异形钼零件的电成型

本文介绍一种制造特殊形状钼零件的电化学方法——熔盐电成型法。采用此种方法可以制造出某些机械加工无法制造的钼零件。简要介绍了熔盐电成型工艺的原理、方法、设备及最佳工艺参数,并评述了此法的优缺点。     

离子选择性场效应晶体管(ISFET)国外发展现状(节录)

ISFET的发展情况国内已有报告。因此,本文仪对一九七五年以后ISFET的发展进行综述。如果说一九七五年前发现了离子敏感场效应管,那么,可以认为是Moss,Janata和Johnson在一九七五年把电化学活性材料(缬氨霉素/PVC)涂到ISFET的栅极表面上形成钾离子选择场效应管,才开创了ISFET的进一步发展基础。同年,Lundstrom等制成的钯栅氢敏场效应管,Shivaramau用氢敏管来探测H_2S,     

特殊氧化物阴极基底金属的电成型

正 一、前言 特殊形状的氧化物阴极基底用市场供应的镍材加工成形比较困难,有时甚至不可能。我们利用电成型工艺解决了这个难题。我们曾用电成型工艺成功地制成旋束管用的螺旋形阴极基底(图1)、10cm返波管用的环形束阴极基底(图2)、大功率速调管用的空心束阴极基底(图3)和行波管用的贮备式阴极基底(图4)等。而用电成型镍阴极基底制成的长寿命贮存式氧化物阴极,经几万小时后阴极性能仍保持良好。说明电成型阴极基底金属符合制作长寿命高性能阴极的要求。实践证明电成型工艺具有工艺简单、可制成形状复杂、精度高、性能好的阴极基底,为设计微波电子器件提供了方便,是一种值得推广的     

酸碱滴定中微分滴定曲线的计算机模拟

引言离子选择电极在电位滴定中作指示电极,利用各种适当的化学反应,可直接或间接测定相应的离子浓度及其他参数。滴定终点可由滴定曲线上的电位突跃或微分滴定曲线的最高点来判定。近年来电位滴定的进展已由张国雄作过综述。在对某些材料比较昂贵的体系(如某些生化体系)进行电位滴定时,如重复进行实验就要消耗大量试剂,而利用近年来新兴的化学计量学方法,对滴定过程中各组分在溶液中的平衡进行计算机模拟就可得到不     

离子选择性场效应晶体管的新发展

离子选择性场效应晶体管作为一种新型的化学传感器,面对目前向信息社会转变的历史潮流及信息技术对信息采集、传输及处理的需要,在国内外日益得到愈来愈多的重视及发展。众所周知,在我们研究ISFET的过程中,以及ISFET的应用领域已不再局限于仅仅能对离子有响应,而对分子、大分子、甚至对生物物质有响应,而被称作Chem FET及BioFET。本文将综述近年来国内外在以场效应晶体管为基础的化学传感器的发展。     

高灵敏的酞菁铜薄膜NO_2气体传感器

本文采用真空气相物理沉积技术,在平面叉指电极上沉积酞菁铜薄膜制成的气体传感器。该传感器对NO_2有很高的灵敏度和良好的选择性,能检测出空气中1ppm浓度的NO_2,响应时间几十秒、恢复时间几分钟。在320℃下进行退火处理,传感器的稳定性和重复性有明显的改善。     

锂的电化学传感器的研制

用合成的新材料1,1,1—三[1′-(2′-氧杂-4′-氧代-5′-氮杂-5′-辛基)十三烷基]丙烷为中性载体,磷酸三[2-乙基己基]酯(TEHP)为增塑剂,制成了三种锂的电化学传感器:PVC 膜电极、涂碳电极和锂离子敏感场效应晶体管(Li ISFET),比较了它们的性能。PVC 膜电极的线性响应范围是5×10~(-5)～1mol·dm~(-3)(LiCl),涂碳电极和 Li ISFET 的线性响应范围分别为10~(-4)～1mol·dm~(-3)和10~(-3)～1mol·dm~(-3)。三种锂的电化学传感器中,PVC 膜电极的选择性较好,K_(Li,Na)~(Pot)为4×10~(-2),K_(Li,K)~(Pot)为8×10~(-3),Li ISFET 的选择性较差,K_(Li,N?)~(Pot)为9·6×10~(-2),K_(Li,K)~(Pot)为1.6×10~(-2)。     

离子敏场效应管的技术进展

<正> 文中分析了离子敏感场效应晶体管在国内外的发展,在开展器件研究工作中所进行的基础理论研究、制造工艺、测试技术及应用中的新进展。对这种器件的优缺点、应用领域及潜在的需求作了分析,并讨论了今后ISFET发展过程中研究课题的主要动向。 主要内容有: (1)各种化学传感器件,其中的化学敏     

用于离子选择性场效应管的微机软件及硬件

离子选择性场效应管(ISFET)是近年发展起来的全固态离子选择电极、作为一种微型化学敏感器件,有可能利用它研制出轻更、简单、价廉而精确的化学分析仪器。由于半导体固有的性质,易受光照、温度变化的影响;再由于封装工艺及材料。活性膜的成分和涂敷工艺都使得ISFET的响应特性不易做得稳定一致。近来多通道技术及计算机的联机实时测量系统的发展使得ISFET向实用化前进了一步。要在ISFET的测量系统应用计算机,首先需设计制造适用的接口及应用软件。本文对此种系统的硬件和软件的设计和性能作了描述。