掺杂的Cu~(2+)和Ti~(4+)可以进入钡铁氧体晶格中,且在样品中没有观察到第二相;随着Cu-Ti掺杂量的增加所得钡铁氧体的矫顽力逐渐下降,从204.46 k A/m逐渐降低到86.82 k A/m;饱和磁化强度变化很小,在54.61~58.42 A·m~2/kg之间微弱波动;介电常数先增大后减小,但介电损耗正切值几乎不变。