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采用Cd096Zn0.04Te靶,利用射频磁控溅射制备碲锌镉薄膜,通过改变基片温度、溅射功率和工作气压,制得不同的碲锌镉薄膜.将制备的碲锌镉薄膜放置在高纯空气气氛中,在473 K温度下退火.利用台阶仪、分光光度计、XRD和SEM测试设备表征,结果表明,通过退火和改变沉积参数,可以制备出禁带宽度在1.45~2.02eV之间调节的碲锌镉薄膜. 相似文献
2.
采用磁控溅射法,在衬底温度300 ℃制备CdS薄膜,并选取370 ℃、380 ℃、390℃三个温度退火,获得在干燥空气和CdCl2源+干燥空气两种气氛下退火的CdS薄膜.通过研究热处理前后CdS薄膜的形貌、结构和光学性能表明,CdS薄膜在干燥空气中退火,晶粒度、表面粗糙度和可见光透过率变化不明显,光学带隙随退火温度的升高而增大; 在CdCl2源+干燥空气中退火,随退火温度的升高发生明显的再结晶和晶粒长大,表面粗糙度增大,可见光透过率和光学带隙随退火温度的升高而减小.分析得出: 上述性能的改变是由于不同的退火条件对CdS薄膜的再结晶温度和带尾态掺杂浓度改变的结果. 相似文献
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采用射频溅射方法制备了贵金属银薄膜样品.通过椭圆偏振光谱方法在1.5~4.5eV光子能量区测量获得了复介电函数和复折射率.针对3个不同波长的复折射率常数,对于光从大气入射到金属银边界,以及从金属银入射到大气边界的情况进行了具体模拟计算和分析,发现即使在平行金属膜条件下,光在大气一侧的出射角也不等于初始入射角,并且与波长、光学常数和入射角等有关的等效折射率常数和折射角均为正值,在整个光谱区不改变符号,与实验观察的结果不相符合.实例计算所揭示的这些涉及到光在金属中的传输特性仍有待于更多的实验和理论研究. 相似文献
4.
在康宁7059玻璃衬底上采用磁控溅射、化学水浴和近空间升华法制备CdS薄膜,在FTO、ITO、AZO衬底上采用磁控溅射法制备CdS薄膜.分别对两组CdS薄膜的形貌、结构和光学性能进行了研究,结果表明:采用不同工艺和衬底条件制备的CdS薄膜具有不同的形貌和结构,并表现出不同的光学性能.对于不同的制备技术,化学水浴法制备的CdS薄膜在520~820 nm范围的光谱平均透过率最高,光学带隙最大为2.418 eV,磁控溅射法制备的CdS薄膜在820~1200 nm和520~1200 nm范围的光谱平均透过率最高.对于不同的衬底条件,在FTO衬底上磁控溅射制备的CdS薄膜在820~1200 nm和520~1200 nm范围的光谱平均透过率最高. 相似文献
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