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1.
Thin Film Thermoelectric Metal–Organic Framework with High Seebeck Coefficient and Low Thermal Conductivity 下载免费PDF全文
2.
部分空间科学实验对环境温度有较高的要求,环境温度高于或低于空间科学系统能够提供的热沉温度,需要有可靠有效的加温降温处理措施。使用可靠性强的热电制冷片作为制冷制热方式和气液换热器二次换热来实现环境温度控制的需求,并对不同流体温度制冷制热效果进行分析,结果表明流体温度和目标温度差越小,热电制冷制热的效果越好。在环境温度制冷工况中,热电单元数量随电流增加先减少后增加,在制热工况中则单调递减,设计中需按照制冷工况进行热电单元数量的确定。当流体温度接近制冷制热的目标温度时,会出现整个系统总效率优于热电系统效率的区间。通过对热电单元和气液换热器的组合系统的性能计算,提供一种适于热电环控系统的计算方法和部件选型思路,对空间站环控系统的设计有重要参考意义。 相似文献
3.
为了获得一种稳定可控的能源,提出一种栅控石墨烯热电器件。通过对石墨烯通道的载流子输运机理的分析,获得了温度和栅压对通道电阻的影响。依据半经典Mott公式推导了石墨烯塞贝克系数的表达式,同时给出了石墨烯的电导率和热导率模型。最后通过有限元分析(FEA)建模获得不同栅压条件下的器件温度,当栅极电压VB=0 V时,石墨烯热电器件热端和冷端温度差为30 K;当VB=6 V时,最大温差达到50 K;当VB=30 V时,最小温差只有10 K。结果表明,栅压对热电器件的性能有明显的调控性。该研究可为石墨烯热电器件的设计提供理论参考。 相似文献
4.
Mg-Si基热电化合物的研究现状 总被引:1,自引:0,他引:1
重点综述了Mg-Si基热电化合物的基本特性,该体系热电材料的制备方法与掺杂改性的研究进展,并提出了要重点解决的问题。 相似文献
5.
6.
R. E. Bentley 《International Journal of Thermophysics》1985,6(1):83-99
A technique is presented that enables the effects of temperature on the Seebeck coefficient to be assessed for individual wires. The technique, involving a high-resolution thermoelectric scanning rig and a nonuniform conditioning furnace of known temperature profile, was applied to 0.5-mm-diameter wires of Pt and Pt 10% Rh. Changes were observed in Seebeck coefficient when these wires were used in high-purity twin-bore insulation for up to 200 h at temperatures over the range 500 to 1700°C. Contamination from the insulation was found to be transmitted by a vaporization process, having an activation energy of 3 eV. This caused changes of up to 0.14 V · °C–1 in Pt and 0.01 V · °C–1 in Pt 10% Rh. Rhodium transfer to the pure Pt wire changed its Seebeck coefficient by up to 5 V · °C–1. The consequences of both processes for thermocouple pyrometry are presented. 相似文献
7.
Iron-silicide was produced with a mechanical alloying process and consolidated through vacuum hot pressing. The as-milled powders were of metastable state and fully transformed into the ß-FeSi2 phase through subsequent isothermal annealing. The as-consolidated iron silicides consisted of an untransformed mixture of α-Fe2Si5 and ?-FeSi phases and a partially transformed β-FeSi2 phase was found in the low density compact. Isothermal annealing was carried out to induce transformation into a thermoelectric semiconducting β-FeSi2 phase. The transformation behavior of the β-FeSi2 was investigated utilizing DTA, SEM, and XRD analyses. Isothermal annealing at 830°C in vacuum led to a thermoelectric semiconducting β-FeSi2 phase transformation, but some residual metallic α and ?-phases were unavoidable even after 96 hours of annealing. The iron silicide microstructures were investigated using SEM and TEM. The mechanical and thermoelectric properties of the β-FeSi2 materials before and after isothermal annealing are characterized in this study. 相似文献
8.
Electric and mechanical performances of Bi0.5Sb1.5Te3 prepared by spark plasma sintering 总被引:1,自引:0,他引:1
Thermoelectric (TE) materials are a kind of functional materials which can be used to convert directly heat energy to electricity or reversely.The thermoelectric effects hold great potential for application in power generation and refrigeration.Bi2Te3 and its alloys are well known as best TE materials currently available near room temperature.This paper studies respectively the effects of spark plasma sintering (SPS) on electric performance of Bi0.5Sb1.5Te3 thermoelectric materials that are prepared through vacuum melting and ball milling.Through X-ray Diffraction and cold field emission scanning electric microscope s4800, the phase constituent and microstructure of the TE materials samples were analyzed.Electric conductivity and power factor can be improved with the rise of Spark Plasma Sintering temperature (from 300 to 500 ℃) and pressure(from 30 to 60 MPa), and the density and mechanical strength of Bi0.5Sb1.5Te3 thermoelectric material increase, too. 相似文献
9.
含稀土硅化铁热电材料的电学性能初探 总被引:1,自引:0,他引:1
采用悬浮真空熔炼和800℃,168h真空退火方法制备了含稀土Sm的FeSi2基金属硅化物,并对其晶体结构、See-beck系数、电阻率进行了初步研究。实验发现,名义组成为Fe0.6Sm0.4Si2的试样的热电功率因子从室温时的0.26×10-4W·m-1K-2随温度上升到500℃时的1.6×10-4W·m-1K-2,比不含Sm或含Sm量很少的对比试样高一个数量级左右。其原因被认为是由于Sm的外层4f电子的贡献。 相似文献
10.