几种常用晶体在单能γ射线照射下的能量响应研究

总结了3种常用晶体(ST-401、NaI和CeF3)在4种单能γ射线(0.622MeV、1.25MeV、2.365MeV和6.13MeV)照射下的能量响应,并对实验现象进行了合理地分析,同时给出了实验结果.     

纳米多晶钨膜中He相关缺陷对H滞留的影响*

用磁控溅射方法制备纳米多晶钨膜, 采用X射线衍射(XRD), 扫描电子显微镜(SEM), 弹性反冲探测(ERD)和慢正电子束分析(SPBA)等手段研究了在高能He⁺和H⁺依次对其辐照后He相关缺陷对H滞留的影响。结果表明, 注He⁺钨膜在退火后从β型钨向α型钨转变; 钨膜中的He含量随着退火温度的提高而减少, 在873 K退火加剧钨膜中He原子的释放, 且造成钨膜空位型缺陷的增加和结构无序度的提高; 钨膜中的H滞留总量随着He滞留总量的减少略有下降。     

半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿

比较了掺Fe和非掺退火半绝缘(SI)InP材料中Fe杂质的分布,掺杂激活机理以及Fe原子与点缺陷的相互作用.原生掺Fe SI-InP中Fe的替位激活主要通过填隙-跳跃机制,但Fe原子易在位错周围聚集,与空位形成复合体缺陷,占据填隙位等,从而降低Fe的激活效率.在FeP2气氛下退火非掺InP获得的SI-InP材料中,Fe原子的激活主要通过扩散过程的"踢出-替位"机制.退火前材料中存在的In空位使Fe原子通过扩散充分占据In位,同时抑制了材料中深能级缺陷的形成.因此,这种SI-InP材料的Fe激活效率高、电学性能好.     

G5振动排痰仪在慢性阻塞性肺病患者排痰护理中的应用

目的 探讨G5振动排痰仪与人工叩背排痰法在老年慢性阻塞性肺病(COPD)患者中的排痰护理效果.方法 将80例COPD患者随机分为G5振动排痰仪机械叩击组(简称机械组)和人工叩击组(简称人工组).比较2组患者排痰护理7 d前后日排痰量、血气分析值和体温、血常规恢复正常天数.结果 排痰护理前两组日排痰量、O2、CO2无明显差异(P＞0.05).排痰护理1周后,两组日排痰量均明显减少;O2明显升高、CO2明显降低(P＜0.01).而机械组与人工组比较,日排痰量明显减少、O2升高和CO2降低幅度比人工组明显(P＜0.01).患者体温和血常规恢复正常天数机械组比人工组明显缩短(P＜0.01).患者排痰效果经等级资料的Ridit分析,机械组明显优于人工组(P＜0.05).结论 G5振动排痰仪对COPD患者排痰的效果和改善缺氧状态明显优于人工叩击排痰法,具有一定的临床推广价值.     

掺Te 的GaSb薄膜分子束外延生长及缺陷特性

分析了非掺GaSb材料及在GaAs衬底上用分子束外延生长掺杂Te的GaSb薄膜材料的缺陷特性,主要应用正电子湮没多谱勒展宽谱方法,并结合原子力显微镜和X射线衍射测试进行.多谱勒展宽谱研究表明,采用分子束外延法生长的掺杂Te的n型半导体GaSb薄膜材料的S参数比体材料小,所得缺陷主要是单空位与间隙原子,而几乎无复合体的缺陷类型.     

半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿

比较了掺Fe和非掺退火半绝缘(SI)InP材料中Fe杂质的分布,掺杂激活机理以及Fe原子与点缺陷的相互作用.原生掺Fe SI-InP中Fe的替位激活主要通过填隙-跳跃机制,但Fe原子易在位错周围聚集,与空位形成复合体缺陷,占据填隙位等,从而降低Fe的激活效率.在FeP2气氛下退火非掺InP获得的SI-InP材料中,Fe原子的激活主要通过扩散过程的"踢出-替位"机制.退火前材料中存在的In空位使Fe原子通过扩散充分占据In位,同时抑制了材料中深能级缺陷的形成.因此,这种SI-InP材料的Fe激活效率高、电学性能好.     

用慢正电子束研究H/He中性束辐照W-ZrC合金中的缺陷演化

利用GLADIS中性粒子束辐照设备对W-ZrC(W-0.5%ZrC,质量分数)合金进行纯H中性束辐照、H+6%He(原子分数)中性束辐照。采用Doppler展宽慢正电子束分析(DB-SPBA)和SEM表征样品的空位型缺陷和表面形貌。在相同纯H中性束辐照功率与注量下,Doppler展宽结果表明,辐照表面温度为850℃时,样品中缺陷类型主要为空位与H之比较大的H-V复合体;1000℃的样品不存在缺陷损伤层,这主要是由于缺陷在高温下进行了恢复。SEM结果表明,辐照表面温度为1000℃的样品比850℃的样品表面光滑,表面损伤得到恢复。在相同H+6%He中性束辐照功率与注量下,辐照表面温度为800℃的样品相比700℃的样品,S参数更大,表明辐照表面温度为800℃时,空位型缺陷迁移合并更为明显,空位型缺陷体积更大,样品中的缺陷损伤层更宽,损伤更为严重。