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1.
半导体功率器件(即电力电子器件)是电力电子技术的三大核心基础之一,被比作电力电子装置的“CPU”。现有功率器件多采用Si基或SOI基,但是受限于自身材料特性的影响,在节能与转换效率方面越来越显示出他们的局限性。为解决上述问题,半导体功率器件除了继续对传统器件进行新理论和新结构的创新研究外,也正在遵循“一代材料、一代器件、一代装置、一代应用”的发展趋势,从传统的Si基和SOI基向宽禁带半导体SiC和GaN基进行扩展和延伸。 相似文献
2.
碳酸锂溶解度在工业结晶生产中是十分重要的基础数据。采用浸入式红外探头和拉曼探头在线监测溶液体系中CO32-和碳酸锂的特征峰峰强的变化,依据Lambert-Beer定律得出溶液体系中实时在线测定碳酸锂的溶解度。通过在线测定,测得碳酸锂在氯化钠-氯化钾溶液(cNaCl=0.446 6 mol/L,cKCl=0.015 8 mol/L)中的溶解度高于在水中的溶解度值。实验测试出的水中碳酸锂的溶解度数据还能与Van′t Hoff方程较好地关联,进一步测算碳酸锂在其他温度下水中的溶解度值。此外,该方法测定的碳酸锂在水中的溶解度数据比文献值中采用重量分析法测试出的溶解度数据偏小,是因为测试装置不同造成的。 相似文献
3.
4.
宽禁带功率半导体器件技术 总被引:2,自引:0,他引:2
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管。同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望。 相似文献
5.
介绍了乌东德水电站施工控制网的设计、埋标、观测和数据处理分析。针对高山峡谷地区大型施工控制网提出了分骨干网和工作基点网两层布置;所采用的GPS基线与地面观测边的混合处理的两种平差模型具有较高的实用价值;建立了坝址区似大地水准面二次曲面模型等关键技术。 相似文献
6.
7.
本文研究了高温(1300℃)氧化并在一氧化氮(NO)气体中进行氧化后退火方法对4H-SiC 金属-氧化物-半导体(MOS)电容的SiC/SiO2界面特性的影响,主要通过SiC MOS的电容-电压(C-V)特性详细讨论了NO退火时间和温度与SiO2/SiC界面特性的相互关系. 结果表明在NO气体中进行氧化后退火可明显降低界面态密度,并且界面态密度随着温度和时间的增加会进一步降低。 同时,与常规1200℃及以下氧化温度相比,1300℃下热生长的氧化层具有更低的界面态密度且显著缩短了氧化时间,节约了生产成本。 相似文献
8.
宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望 总被引:7,自引:0,他引:7
碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料.文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展,介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景.同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望. 相似文献
9.
采用高温固相两步法制备了两种Li1.4M0.4Ti1.6(PO4)3(M=Al、Cr)系列NASICON功能材料,对不同掺杂合成的样品进行了XRD和SEM表征,并分别对其Na+的交换吸附容量进行了测定。结果表明,对LiTi2(PO4)3掺入适量的Al3+和Cr3+后未改变其晶体结构,合成的吸附剂粒径分布在5~10μm;Li1.4M0.4Ti1.6(PO4)3(M=Al、Cr)对Na+有特效吸附作用,当pH=11.0时,Li1.4Al0.2Cr0.2Ti1.6(PO4)3的饱和交换吸附容量可达69.26mg/g。 相似文献
10.