a-Si∶H TFT的寄生效应

a-Si∶H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容,实验研究表明它并不能完全表征TFT的寄生效应,研究发现由栅极和源极形成的电场的电力线交迭也会导致物理寄生效应且这种效应始终存在.从LCD的结构、材料、制备工艺等普遍性出发,依据交迭电力线建立了物理寄生效应模型并对其进行了详细的分析和计算,实验结果表明该方法是有效可行的,从而使LCD寄生效应有了一个较完美的理论表征和分析计算方法.     

寄生电容不敏感的开关电容乘法器的设计与分析

本文论述了寄生电容不敏感型开关电容四象限模拟乘法器的设计，并提出了一种新型的电路结构，分析了它的性能，以及元器件的非理想特性对其性能的影响和采取的补偿方法。     

二维任意形状寄生电阻电容的边界元计算

由于集成电路技术高速发展,精确提取任意形状寄生电阻电容变得十分重要,本文以直接边界元素法为基础,利用圆弧样条插值近似任意曲线边界,使插值曲线具有整体一阶连续性,并克服了大挠度与多值的困扰。在直线边界使用线性连续元,在曲线边界使用二次连续无。对两邻国为直线的角点,我们曾提出处理角点处存在多重法的导数的一种方法。这里,它被推广到角点邻边含曲线段的情形。数值结果表明模拟器是可行的。     

网络适配器静电放电问题分析

提出了网络适配器产品静电放电问题的分析及解决方法,并就器件的寄生电容及寄生电感参数对高速电路的影响进行分析总结,为高频滤波、防护电路的器件选型提供了一定的指导.     

微机械振动式陀螺仪寄生效应的处理

基于微机械陀螺仪的寄生效应产生原理,借助于陀螺仪的系统函数,分析了寄生效应对系统频率响应的影响.对频率响应实部和虚部的处理,可以得到寄生电容和寄生电阻等一些关键参数值.通过数字滤波的方法可以减少寄生效应的影响.     

一种小电容检测方法--充放电法

简要介绍传统及现有小电容测量方法的优缺点，其中包括谐振法、振荡法(RC振荡法和LC振荡法)、交流电桥法；重点给出了一种可抗寄生电容干扰的充放电法，阐述了此方法的基本原理，分析了其电路模型、传递函数、灵敏度并给出了实验系统原理框图，结合实际应用给出电路中器件及参数的选取原则，并得出了实验结论．该电路具有抗寄生电容干扰强、灵敏度高、容易实现、成本低等优点．     

一种低损耗LTCC威尔金森功分器设计

设计了一种低损耗LTCC威尔金森功分器。采用低温共烧陶瓷技术,达到器件小型化设计的目的。利用交叉叠层的方法,减小了两路电路自身的寄生电容从而减小了功分器的插入损耗。为了验证该设计的可行性,采用这种结构设计制作通带为1 425~1 900 MHz的威尔金森功分器,加工后测得其插入损耗小于–3.25 d B,尺寸仅为3.2mm×1.6 mm×0.9 mm。     

高速脊波导激光器寄生电容的分析

高速调制半导体激光器光源是光纤通信系统、相控阵雷达等的关键器件。高速激光器的寄生电容是影响其调制带宽的因素之一。为了减小寄生电容,针对脊波导结构激光器的电容,采用计算机模拟与实际测试相结合的方法,进行了理论分析和实验验证。结果表明,其寄生电容大小不仅与电极金属化面积有关,还与隔离沟的腐蚀深度有关。当腐蚀至波导层时,寄生电容减小到10pF以下。这一结论对实现激光器的高速调制是非常有意义的。     

抗寄生干扰的小电容测量电路研究

在测量含有导电元素的多种成份的混合液体时，将需要抗寄生干扰的传感器，这是流体无损检测应用中迫切需要解决的理论和技术问题之一。带电元素的混合流体可用电容器模型来描述，因而问题变成抗寄生干扰的高频小电容测量。本文首先简要分析了现有的电容测量方法的优缺点，其中包括谐振法、电桥法、振荡法和充放电法。然后重点给出了一种新的抗寄生干扰的测量电路，文中包括全面考虑各种干扰的电路模型，传递函数，传感器灵敏度及实验结果。该电路具有结构简单、容易实现、抗寄生干扰等优点