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1.
We propose and evaluate a medium-access control (MAC) protocol for synchronous cellular packet direct-sequence code-division multiple-access (DS/CDMA). The protocol is designed for handling a variety of multimedia traffic types in an integrated wireless-access network (IWAN). For instance, the protocol is suited for carrying multiple traffic types of different priorities. An analytical model for the equilibrium state has been developed for the proposed protocol. A comparative evaluation of the protocol is done for three different radio frequency bandwidths currently under consideration for personal communication services (PCS), i.e., 1.25 MHz, 5 MHz, and 10 MHz. Our results demonstrate that the proposed protocol is both robust and flexible for the intended IWAN applications. It offers a significant multiplexing gain as the bandwidth increases 相似文献
2.
测定钠中杂质的手动阻塞计的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
文章介绍了测定钠中杂质浓度的手动阻塞计的原理、装置和实验结果。为了减少测量误差,我们研究了影响准确测定阻塞温度的因素,并且找到了减少测量误差的办法。在同样的杂质饱和温度下,该阻塞计测得的高、低阻塞温度所对应的杂质浓度差是很接近的。对氧其差值为1.03ppm;对氢为0.0763ppm。 相似文献
3.
基于DICOM标准全方向M型心动图的软件系统设计 总被引:3,自引:0,他引:3
本文介绍了基于DICOM标准全方向M型心动图软件系统的设计方案,详细分析了系统结构及各个模块功能.通过该系统可以直接准确地定量检测分析心脏各结构的舒、缩、形变过程及其数据,同时可以生成多个任意方向且互相同步的M型心动图.各个模块设计完全遵循DICOM标准,同时结合数据库管理,方便查询索引.该系统分析的影像数据可以来自PACS服务器,也可以来自本地系统,分析结果数据可以回传PACS服务器,也可以保存本地.该系统实现了国家发明专利"全方向M型心动图方法及其系统98 125713.5"系统数据和国际医学图像传递标准的接口. 相似文献
4.
5.
应用事故树法对深水井控进行风险评估 总被引:5,自引:0,他引:5
深水井喷事故危害极大,严重时可导致井眼报废、船毁人亡等恶性后果,预防和控制深水井喷是国内外石油界的一个技术难题。文中利用风险树分析引发深水钻井工程事故的顶事件,重点讨论各底事件的相互联系及对系统的影响程度,分析顶事件的发生概率,为最大程度地减少深水井控事故的发生提供理论依据。通过对深水钻井过程中存在的风险进行分析,构建了深水井控风险分析事故树,并对其进行了定性与定量分析。通过风险分析,认为深水井控最主要的影响因素是关井及压井时设备故障、设计方法及操作失误的影响超过安全极限。分析表明,降低基本事件的发生概率对预防井喷作用明显,基本事件发生概率提高1倍,井喷发生概率提高近10倍。针对深水井控过程中存在的风险因素,从工艺、装备及人员要求方面提出了预防深水井喷的措施。 相似文献
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9.
Xin Sun Qiang Lu Moroz V. Takeuchi H. Gebara G. Wetzel J. Shuji Ikeda Changhwan Shin Tsu-Jae King Liu 《Electron Device Letters, IEEE》2008,29(5):491-493
A tri-gate bulk MOSFET design utilizing a low-aspect-ratio channel is proposed to provide an evolutionary pathway for CMOS scaling to the end of the roadmap. 3-D device simulations indicate that this design offers the advantages of a multi-gate FET (reduced variability in performance and improved scalability) together with the advantages of a conventional planar MOSFET (low substrate cost and capability for dynamic threshold-voltage control). 相似文献
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