Al2O3钝化层对a-IGZO薄膜晶体管电性能的增强机制研究

采用空心阴极增强脉冲激光沉积技术(HC-PLD)在室温制备高质量的Al₂O₃薄膜,作为非晶铟镓锌氧(a-IGZO)TFT器件的钝化层,显著增强了Al₂O₃/a-IGZO TFT器件的亚阈值特性,其原因在于空心阴极引入的氧等离子体抑制了Al₂O₃/a-IGZO界面处氧空位的形成。进一步研究发现,针对a-IGZO薄膜的180℃退火处理有利于消除弱结合氧并抑制深能级缺陷,提高载流子迁移率并降低阈值电压漂移;而针对Al₂O₃/a-IGZO TFT器件进行100℃退火处理有助于消除其界面附近的氧空位,降低载流子浓度,改善亚阈值特性。结合2步退火工艺所制备的Al₂O₃/a-IGZO TFT器件迁移率高达22.8 cm²·V^-1·s^-1,亚阈值摆幅为0.6 V·decade^-1,综合电性能优异。     

基于双模态输入的孪生网络目标跟踪算法

主流的目标跟踪算法只使用可见光(RGB)图像进行跟踪任务,当跟踪场景的光照条件较差时,表征颜色和纹理特征的可见光图像会严重限制跟踪器的跟踪性能.针对单一模态目标信息存在缺失的问题,在Siam-FC网络模型以及红外—可见光图像融合思想的基础上提出了双模态权值自更新孪生网络目标跟踪方法.根据红外图像可以采集运动目标热信息的特点,有效利用了红外和可见光图像在目标跟踪领域的互补优势;使用较浅的特征提取网络AlexNet即可提取到运动目标具有鲁棒性的特征,在保证跟踪精度的同时提高了跟踪模型的跟踪速度.在公开数据集OTB2015和红外—可见光数据集RGB-T210进行实验,结果表明提出的目标跟踪算法在各种跟踪场景下都取得了较好的跟踪效果.     

单晶铜ECAP/Bc路径形变结构与力学性能

采用电子背散射衍射技术(EBSD)、XRD,研究了单晶铜在等通道转角挤压(ECAP)/Bc路径4道次变形过程中形变结构演变,并检测了变形材料的力学性能。结果表明：低道次变形不改变单晶铜的宏观取向;2道次变形后,材料微观组织中出现取向一致的剪切带,与ED轴成15°-20°角,晶粒内部出现了形变织构{111}<112>;经过4道次变形后,剪切带与ED轴夹角不变但倾斜方向与2道次相反,形变织构不发生改变,且未出现大角度晶界;抗拉强度由168MPa提高至395MPa,延伸率则从63%降至26.5%,硬度由60Hv提高到125Hv,之后趋于平缓;由于位错堆积,材料塑性变差,断口颈缩面积变大。ECAP可使单晶铜在未破碎的情况下得到强化。     

基于安全信任的网络切片部署策略研究

5G移动通信网虚拟化场景下,如何安全部署网络切片是未来5G大规模商用的前提。针对5G网络切片部署的安全性,提出一种基于安全信任的网络切片部署策略。该部署策略通过提出安全信任值概念,来有效量化分析VNF和网络资源的安全性,并以此为基础,利用0-1整数线性规划方法构建网络切片部署的数学模型,利用启发式算法进行求解,找到网络切片部署成本最小的部署方案。仿真实验表明,该部署策略在保证部署安全的前提下,减少了部署成本,同时获得较好的安全收益和部署收益率。     

改善高占比光伏接入配电网电能质量的储能优化选配

光伏接入占比不断提高,对区域配电网的电能质量及稳定运行构成挑战,储能是解决该问题的有效手段。在深入分析高占比光伏接入配电网的谐波和闪变特征基础上,以总谐波畸变率和电压闪变幅度为约束变量,开展储能总容量的配置研究,并针对混合储能方式开展了经济性优化设计。论文以某村级分布式光伏接入工程为例,进行了分析计算,为该工程储能容量选配提供设计依据。     

单晶铜在ECAP过程中的织构转变和强化行为

由于优秀的导电性能,单晶铜已经在各个领域得到了广泛的应用。然而,较低的强度性能严重阻碍了其进一步的发展和使用。所以,使用ECAP技术对单晶铜进行强化,同时研究采用三个不同路径挤压时对材料性能的影响。使用电子背散射衍射和 X 射线衍射来对 6 道次 ECAP 变形过程中单晶铜的织构进行检测。模具的内角为 120°,挤压路径为 A、Bc、C。结果表明： 5 道次挤压后,A 路径,Bc路径和 C 路径的强度和延伸率分别为 405MPa 、30%,395 MPa、26.7%,385 MPa 、27.9%。6 道次挤压后,A 路径的织构为{112}<110>以及较弱的{110}<112>织构;Bc 路径为{001}<110>织构;而 C 路径的织构已经产生了分散。当采用 C 路径进行几道次的挤压后,首先在其极图中出现了双织构并存的情况,随后 A 路径极图中同样出现了双织构。而在 Bc 路径极图中,并没有其他的织构出现。在挤压过程中材料的导电性只有少量的下降,且全部在 98%IACS 以上。可以看出,在合适的应变量下,ECAP 可以使单晶铜强度明显提高而且导电性损失很小。同时,采用不同的挤压路径可以显著影响材料的性能,例如采用A路径挤压出的材料有最高的强度,C路径挤压出的材料有最好的导电性能。     

三元层状MoAlB材料的研究进展

二元过渡金属硼化物因高熔点、高硬度和高导热性等优点在航空航天领域具有重要应用前景。然而，该类材料的本征脆性和较差的抗氧化性严重制约了其在高温极端环境下的应用。MAB相是在二元硼化物晶胞中引入ⅢA和ⅣA族元素原子得到的一类新型三元层状硼化物，兼具陶瓷和金属诸多优异性能，其中MoAlB具有优异的断裂韧性、抗氧化性、损伤容限特性和机械加工性，成为MAB相材料的研究热点。本文概述了MoAlB粉末、块体、涂层的制备方法及基本性能，包括理化、力学、摩擦和抗高温氧化性能等；讨论了MoAlB的改性方法及机制，旨在明确MoAlB材料在制备和应用过程中存在的关键问题及可能的解决途径，并指出了MoAlB材料的潜在应用领域。