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研究采用温室气体、氩气(CO_(2)/Ar)作为载气,产生气液相等离子体处理水中的盐酸四环素。研究了CO_(2)/Ar气液相等离子体CO_(2)分解、活性物质产生(如O、·OH、^(1)O_(2)、H_(2)O_(2)、O_(3))及不同参数条件下对盐酸四环素的降解机理。气相方面考察了CO_(2)/Ar比例、气体流量对CO_(2)转化的影响;液相方面考察了CO_(2)/Ar比例、不同初始浓度、气体流量及初始pH对盐酸四环素降解的影响。结合光谱诊断、液相活性物质表征、相关淬灭剂,分析了不同活性物质的产生规律及对盐酸四环素降解的影响。最后检测了降解过程产生的中间产物,提出了本体系盐酸四环素降解原理及可能的降解途径。为CO_(2)利用以及水污染治理提供一个新的思路。 相似文献
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采用溶胶-凝胶法制备了双金属氧化物Ti/IrSbOx电极,表征了电极的析氯电位、析氯稳定性、法拉第效率、活性氯产量、工作寿命等电化学性能,利用电催化氧化反应系统研究了该电极对不同水质工业氨氮废水的处理效果。结果表明,Ti/IrSbOx电极在10 mA/cm2的电流密度下的析氯电位为2.04 V vs RHE,20h电解反应后的电极电势仅增大0.48%,在0.05 M NaCl溶液中的法拉第效率为64.33%,在20 mA/cm2的电流密度下活性氯产量达到8.51 mg/h,在20 mA/cm2电流密度下的工作寿命为21.12年。通过电催化氧化反应系统处理低氯子浓度(2 000 mg/L)工业氨氮废水时较市售电极有更高的电流效率,为该电极的工业化应用提供了理论依据和实践经验。 相似文献
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提出一种应用于相变存储器芯片的新型开关电容电荷泵。对于16 位的相变存储器芯片,系统擦写时间大于100 ns,电荷泵的驱动能力至少为60 mA。相比于传统开关电容电荷泵,该电荷泵根据负载电流大小自动生成一个使能信号,该信号通过控制升压模块功率管的开启与关断来调节输出电压,最终将输出电压控制在一个允许的范围内波动。采用40 nm CMOS工艺对电荷泵进行设计和仿真,结果表明在5 mA负载时,电源效率为87%,输出纹波为2.84 mV;负载电流从0 mA变化到60 mA时,电源效率皆高于82%;负载电流变化在300 mA/μs时,输出瞬态响应时间为1.63 μs,满足相变存储器芯片的使用要求。 相似文献
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多孔材料是一种新型轻质的结构-功能材料,具有较高的阻尼性能,同时兼具密度小、质量轻等特点,使其具有广阔的应用价值。基于此,选取含有长周期特殊结构相(LPSO相)的Mg97Zn1Y2为基体,以MgCO3为发泡剂,SiC为增粘剂,通过熔体发泡法制备出镁基多孔材料,通过OM、SEM、TEM、XRD及DMA等技术手段,研究多孔Mg97Zn1Y2材料的力学性能、阻尼性能等。结果表明,多孔Mg97Zn1Y2材料主要由镁基体(α-Mg)、LPSO相和SiC相组成,当应变幅值较小时,多孔Mg97Zn1Y2复合材料的阻尼值明显优于Mg97Zn1Y2合金,随着孔隙率的增加,阻尼性能得到改善。孔隙率的增加降低了多孔Mg97Zn1Y2复合材料的抗压缩性能。此外,除了Mg97Zn1Y2合金本身的位错阻尼、界面阻尼和晶界阻尼之外,还有“气相”阻尼,共同影响着多孔Mg97Zn1Y2材料的阻尼性能。 相似文献
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本文分析了传统大电流负载的LDO(Low-dropout Regulator)系统实现系统稳定性和瞬态响应提高的局限性,在此基础上,提出了一种片内集成的瞬态响应提高技术.此技术无需外挂电容和等效串联电阻(Equivalent Series Resistor,ESR),即能使系统在全负载范围内保持稳定性和良好的纹波抑制能力.仿真结果表明,系统空载时,静态电流为64μA,且最大能提供800mA的负载电流,1KHz时的电源抑制比达到-60dB,当负载电流以800mA/5μs跳变时,最大下冲电压为400mV,上冲电压为536mV,恢复时间分别只需6.7μs和12.8μs,版图面积约为0.64mm2. 相似文献
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一种特别适用于片上LDO系统的过流保护电路 总被引:1,自引:0,他引:1
依据电压比较器高低电平判决的基本原理,结合精确电流采样支路,设计了一种固定限流装置。此外,通过第二条电流采样支路,达到返送(foldback)功能,使得短路电流不到最大负载电流的10%,有效降低了LDO(LowDrop-out)系统的过流关断功耗。基于CZ6H 0.35μm标准CMOS工艺,应用Cadence工具进行仿真,结果显示,该过流保护电路可以把稳压器的最大输出电流限定在300mA,输出短路电流不到20mA,在无片外电容的条件下,系统表现出良好的瞬态响应效果;此外,该过流保护模块非常易于调节来适应于不同的标准输出电压。 相似文献
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为满足SoC系统负载快速变化的要求,提出了一种新型摆率增强型片上LDO系统。通过增加有效的内部检测电路,使LDO的功率管栅极电压可以快速地响应输出负载跳变,提高电路响应速度。采用中芯国际40 nm CMOS工艺模型,对电路进行仿真。仿真结果表明,当LDO的负载电流以100 mA/μs跳变时,电路的最大上冲电压为110 mV,下冲电压为230 mV,恢复时间分别为1.45 μs和1.6 μs。同时,在2 V电源电压下,电路的静态电流只有42 μA。 相似文献