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研究了通过磁控溅射方法制备高纯金属铀膜的可行性。采用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM)、表面轮廓仪分析了沉积在单晶硅或金基材上铀薄膜的微观结构、成分、界面结构及厚度、表面形貌和表面粗糙度。分析结果表明:磁控溅射制备的铀薄膜为纯金属态,氧含量和其它杂质含量均低于俄歇电子能谱仪的探测下限;溅射沉积的铀镀层与铝镀层之间存在界面作用,两者相互扩散并形成合金相,扩散层厚度约为10nm。铀薄膜厚度可达微米级,表面光洁,均方根(RMS)粗糙度优于15nm。 相似文献
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氢化锂(LiH)是重要的热核材料,其状态方程参数是惯性约束聚变研究的重要内容。本工作采用真空热压技术制备氢化锂薄膜,在真空度小于5.0×10-4 Pa,温度450 ℃,升温速率10 ℃/min,采取分段加压、退火,获得了厚度小于100 μm、厚度一致性约98%的氢化锂薄膜,表面粗糙度小于100 nm,热压后密度增加,达到0.780 g/cm3。X射线衍射分析结果表明:薄膜的主要成分为氢化锂,薄膜存在择优取向、内应力、晶粒细化等特征。 相似文献
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研究了磁控溅射工艺参数对Au膜生长速率、表面粗糙度和微观结构的影响。结果表明:当溅射功率低于200W时,溅射功率对薄膜表面粗糙度、微观结构的影响不明显。标定了溅射功率为20W条件下的Au膜生长速率,观察了Au的生长过程,在Si基底沉积的Au为岛状(Volver-Weber)生长模式,Au膜厚度为8nm时,薄膜开始连续。晶粒尺寸与薄膜厚度的关系研究结果表明:在生长初期,晶粒尺寸随厚度线性增大;随后,晶粒尺寸增速变缓,直至停滞;趋于70nm时,新晶粒形成取代晶粒长大。 相似文献
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