Mn 掺杂 SiC 基稀磁半导体薄膜的结构和磁性研究

目的从原子水平探究Mn掺杂SiC薄膜的磁性起源。方法采用射频磁控溅射技术制备不同掺杂浓度的Mn掺杂SiC薄膜,并采用X射线衍射技术、X光电子能谱、同步辐射X射线近边吸收精细结构技术、物理性质测试系统对薄膜的结构、组分和磁性能进行研究。结果晶体结构和成分分析表明,1200℃退火后的薄膜形成了3C-SiC晶体结构,且随着Mn掺杂浓度的增加,3C-SiC晶体的特征峰向低角度移动。在Mn掺杂浓度(以原子数分数计)为3%,5%,7%的薄膜中,掺杂的Mn原子以Mn2+的形式存在;而在9%Mn掺杂的SiC薄膜中,则有第二相化合物Mn4Si7形成。局域结构分析表明,薄膜中均不存在Mn金属团簇和氧化物,在3%,5%和7%Mn掺杂的薄膜中,掺杂的Mn原子主要以代替C位的形式进入3C-SiC晶格中,而在9%Mn掺杂的薄膜中,掺杂的Mn原子以C替位形式和Mn4Si7共存。磁性测试表明,制备的Mn掺杂SiC薄膜具有室温铁磁性,且饱和磁化强度随着Mn掺杂浓度的提高而增加。结论薄膜的室温铁磁性是本征的,磁性来源与掺杂的Mn原子以Mn2+取代SiC晶格中C位后导致的缺陷有关,符合缺陷导致的束缚磁极子机制。     

低压电器在消除桥式逆变电路死区效应中的应用研究

为了消除桥式逆变电路死区效应,降低控制电路要求,将低压电器串入逆变电路主电路中。理论分析结果表明,不仅能消除死区及其产生的不良影响,还可以简化电路结构,并可忽略开关管因厂家不同存在的差异性。仿真试验进一步验证了所提理论的正确性和电路的可行性。     

Li掺杂NiO纳米纤维的制备及其气敏性能

以PVP和Ni(CH3COO)2·4H2O为原料采用静电纺丝法制备了Li掺杂的NiO纳米纤维,系统研究了不同浓度的Li掺杂对NiO纳米纤维的HCHO气体敏感性能的影响。实验结果表明,当Li的掺杂量为0.02mol时,NiO纳米纤维对HCHO气体具有最佳的气敏特性;在HCHO气体的体积分数为2000ppm,温度为300℃时,此NiO纳米纤维对HCHO气体的灵敏度为12.12。     

基于S7-200 PLC的C650卧式车床控制系统改造

针对C650卧式车床设备老旧、故障频发的问题,结合可编程序控制器实验室设备更新,淘汰了一部分S7-200 PLC,在不改变C650卧式车床电气控制功能的前提下对其控制系统进行改造,确定了PLC的I/O地址分配和梯形图程序,经调试后设备运行可靠,效果良好.     

电弧离子镀制备 TiSiN 纳米复合涂层

目的在SiH4气氛下制备Si掺杂的TiSiN纳米复合涂层,为SiH4用于工业化TiSiN涂层生产提供依据。方法采用电弧离子镀技术,在SiH4气氛下,于单晶硅和硬质合金衬底上制备Si掺杂的TiSiN纳米复合涂层,研究SiH4流量对TiSiN涂层化学组分、微观结构、硬度和耐磨性能的影响。结果 SiH4流量对TiSiN纳米复合涂层的微观结构、硬度及摩擦系数的影响明显。随着SiH4流量的增加,TiSiN涂层由柱状晶生长的晶体结构逐渐转变为纳米晶镶嵌于非晶基体的复合结构。Si在涂层中以Si3N4非晶相存在,随着涂层中Si含量逐渐增加,TiN晶粒尺寸逐渐减小,Si3N4起到细化晶粒的作用。在42 m L/min的SiH4流量下,涂层硬度高达4100HV0.025。在对磨材料为硬质合金的条件下,TiSiN涂层摩擦系数小于0.6。结论 SiH4气氛下可以制备出Ti N纳米晶镶嵌于Si3N4非晶相结构的TiSiN纳米复合涂层,涂层的显微硬度较高。SiH4可以作为Si源用于TiSiN纳米复合涂层的工业化生产。     

用Visual C++实现钢瓶打标机打标在线仿真

为了适应国家发展和钢瓶生产厂商的需求,用Visual C++设计了钢瓶打标机的打标仿真软件。首先给出钢瓶打标机的工作原理,对软件总体功能做出描述,然后介绍在Visual C++开发环境下显示编辑、打印演示和数据通信的设计过程,从而实现了对钢瓶打标机的整个打标过程及打标效果的模拟。该软件用交互、可视化的形象手段,使得钢瓶打标更加直观、形象,提高了打标的质量和效率,具有简洁美观和易操作性优点。     

基于PC104总线的性能检测系统

为了适应外场装备检测装置的需求,以某型自行火炮的随动系统为例,基于PC104嵌入式控制总线的高效数据传榆特点,采用SCM/LX-3160主板和ADT620、CDT2000数据采集板,完成数据采集与转换的硬件配置.并把处理后数据通过Visual C＋＋软件开发工具进行实时显示,确定随动系统的工作状态.应用结果表明,该性能检测系统携带方便,能实时采集信号,并对信号进行准确的分析处理,具有较高的实时性和稳定性.