单晶铜在ECAP过程中的织构转变和强化行为

由于优秀的导电性能,单晶铜已经在各个领域得到了广泛的应用。然而,较低的强度性能严重阻碍了其进一步的发展和使用。所以,使用ECAP技术对单晶铜进行强化,同时研究采用三个不同路径挤压时对材料性能的影响。使用电子背散射衍射和 X 射线衍射来对 6 道次 ECAP 变形过程中单晶铜的织构进行检测。模具的内角为 120°,挤压路径为 A、Bc、C。结果表明： 5 道次挤压后,A 路径,Bc路径和 C 路径的强度和延伸率分别为 405MPa 、30%,395 MPa、26.7%,385 MPa 、27.9%。6 道次挤压后,A 路径的织构为{112}<110>以及较弱的{110}<112>织构;Bc 路径为{001}<110>织构;而 C 路径的织构已经产生了分散。当采用 C 路径进行几道次的挤压后,首先在其极图中出现了双织构并存的情况,随后 A 路径极图中同样出现了双织构。而在 Bc 路径极图中,并没有其他的织构出现。在挤压过程中材料的导电性只有少量的下降,且全部在 98%IACS 以上。可以看出,在合适的应变量下,ECAP 可以使单晶铜强度明显提高而且导电性损失很小。同时,采用不同的挤压路径可以显著影响材料的性能,例如采用A路径挤压出的材料有最高的强度,C路径挤压出的材料有最好的导电性能。