全文获取类型
收费全文 | 66972篇 |
免费 | 4259篇 |
国内免费 | 3953篇 |
专业分类
电工技术 | 1638篇 |
综合类 | 4023篇 |
化学工业 | 15708篇 |
金属工艺 | 13505篇 |
机械仪表 | 3972篇 |
建筑科学 | 4417篇 |
矿业工程 | 1425篇 |
能源动力 | 769篇 |
轻工业 | 4080篇 |
水利工程 | 1292篇 |
石油天然气 | 3091篇 |
武器工业 | 796篇 |
无线电 | 3632篇 |
一般工业技术 | 9903篇 |
冶金工业 | 3812篇 |
原子能技术 | 580篇 |
自动化技术 | 2541篇 |
出版年
2024年 | 713篇 |
2023年 | 2424篇 |
2022年 | 2747篇 |
2021年 | 2768篇 |
2020年 | 2093篇 |
2019年 | 1983篇 |
2018年 | 1196篇 |
2017年 | 1696篇 |
2016年 | 1668篇 |
2015年 | 2213篇 |
2014年 | 4030篇 |
2013年 | 2948篇 |
2012年 | 3672篇 |
2011年 | 3730篇 |
2010年 | 3408篇 |
2009年 | 3632篇 |
2008年 | 4008篇 |
2007年 | 3469篇 |
2006年 | 3137篇 |
2005年 | 3116篇 |
2004年 | 2788篇 |
2003年 | 2522篇 |
2002年 | 2254篇 |
2001年 | 1794篇 |
2000年 | 1674篇 |
1999年 | 1283篇 |
1998年 | 1231篇 |
1997年 | 1046篇 |
1996年 | 1002篇 |
1995年 | 898篇 |
1994年 | 780篇 |
1993年 | 636篇 |
1992年 | 665篇 |
1991年 | 580篇 |
1990年 | 571篇 |
1989年 | 540篇 |
1988年 | 60篇 |
1987年 | 53篇 |
1986年 | 46篇 |
1985年 | 34篇 |
1984年 | 22篇 |
1983年 | 17篇 |
1982年 | 18篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 7篇 |
1965年 | 2篇 |
1960年 | 1篇 |
1959年 | 2篇 |
1951年 | 5篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
2.
硅藻土在扫描电镜下的微观形貌 总被引:2,自引:0,他引:2
硅藻土是一种生物成因的硅质沉积岩,主要由硅藻及一部分放射虫的硅质遗骸所组成。其化学成分主要是SiO2,含有少量的Al2O3、Fe2O3、CaO、MgO、K2O、Na2O、P2O5和有机质。硅藻土的颜色为白色、灰白色、灰色和浅灰褐色等。硅藻是一种单细胞藻类,其矿物成分为非晶态的蛋白石-硅藻蛋白石。 相似文献
3.
采用溶剂热法制备了硅基介孔分子筛材料,较系统地考察了晶化温度、晶化时间及焙烧温度等因素对其结构的影响,并利用N2吸附手段进行了表征.结果表明,晶化温度和晶化时间能明显影响硅基介孔材料的结构,而过高的焙烧温度易导致介孔结构的塌陷. 相似文献
4.
5.
6.
本文在介绍传统FFT原理和流程的基础上,根据具体应用要求,结合基-4算法的长处,对传统基-8FFT的结构做了改进,并用ASIC实现了一个12位64点复数FFT的计算。布线后门级模型的仿真验证了改进后的结构不但计算正确,而且效率有显著的提高。论文最后简单总结了改进后12位64点复数FFT专用电路目前已经达到的性能指标。 相似文献
7.
GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本对Si基n型GaN上的A1单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I—U特性曲线,X射线衍射以及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响,提出了改善这两种电极欧姆接触的二次退火方法。 相似文献
8.
机械合金化Fe-Ni粉末的相结构 总被引:1,自引:0,他引:1
使用XRD和Moessbauer等方法,研究了在Ar气氛下机械合金化Fe—Ni粉末相结构的变化.结果表明,在机械合金化Fe64-Ni36粉末过程中,fcc相的数量随着球磨时间的增加先增加然后减少,与加乙醇球磨Fe64-Ni36的情形相同.当Ni的含量(原子分数)大于50%时,有fcc相、顺磁相和FeNi3形成,当Ni的含量低于50%时,bcc相的数量随着Ni含量减少而增加.Moessbauer谱的结果表明,因球磨时间或Fe、Ni比例的不同,Fe—Ni球磨粉末固溶体具有不同结构的原子配比。 相似文献
9.
在传统光调制器驱动电路中,所用HBT截止频率的大小要达到驱动电路传输速率的4倍以上.文中在输出级采用共射共基HBT形式后,其器件的截止频率只需大于电路传输速率的2倍即可,从电路设计的角度降低了对所用器件的要求.文中分析了新的电路结构提高传输速率的原因并给出了模拟结果.同时新的电路结构也具有良好的热稳定性. 相似文献
10.
电子设备的广泛使用带来的设备干扰及浪涌冲击等问题使人们开始关注SrTiO3基压敏电阻器件材料的开发.本文介绍了SrTiO3基压敏电阻的一般制造配方和工艺流程.和ZnO基压敏电阻相比,此材料在低压领域具有更优良的电气性能,如较大的电容量(C=10~150nF);在高于电压临界值又具有较低压敏电压;非线性系数在5~43之间可调;耐浪涌能量大;并且具有自复位特性.这些特性使得它具有高频噪声吸收、前沿快速上升型脉冲噪声吸收和浪涌吸收等功能.针对武器系统的高性能要求,本文提出了SrTiO3基压敏电阻在直流电机消噪、电源输入端、吸收电感性负载开关浪涌、旁路电容器、通信线路防护、防止电涌冲击等方面的应用. 相似文献