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用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在蓝宝石基片上原位制备了MgB2超导薄膜,并用XRD、SEM和dc SQUIDs研究了基片温度和时间对薄膜相组成、表面形貌和超导临界转变温度Tc的影响.结果表明,HFCVD原位生长MgB2薄膜可以抑制MgO杂质的生成.基片温度在500℃以下,MgB4杂相容易出现;在500℃以上时,可以消除MgB4杂相;在600℃时,获得了纯单相的MgB2薄膜,其超导临界转变温度达到36 K.随基片温度升高,薄膜结晶性、致密度和超导临界转变温度提高. 相似文献
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利用透射电子显微技术及理论模拟研究BiMnO_3的结构 总被引:1,自引:0,他引:1
在高压下合成BiMnO3陶瓷样品,利用透射电子显微技术及理论模拟系统研究其室温结构.电子衍射数据表明:BiMnO3形成的是中心对称的C2/c结构,而不是非中心对称的C2结构,该结果通过电子衍射花样和高分辨电子显微像的模拟计算得到进一步证实.此外,在样品中还观察到一种体心赝立方超点阵相,点阵参数为4ap×4bp × 4cp.电子能量损失谱和能量散射X射线谱成分分析结果表明:在超点阵相中缺失了部分氧原子.通过高分辨像模拟,揭示了超点阵的形成是由于有序氧缺位所致.按照晶体学观点认为:在BiMnO3中测得的弱铁电极化起源于这种超点阵. 相似文献
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