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前言近年来低旁瓣阵列天线受到了广泛的重视。理论上可以设计出具有任意旁瓣电平的阵列天线,然而,实际上阵列误差和其它各种缺陷都会限制旁瓣的降低。那么旁瓣电平实际上究竟能低到多少?这个问题实质上是探求阵列误差对天线阵列波瓣的影响。这种影响在有关文献中已作了广泛的分析。Ruze研究了激励电流的随机误差对阵列辐射波瓣的影响。Bailin和Ehrtich论述了引起激励电流随机误差的机械误差。 相似文献
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为研究常见方向图间的内在联系及探求新的方向图,本文提出了口径天线的Taylor方向图族。它是基于Taylor方向图及修改其零点规律而得的。文中讨论了Taylor方向图的结构分析、Taylor方向图族的提出及它的基本方向图族和口面分布,提出了形象地表示方向图族成员的(S,α_1,α_2)座标系,简述了不对称Taylor方向图族和Taylor方向图族的集合。 相似文献
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短距离测试场的远场波瓣修正 总被引:2,自引:0,他引:2
天线测量距离一般用2D2/λ,此时天线边缘处存在22.5°的相差。但是极低副瓣天线要求测量距离为2D2/λ的几倍,现有场地无法满足这个条件。本文提供的新方案,可把菲涅尔区方向图经修正变换为远区方向图。仅以圆口径天线为例。 相似文献
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应用口径天线Taylor方向图的概念,推导出便于工程设计的低旁瓣天线的“差”Taylor方向图族。它的性能参数与早年Bayliss方向图相比略优——近区旁瓣电平近似相等。它的设计方法比较简单,可以认为是便于工程应用的在给定最大旁瓣电平条件下具有最大斜率的“差”方向图族。 相似文献
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为研究常见方向图间的内在联系及探求新的方向图,本文提出了一种新的综合技术—口径天线的Taylor方向图族。它是基于常规Taylor方向图零点规律修改而得的。文中讨论了这种方向图族的方向图构造、基本方向图族和形象的(S,α_1,α_2)座标系。新引入的参数α_1和修改定义后的σ,对低旁瓣单脉冲天线的研究和综合来说都是很重要的,文中还讨论了两个例子。 相似文献
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