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氧化铈是一种潜在的可见光催化材料,但是如何实现在氧化铈晶格内的N掺杂是阻碍其发展的主要原因。本研究中,我们采用离子束辅助沉积法制备了N掺杂的氧化铈薄膜材料,采用该方法实现了对氧化铈薄膜的高含量N掺杂,N含量可高达25%,远远高于采用传统方法制备的氮掺杂氧化铈。N 1s的高分辨谱显示,掺杂的N替代了氧化铈中的O而实现了N在氧化铈晶格中的掺杂。XRD结果显示,氧化铈薄膜在生长过程中,N离子的轰击并没有改变氧化铈的晶体结果,但是改变了氧化铈薄膜表面形貌,从SEM结果上可以看出氧化铈表面颗粒变得细小,薄膜表面变得光滑。紫外可见吸收光谱结果显示,随着掺N量的增加,氧化铈的光吸收发生红移。  相似文献   
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