全文获取类型
收费全文 | 18096篇 |
免费 | 2244篇 |
国内免费 | 1558篇 |
专业分类
电工技术 | 743篇 |
综合类 | 1579篇 |
化学工业 | 647篇 |
金属工艺 | 854篇 |
机械仪表 | 1963篇 |
建筑科学 | 1416篇 |
矿业工程 | 421篇 |
能源动力 | 220篇 |
轻工业 | 819篇 |
水利工程 | 189篇 |
石油天然气 | 212篇 |
武器工业 | 260篇 |
无线电 | 4807篇 |
一般工业技术 | 1294篇 |
冶金工业 | 424篇 |
原子能技术 | 108篇 |
自动化技术 | 5942篇 |
出版年
2024年 | 387篇 |
2023年 | 1020篇 |
2022年 | 1140篇 |
2021年 | 1240篇 |
2020年 | 929篇 |
2019年 | 896篇 |
2018年 | 566篇 |
2017年 | 749篇 |
2016年 | 887篇 |
2015年 | 988篇 |
2014年 | 1653篇 |
2013年 | 1229篇 |
2012年 | 1347篇 |
2011年 | 1189篇 |
2010年 | 957篇 |
2009年 | 925篇 |
2008年 | 1035篇 |
2007年 | 838篇 |
2006年 | 661篇 |
2005年 | 518篇 |
2004年 | 389篇 |
2003年 | 365篇 |
2002年 | 269篇 |
2001年 | 235篇 |
2000年 | 193篇 |
1999年 | 175篇 |
1998年 | 169篇 |
1997年 | 131篇 |
1996年 | 126篇 |
1995年 | 109篇 |
1994年 | 88篇 |
1993年 | 94篇 |
1992年 | 102篇 |
1991年 | 84篇 |
1990年 | 98篇 |
1989年 | 69篇 |
1988年 | 17篇 |
1987年 | 7篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 8篇 |
1982年 | 3篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 3篇 |
1965年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 7 毫秒
2.
3.
《Planning》2018,(3):402-407
为深入开展单锚张纲张网渔具结构优化、渔获性能评价研究,使用数值计算方法对其水动力特性和形状进行模拟。根据田内准则将中国东海近海渔业生产中常用的单锚张纲张网(230 m×180 m)按大尺度比为25和小尺度比为3.95缩小,然后使用集中质量法对模型张网进行离散化处理,并对网目进行群化。建立拓扑结构,在此基础上采用有限元方法建立单锚张纲张网数学模型并进行数值模拟。结果表明:网具从初始状态到稳定状态的时间随流速的增加而减小;当流速较小时,网口水平和垂直扩张较好,随着流速的增加,网口两侧网衣垂直扩张逐渐减小,上、下纲中部高度未见明显减小,但后坠程度逐渐增大,网具纵向拉伸逐渐增大,网口的宽度明显减小,而网口高度略有下降;网具各部分网衣的缩结系数从网身到网囊逐渐减小,且随着流速的增加而减小;网具的总阻力(F)随流速的增加而增加,且与流速(v)呈F=480.1×v~(1.722)的关系;网具上纲和下纲两端结附网线张力载荷较为集中,且随着流速的增加,集中载荷分布趋势愈加明显。研究表明,通过数值模拟分析网具的总体扩张和阻力,掌握张网网具各部分网衣和纲索的张力载荷分布,以及随流速的变化情况,分析网具的受力均匀性和结构合理性,了解各部分网衣的横向扩张情况,这对于分析网具整体选择性、滤水性和渔具的导鱼性等至关重要。 相似文献
4.
本文提出了一种基于可视知识网络的几何形状特征的表示方法和识别技术。这种方法和技术通过把图形和特征描述语句集成为一种高层次的基于网络的表示来完整地描述知识结构。在这种结构上提出了一个自动提取形状特征的方法,这有利于相交特征的识别和提取特征间的联系。两个实例证实了作者提出的方法和技术的正确性。 相似文献
5.
6.
本文首先对采用各种光学方法进行三维形状测量给以综述。然后我们集中阐明结构光学技术,其中包括各种光学配置,图像捕获技术,数据处理、分析方法和优缺点。文中列举了若干工业应用实例,还讨论了需要进一步研究开发的重要领域。最后提供的是有关三维形状测量的文献目录,尽管它并不很详尽。 相似文献
7.
8.
9.
10.
The simulation and analysis of S-shaped waveguide bend are presented.Bend radius larger than 30 mm assures less than 0.5 dB radiation loss for a 4-μm-wide silicon-on-insulator waveguide bend with 2-μm etch depth.Intersection angle greater than 20° provides negligible crosstalk (<-30 dB) and very low insertion loss.Any reduction in bend radius and intersection angle is at the cost of the degradation of characteristics of bent waveguide and intersecting waveguide, respectively. 相似文献